• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 디스플레이 광소자분야
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• pp.189-192
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• 2003

V-grooved inner stripe (VIS)형 양자선 레이저의 전류 주입 효율을 높이기 위하여 세가지 서로 다른 전류 차단층 구조, n-blocking on p-substrate (VIPS), p-n-p-n blocking on n-substrate ($VI(PN)_{n}S$), p-blocking on n-substrate (VINS)를 설계, 제작하였다. 그 중 VIPS 구조는 다른 두 구조에 비하여 약 5mW/facet 정도의 높은 광출력을 보였으며, 중심파장 818 nm, 문턱전류 39.9 mA, 외부양자효과 24%/facet, 특성온도 92K의 특성을 보였다. 또한 전류 및 온도 변화에 따른 파장변화를 각각 0.031 nm/mA와 $0.14nm/^{\circ}C$로 관찰되었다.

• KIEE International Transactions on Electrophysics and Applications
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• 제5C권1호
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• pp.39-43
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• 2005

We proposed a structure for a 1.55 ㎛ strained separate confinement heterostructure (SCH) multi- quantum well (MQW) superluminescent diode (SLD), having a tapered active region. SLD was fabricated through a two-step procedure: the first step being metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) and the second-step being liquid phase epitaxy (LPE). We used a 15 laterally tilted stripe and window region to suppress the lasing action of the SLD. The performance of the SLD showed output power of 11 mW with no lasing under 200 mA pulse driving. The full-width at half-maximum was 42 nm at 200 mA, 25℃.

• Progress in Superconductivity
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• 제9권2호
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• pp.136-139
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• 2008

InAs semiconductor nanowires can provide a promising platform to integrate superconducting quantum circuit, which exploits tunable supercurrent under the operation of gate voltage. We report temperature and magnetic field dependence of the nanowire superconducting junctions, which is in agreement with the proximity-effect theory of superconductor-normal metal-superconductor weak link. Superconducting coherence length of the InAs nanowire is estimated from the fit and magnetic-field dependence of the critical current and the subgap structure of dI/dV is discussed as well.

• Journal of Korean Vacuum Science & Technology
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• 제4권2호
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• pp.44-46
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• 2000

Near-field photocurrent experiments were performed for GaAs/AIGaAs MQWs at room temperature. Heavy hole and light hole related peaks are clearly resolved even under extremely low power of near-field excitation. By scanning laterally 2 $\mu\textrm{m}$${\times}$2 $\mu\textrm{m}$ area on the surface, minority carrier diffusion process in the well region was qualitatively studied.

• 한국진공학회지
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• 제1권1호
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• pp.60-66
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• 1992

초격자와 다양자우물이 가질 수 있는 모든 구조에 대한 subband와 입자의 envelope 파동함수를 계산할 수 있는 방법을 제시하고 단순조성 초격자와 $\delta$-dopping 초격 자에 적용한 결과를 다른 방법의 계산결과와 비교하여 그 타당성을 검토하였다. 나아가서 기존의 방법에서 요구되었던 일정한 유효질량의 가정없이 graded gap 초격자에 적용하여 입자의 유효질량의 연속변화에 따른 subband 에너지와 파동함수를 계산하였다.

• Applied Microscopy
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• 제27권3호
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• pp.257-263
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• 1997

Microstructural characterizations of II-VI blue laser diodes which consist of quaternary $Zn_{1-x}Mg_xS_ySe_{l-y}$ cladding layer, ternary $ZnS_ySe_{l-y}$ guiding layer and $Zn_{0.8}Cd_{0.2}Se$ quantum well as active layer were carried out using the transmission electron microscope working at 300 kV. Even though the entire structure is pseudomorphic to GaAs substrate, the structure had contained numerous extended stacking faults and dislocations which had created at ZnSe/GaAs interfaces and then further grown to the top of the epilayers. These faults might be expected to cause the degradation and shortening the lifetime of laser devices.

• 한국광학회지
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• 제3권4호
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• pp.252-257
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• 1992

본 연구에서는 수직형 LPE 장치를 이용하여 InGaAsP/InP MQW-DH웨이퍼를 성장하고 10$\mu$m stripe MQW-LD를 제작하였다. 공진기 길이 470$\mu$m LD의 경우 이득스펙트럼 중심파장은 1.32$\mu$m였다. 발전파장은 1.302$\mu$m로써 양자우물두께 300$\AA$의 이득중심에 해당한다는 사실을 알 수 있었다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.127-130
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• 2006

사파이어 기판위에 MOCVD (metal organic chemical vapor deposition)를 이용하여 8주기의 InGaN/GaN 다중양자우물(multiple quantum well : MQW)구조가 성장되어졌고 이 구조 위에 p-GaN층이 형성됐다. 다시 p-GaN 위에 200nm의 두께를 갖는 PMMU 박막을 도포하고 electron beam lithography system을 이용하여 직경이 150nm가 되도록 나노단위의 삼각격자 구조를 가진 구멍을 패턴하고 inductively coupled plasma(ICP)를 이용하여 식각을 하여 광결정을 제작하였다. 광결정은 두께가 26nm이고 격자간격은 460nm로서 파장이 450nm인 파란빛을 나노회절 시켜서 photoluminescence(PL)의 세기를 강화시킨다.

• Journal of the Optical Society of Korea
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• 제16권2호
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• pp.157-161
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• 2012

This work reports the stability of the resonant characteristics in multimode interferometer coupled square ring semiconductor cavities. Based on the analysis of single square ring cavities, the single mode operations in the multimode interferometer coupled ring cavities are analyzed and the devices are demonstrated on the semiconductor multiple quantum well epitaxial structure. By varying the lasing conditions such as substrate temperature and input pump power, single resonant mode operations are also observed.

• 한국광학회:학술대회논문집
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• 한국광학회 2001년도 제12회 정기총회 및 01년도 동계학술발표회
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• pp.204-205
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• 2001

광굴절 매질은 높은 감도와 실시간 정보의 재기록 특성 때문에 동적 홀로그램과 그밖에 다른 광 신호 처리 소자로써 널리 연구되어지고 있다. 동적 홀로그램 매질에는 다중 양자 우물 구조(multiple quantum well structures), 네마틱 액정(nematic liquid crystals), 광굴절 결정(photorefractive crystal)과 폴리머 등의 다양한 종류의 형태가 있다. 특히 광굴절 고분자(photorefractive polymer)는 다양한 종류와 크기로 제작이 가능하며, 빠른 처리속도, 높은 이득계수(gain coefficient) 등으로 인하여 기존의 무기물 광굴절 결정(inorganic photorefractive crystal)을 대체할 수 있는 장점을 가지고 있다. (중략)