• 한국전자파학회지:전자파기술
• /
• 제12권3호
• /
• pp.60-68
• /
• 2001

본 논문에서는 최근 초소형 기술로 각광받고 있는 MEMS(MicroElectroMechanical System) 기술을 이용한 무선통신 분야의 응용을 제고한다. RF ME- MS 기술은 기존의 기술들에 비해 크기나 전력소모, 삽입손실 등에서 우수한 고주파 특성을 갖는 소자 나 부품을 만들 수 있으며 특히 휴대용 단말기에 적 용 가능한 RE 부품들 즉 저손실 전송선로, 스위치, High Q inductor, 안테나 등의 주요 부품에 대한 연 구가 많이 이루어지고 있다.

• 전자통신동향분석
• /
• 제21권4호통권100호
• /
• pp.107-117
• /
• 2006

위성 탑재체 제조 산업은 기초 과학이 뒷받침된 초정밀 기계 공학, 첨단 전자 기술, 극한 환경 기술 및 신소재 공학 등과 같은 첨단 산업의 집합체라 할 수 있다. 현재 미국을 비롯한 서구 선진국에서 진행중인 탑재체 기술동향을 보면, 폭발적으로 증가하는 위성수에 따라 위성 궤도가 부족하고 주파수 자원이 고갈되고 있는 상황에서 통신 위성의 효율성과 성능을 향상시킬 수 있는 신호처리 탑재(OBP) 위성과 통신기능을 포함한 다양한 기능을 가진 복합위성 개발이 진행되고 있으며 주파수 대역의 포화와 광대역 멀티미디어 서비스 제공 등을 위해 보다 높은 주파수의 준 밀리미터파 대역(Ka 대역) 위성 개발이 활발히 이루어지고 있다. 국내에서는 현재, 2008년 발사를 목표로 마이크로스위치 매트릭스(MSM)가 탑재되어 빔간 스위칭이 가능하도록 설계된 통신해양기상위성(COMS)용 통신 탑재체(SACOM) 개발이 진행중이다. 국내의 위성탑재용 RF 부품분야는 1990년부터 위성 중계기 시스템의 기본적인 설계, 조립, 종합화, 시험기술을 바탕으로 통신위성 탑재체용 초고주파 부품을 개발하여 왔으며, 2000년대에는 Ku 대역(12/14GHz) 및 Ka 대역(20/30GHz) 기술인증모델(EQM) RF 부품을 성공적으로 개발하였다. 이를 바탕으로 통신해양기상위성 통신탑재체용 Ka 대역 RF 부품이 현재 우주인증 모델(QM)의 개발이 완료되었으며 비행 모델(FM) 개발이 진행중이다.

• 정보화사회
• /
• 통권182호
• /
• pp.40-41
• /
• 2006

휴대폰용 핵심 부품인 RF칩을 개발하면서도 FCI는 그동안 부품업체 선두그룹에 편입되지 못했다. 업계 주목을 한 몸에 받지는 못하더라도 뜨거운(?) 관심 정도는 받아야 마땅하지만, 불운하게도 그렇지 못했다. 그건 경쟁회사가 바로 퀄컴이었고, 퀄컴의 벽을 넘기론 FCI는 일개 벤처회사에 불과했기 때문이다. 퀄컴이 베이스밴드라는 절대권력을 쥐고 RF시장마저도 쌍끌이로 점령한 이유가 그 이면에 존재한다.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제4권2호
• /
• pp.79-83
• /
• 1997

본 연구에서는 휴대용 전화기 및 무선 LAN 의 핵심부품인 RF-Switch Module의 초소형화 설계기술, 표면실장기술, 고주파설계기술, 소형화 SMD기술, Test 기술 및 RF-Switch Module 활용기술 등을 개발하였으며 RF-Switch Module의 설계기반 마련 및 대외 경쟁력 있는 RF-Switch Module의 초소형화 기술을 확보하였다.

• 전자통신동향분석
• /
• 제33권6호
• /
• pp.12-23
• /
• 2018

In this paper, we review the technical trends of diamond and gallium oxide ($Ga_2O_3$) semiconductor technologies among ultra-wide bandgap semiconductor technologies for harsh environments. Diamond exhibits some of the most extreme physical properties such as a wide bandgap, high breakdown field, high electron mobility, and high thermal conductivity, yet its practical use in harsh environments has been limited owing to its scarcity, expense, and small-sized substrate. In addition, the difficulty of n-type doping through ion implantation into diamond is an obstacle to the normally-off operation of transistors. $Ga_2O_3$ also has material properties such as a wide bandgap, high breakdown field, and high working temperature superior to that of silicon, gallium arsenide, gallium nitride, silicon carbide, and so on. In addition, $Ga_2O_3$ bulk crystal growth has developed dramatically. Although the bulk growth is still relatively immature, a 2-inch substrate can already be purchased, whereas 4- and 6-inch substrates are currently under development. Owing to the rapid development of $Ga_2O_3$ bulk and epitaxy growth, device results have quickly followed. We look briefly into diamond and $Ga_2O_3$ semiconductor devices and epitaxy results that can be applied to harsh environments.

• 전자통신동향분석
• /
• 제25권2호
• /
• pp.42-56
• /
• 2010

메타전자파구조(메타물질: MTM(Metamaterials)) 기술은 기존의 기술로는 불가능했던 주파수 독립적인 파장 위상 및 굴절률 제어가 가능한 신개념의 차세대 혁신 기술로서 정보통신기기, 전자제품 등의 초소형화, 고성능화 등의 실현이 가능하며 고성능/고효율의 전파통신 부품, 광통신 부품, 의료진단 영상장치, 보안 감시 시스템 등에 응용되어 유비쿼터스 사회의 산업 전반에 지대한 파급 효과를 미칠 것으로 보고 선진 각국에서는 차세대 핵심 원천 기술로서 개발을 경쟁적으로 추진하고 있다. 따라서 본 고에서는 이러한 기술적인 발전 추세에 맞추어 마이크로파 대역에서 MTM 설계 기술과 안테나 및 RF 부품의 성능 개선을 위한 MTM 응용 기술에 대하여 살펴보고자 한다.

• 한국재료학회지
• /
• 제29권7호
• /
• pp.456-462
• /
• 2019

ZnO thin-films are grown on a p-Si(111) substrate by RF sputtering. The effects of growth temperature and $O_2$ mixture ratio on the ZnO films are investigated by scanning electron microscopy (SEM), X-ray diffraction (XRD), and room-temperature photoluminescence (PL) measurements. All the grown ZnO thin films show a strong preferred orientation along the c-axis, with an intense ultraviolet emission centered at 377 nm. However, when $O_2$ is mixed with the sputtering gas, the half width at half maximum (FWHM) of the XRD peak increases and the deep-level defect-related emission PL band becomes pronounced. In addition, an n-ZnO/p-Si heterojunction diode is fabricated by photolithographic processes and characterized using its current-voltage (I-V) characteristic curve and photoresponsivity. The fabricated n-ZnO/p-Si heterojunction diode exhibits typical rectifying I-V characteristics, with turn-on voltage of about 1.1 V and ideality factor of 1.7. The ratio of current density at ${\pm}3V$ of the reverse and forward bias voltage is about $5.8{\times}10^3$, which demonstrates the switching performance of the fabricated diode. The photoresponse of the diode under illumination of chopped with 40 Hz white light source shows fast response time and recovery time of 0.5 msec and 0.4 msec, respectively.

• 한국전자파학회지:전자파기술
• /
• 제13권2호
• /
• pp.60-70
• /
• 2002

최근 고성능/고집적 RF 소자 및 시스템들의 경박 단소화 추세에 따라 RF 무선 통신 분야에도 초소형미세 가공 기술인 MEMS 기술이 크게 주목받고 있다. 이에 본 고에서는 RF 부품 및 시스템을 MEMS 기술로서 실장하는 RF MEMS 패키지 기술에 대하여 간단히 살펴보았다. 우선, 실리콘 기반의 MEMS 패키지가 우수한 열 전달 특성과 저 손실의 고주파특성으로 인해 RF 시스템의 실장에 매우 적합함을 확인하였다. 또한, MEMS 기술을 이용함으로써 RF회로와 패키지 제작 공정이 동시에 이루어질 수 있도록 하는 일괄터리공정에 대하여 소개하였다.

• ETRI Journal
• /
• 제14권4호
• /
• pp.217-227
• /
• 1992

최근 이동통신 및 위성통신 등 마이크로웨이브를 이용하는 통신분야의 시장이 급속히 신장됨에 따라 RF(Radio Frequency) 부품의 산업적 중요성이 부각되고 있다. RF 부품은 크게 능동부품과 필터로 대표되는 수동부품으로 대별되는데, duplexer나 필터는 현재 대부분 마이크로웨이브 세라믹유전체를 사용 제조하고 있다. 본 연구에서는 이들 부품들에 사용가능한 세라믹유전체를 개발하기 위한 연구의 일환으로 BaO-$Sm_2$$O_3$-$TiO_2$계 세라믹의 마이크로웨이브 유전특성과 여기에$La_2\$$O_3$를 첨가한 계인 BaO-($Sm_1$$-_X$$La_X$$)_2$$O_3$-$TiO_2$ 세라믹유전체를 제조하여 마이크로웨이브 유전특성을 살펴보았다. RF 부품에 사용되는 세라믹유전체는 높은 유전율$\varepsilon_r$높은 품질계수 (Q) 및 안정된 온도특성 $\tau_f$ 등의 조건을 충족시켜야한다. 본 연구에서는 유전체의 $\varepsilon_r$ 및 Q의 측정에 디스크형 유전체공진기와 두개의 도체평행판을 사용한 Hakki-Coleman법을 사용하였으며, $\tau_f$는 fixture를 항온조에 넣어서 측정하였다. BaO-$Sm_2O_3-TiO_2$계의 경우 소결온도 $1350^{\circ}C$까지는 $\varepsilon_r$및 Q가 증가하나 그 이상의 소결온도에서는 감소한다. 그리고 $\tau_f$는 $-35_{ppm}/^{\circ}C$에서 소결온도에는 거의 의존하지 않았다. $La_2O_3$를 첨가한BaO-($Sm_1$$-_X$$La_X$$)_2$$O_3$-$TiO_2$ 세라믹의 마이크로웨이브 유전특성은 $La_2O_3$의 첨가량이 많을수록 $\tau_f$값이 음에서 양으로 이동함이 관찰되었으며, x=0.15에서 $\tau_f$가 0이 되어 마이크로웨이브 부품용 마이크로웨이브 세라믹유전체를 얻을 수 있음이 확인되었다.

• 한국경영과학회:학술대회논문집
• /
• 한국경영과학회/대한산업공학회 2005년도 춘계공동학술대회 발표논문
• /
• pp.914-921
• /
• 2005

신제품으로 개발 중인 초소형 CMOS RF 전압 제어발진기(VCO) IC 에 대한 공인된 시험 규격은 현재 개발되어 있지 않다. 또한 제조업체들은 고유의 시험방법을 보유하고 있을 것이나 공개하지 않고 있는 실정이다. 한편 일부 해외 제조업체에서 국제 규격인 IEC 또는 JEDEC 을 기준으로 시험방법을 제시하고 있지만, 이러한 시험규격들은 개별 부품을 솔더링하는 하이브리드 공정을 이용하여 제작된 VCO 를 대상으로 한 것이다. 그러므로 CMOS 반도체 공정을 이용한 IC 형으로 개발 중인 VCO 를 평가하기에는 적합하지 않다. 이에 본 연구에서는 신개발 부품인 CMOS RF VCO IC 에 대한 신뢰성 시험 및 평가 기준을 수립하고, 신뢰성 확보를 위한 신제품 개발 단계에서의 신뢰성 평가 프로세스를 개발하고자 한다.