The external feedback effect on the relative intensity noise (RIN) characteristics of blue InAlGaN laser diode has been analyzed taking into account the spontaneous emission noise and the injection current for the high frequency modulation. A Langevin diffusion model was exploited to characterize its relative intensity noise. The simulation parameters were quantitatively evaluated from the optical gain properties of the InAlGaN multiple quantum well active regions by using the multiband Hamiltonian for the strained wurtzite crystals. The extracted parameters were then applied to the rate equations taking into account the external feedback and the high frequency modulation current. The RIN characteristics were investigated to optimize the low frequency laser diode noise characteristics.
PSPICE circuit parameters of the blue laser diodes grown on wurtzite AlGaInN multiple quantum well structures were extracted directly from the three level rate equations. The relevant optical gain parameters were separately calculated from the self-consistent multiband Hamiltonian. The resulting equivalent circuit model for a blue laser diode was schematically presented, and its modulation characteristics, including the pulse response and the frequency response, have been demonstrated by using a conventional PSPICE.
An optimum parasitic inductance is observed for maximizing the modulation bandwidth of the multiple quantum well (MQW) electro-absorption optical modulator. For 1.1 pF device cpaacitance of the current MQW optical modulator, the optimum parasitic inductances for maximum bandwidth are calculated for different terminating resistors. In ase of 50.ohm. terminating resistor, the 3-dB modulation bandwidth can be increased 45% wider by using the optimum parasitic inductance than nothing parasitic inductance. This calculated optimum inductance can be practically implemented, since the parasitic inductance of bondwires can be accurately analyzed using the method of moments (MoM) and controlled by changing the length and shpae of bondwires.
방향족 치환반응을 모형과하여 유사분자 착물이 천이상태가 될수있음을 단수 Huckel법으로 증명하고 새로운 방향족 치환반응의 기구를 제안하였다. 아울러 이 유사분자 착물을 양자역학적 선동법을 이용하여 안정화 에너지식을 유도하고 많은 탄소화합물의 안정화 에너지식을 유도하고 많은 탄소화합물의 안정화 에너지를 구하였다. 이 안정화 에너지로 어떤 방향족 화합물이 유사분자 착물을 형성하는 위치와 그 화합물의 치환반응의 결합 시약이 방향족 화합물에 부가반응이 일어나는 반응에까지 널리 설명할 수 있는 이점이 있다.
I present a simple scheme for the treatment of gravitational interactions on galactic scales. In analogy with known mechanisms of quantum field theory, I assume ad hoc that gravitation is mediated by virtual exchange particles - gravitons - with very small but non-zero masses. The scheme predicts the asymptotic flattening of galactic rotation curves, the Tully-Fisher/Faber-Jackson relations, the mass discrepancy-acceleration relation of galaxies, and the surface brightness-acceleration relation of galaxies correctly; additional (dark) mass components are not required. The well-established empirical scaling laws of Modified Newtonian Dynamics follow naturally from the model. The scheme I present is not a consistent theory of gravitation; rather, it is a toy model providing a convenient scaling law that simplifies the description of gravity on galactic scales.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1297-1299
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2009
A series of $Eu^{2+}/Mn^{2+}$ co-activated $Ba_{1.98-x}Sr_xZnS_3$ red emission phosphors was synthesized using the polymerizable complex method. The excitation spectra of the materials contain two wide bands centered at 345nm and 445nm, implicating their possible use for white LED lighting applications. In addition, substitution of Sr for Ba by 20% (x=0.4) improved drastically the emission intensity as well as the internal quantum efficiency compared to those for Sr-free $Ba_2ZnS_3:Eu^{2+}/Mn^{2+}$ phosphor.
Park, Young-Il;Kim, Soo-Kang;Jaung, Jae-Yun;Park, Jong-Wook
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.493-496
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2009
We report the EL property of blue and blue-violet emitting materials with anthracene moiety as well as a new core structure containing indenopyrazine. Non-doped device using one of indenopyrazine core derivatives was found to exhibit excellent blue-violet color purity of (0.173, 0.063), and narrow emission band of 42nm FWHM. One of anthracene core derivatives with bulky side group also exhibits excellent color coordinates (0.156, 0.088) and an external quantum efficiency of 7.18%.
Mokerov, V.G.;Matveev, Yu.A.;Temnov, A.M.;Kitaev, M.A.
한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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한국전기전자재료학회 1998년도 춘계학술대회 논문집
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pp.457-460
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1998
Present paper is devoted to the brief analysis of the present state and the prospects for the future of technology of the high frequency devices and high speed integrated circuits based on the $A_{3}B_{5}$ semiconductor compounds, including the $A_{3}B_{5}$-heterostructures, in the republics of the former USSR. tunneling quantum well-structures were widely used.
The magnetoresistance (MR) and the magnetization reversal of a lateral spin-injection device based on a spin-polarized field effect transistor (spin FET) have been investigated. The device consists of a two-dimensional electron gas (2DEG) system in an InAs single quantum well (SQW) and two ferromagnetic $(Ni_{80}Fe_{20})$ contacts: all injector (source) and a detector (drain). Spin-polarized electrons are injected from the first contact and, after propagating through the InAs SQW are collected by the second contact. By engineering the shape of the permalloy contacts, we were able to observe distinct switching fields $(H_c)$ from the injector and the collector by using scanning Kerr microscopy and MR measurements. Magneto-optic Kerr effect (MOKE) hysteresis loops demonstrate that there is a range of magnetic field (20~60 Oe), at room temperature, over which the magnetization in one contact is aligned antiparallel to that in the other. The MOKE results are consistent with the variation of the magnetoresistance in the spin-injection device.
Choi, Ki-Beom;Kim, Jong-Young;Lee, Sung-Min;Lee, Kyu-Hyoung;Yoon, Dae Ho
한국세라믹학회지
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제54권3호
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pp.257-260
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2017
In this work, we present a facile one-pot synthesis of a multilayer-structured platy alumina/few-layer graphene nanocomposite by planetary milling and hot pressing. The sintered composites have electrical conductivity exhibiting percolation behavior (threshold ~ 0.75 vol.%), which is much lower than graphene oxide/ceramic composites (> 3.0 vol.%). The conductivity data are well-described by the percolation theory, and the fitted exponent values are estimated to be 1.65 and 0.93 for t and q, respectively. The t and q values show conduction mechanisms intermediate between 2D- and 3D, which originates from quantum tunneling between nearest neighbored graphenes.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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