• Journal of Ginseng Research
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• 제17권3호
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• pp.187-195
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• 1993

We have examined the functional role of central dopaminergic processes on the behavioral pharmacological effects induced by psychotropics and red ginseng saponins of normal rats and compared with that of brain damaged rats. Desipramine and clomipramine produced, a significant depression of the locomotor activity in normal rats, but in brain damaged rats, they did not have any effect throughout the experimental period of 4 hours. Total saponin (50~200 mg/kg), PT (25~50 mg/kg), PD (25~50 mg/kg), $Rg_1$(12.5~25 mg/kg), $Rb_1$ (12.5~50 mg/kg) did not change, and high concentrations of PT (100 mg/kg), PD (100 mg/kg) and $Rg_1$ (50 mg/kg) showed a significant decrease in the locomotor activity of one hour after administration but total saponin (100 mg/kg), PD (25~50 mg/kg), Rgl (12.5 mg/kg), $Rb_1$ (12.5 mg/kg) markedly increased the locomotor activity of four hour after administration in normal rats. On the other hand, total saponin (50 mg/kg), PT (100 mg/kg) and PD (100 mg/kg) Produced a prominent stimulation of the locomotor activity in brain damaged rats. These results suggest that the inhibition of the locomotor activity induced by antidepressants was not affected by the sensitivity of cerebral DA system, whereas red ginseng saponin showed antifatigue effect and also the stimulation of the locomotor activity induced by red ginseng saponin was mediated by the inhibition of cerebral DA system. These psychotropic action of red ginseng saponins could be responsible for the beneficial effects on conditions of fatigue and decreased alertness.

• 대한방사선치료학회지
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• 제18권2호
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• pp.113-117
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• 2006

목 적: 유방암으로 진단 받고 변형 근치적 유방절제술(Modified Radical Mastectomy)후 흉벽에 방사선치료를 시행 받고 있는 환자를 대상으로 볼루스(Bolus) 적용에 따른 흉벽(흉터, 수술봉합부위)의 피부선량 변화를 분석 하여 적절한 볼루스 적용횟수를 얻고자 한다. 대상 및 방법: 유방암으로 진단받고 변형 근치적 유방절제술 후 방사선치료를 받고 있는 4명의 여성 환자(우측 2명 좌측 2명)를 대상으로 하였다. 흉벽 방사선조사는 4 MV광자선으로 매일 2 Gy씩 주 5회, 접선조사로 치료하였고, 총 조사선량은 50 Gy였는데 동측 내유방림프절은 포함하지 않았다. 치료 계획을 위한 전산화단층촬영에서 흉터 부위의 위치 확인을 위해 방사선비투과성물질인 Angio-catheter를 흉터 위에 위치시켰다. 획득한 영상을 이용하여 치료계획을 세웠고, 전산화치료계획장치에서 흉터부위 좌우 2 cm 영역을 포함하는 두께 0.5 cm, 넓이 6 cm의 볼루스를 적용시켰다. 계획한 내용을 바탕으로 볼루스를 적용하지 않은 경우와 볼루스를 적용한 경우에 대하여 선량분포 변화와 피부선량을 비교 분석하였고 열형광선량계 (Thermoluminescent dosimetry: TLD, Harshaw, USA)를 이용하여 관심 부위(흉터 부위 3 지점, 흉터 좌측 1 cm 3지점, 흉터 우측 1 cm 3지점) 9개 지점의 선량을 실측하였다. 결 과: 전산화치료계획장치에서 얻어진 선량분포를 통해 분석한 결과, 볼루스를 적용하지 않은 경우와 볼루스를 적용한 경우 모두에서 흉벽 부위에 $95{\sim}100%$ 선량이 감싸고 있었으나, 흉터 주위 피부선량에 있어서는 볼루스를 적용하지 않은 경우($50{\sim}75%$)와 볼루스를 적용한 경우($100{\sim}105%$)가 큰 차이를 보였다. 선량분포를 통한 관심지점의 피부선량은 볼루스를 적용하지 않은 경우에 비해 볼루스를 적용한 경우에서 환자 1번 23.3%, 환자 2번 35.6%, 환자 3번 34.9%, 환자 4번 41.7%의 선량 증가를 보였다. 볼루스를 적용하지 않은 경우와 볼루스를 적용한 경우의 TLD 평균 측정치는 환자 1번 161.1 cGy 209.3 cGy 환자 2번 150.2 cGy, 200 cGy, 환자 3번 150.5 cGy, 211.4 cGy, 환자 4번 155.5 cGy 198.6 cGy의 결과를 얻었다. 결 론: 본 원에서 변형 근치적 유방절제술 후 흉벽 방사선치료의 가장 적절한 볼루스 적용 횟수는 전 치료횟수의 $50{\sim}60%$ 적용이다.

• 한국세라믹학회지
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• 제38권1호
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• pp.100-105
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• 2001

An all solid-state thin film battery (TFB) was fabricated by growing, undoped and Pt-doped vanadium oxide cathode film ( $V_2$ $O_{5}$ ) on I $n_2$ $O_3$: Sn coated glass, respectively. Room temperature charge-discharge measurements based on Li/Lipon/ $V_2$ $O_{5}$ full-cell structure with a constant current clearly shows that the Pt-doped $V_2$ $O_{5}$ cathode film is superior, in terms of cyclibility. X-ray diffraction (XRD) results indicate that the Pt doping process induces a more random amorphous structure than an undoped $V_2$ $O_{5}$ film. In addition to its modified structure, the Pt-doped $V_2$ $O_{5}$ film has a smoother surface than the undoped sample. Compared to an undoped $V_2$ $O_{5}$ film, the Pt doped $V_2$ $O_{5}$ cathode film has a higher electron conductivity. We hypothesize that the addition of Pt alters electrochemical performance in a manner of making more random amorphous structure and gives an excess electron by replacing the $V^{+5}$. Possible mechanisms are discussed for the observed Pt doping effect on structural and electrochemical properties of vanadium oxide cathode films, which are grown on I $n_2$ $O_3$: Sn coated glass.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제1권3호
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• pp.14-17
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• 2000

Giga bit dynamic random access memory(DRAM) requires the capacitor of high dielectric films. Some metal oxides films have been proposed as the dielectric material . And Pt is one of the most promising electrode materials. However very little has been done in developing the etching technologoy Pt film. Therefore, it is the first priority to develop the technology for plasma etching of Pt film. In this study, the dry etching of Pt film was investigated in Inductively Coupled Plasma(ICP) etching system with Cl$_2$/Ar and HBr/Cl$_2$/Ar gas mixing. X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was used in analysis of sidewall residues for the understanding of etching mechanism. We found the etch residues on the pattern sidewall is mainly Pt-Pt, Pt-Cl and Pt-Br compounds, Etch profile was observed by Scanning Electron Spectroscopy(SEM) . The etch rate of Pt film at 10%, Cl$_2$/90% Ar gas mixing ration was higher than at 100%. Ar. Addition of HBr to Cl$_2$/Ar as an etching gas led to generally higher selectivity to SiO$_2$. And the etch residues were reduced at 5% HBr/5% Cl$_2$/90% Ar gas mixing ration. These pages provide you with an examples of the layout and style which we wish you to adopt during the preparation of your paper, Make the width of abstract to be 14cm.

• Nutrition Research and Practice
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• 제16권2호
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• pp.173-193
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• 2022

BACKGROUND/OBJECTIVES: Alzheimer's disease (AD) is one of the most representative neurodegenerative disease mainly caused by the excessive production of amyloid beta (Aβ). Several studies on the antioxidant activity and protective effects of Populus tomentiglandulosa (PT) against cerebral ischemia-induced neuronal damage have been reported. Based on this background, the present study investigated the protective effects of PT against cognitive impairment in AD. MATERIALS/METHODS: We orally administered PT (50 and 100 mg/kg/day) for 14 days in an Aβ_25-35-induced mouse model and conducted behavioral experiments to test cognitive ability. In addition, we evaluated the levels of aspartate aminotransferase (AST) and alanine aminotransferase (ALT) in serum and measured the production of lipid peroxide, nitric oxide (NO), and reactive oxygen species (ROS) in tissues. RESULTS: PT treatment improved the space perceptive ability in the T-maze test, object cognitive ability in the novel object recognition test, and spatial learning/long-term memory in the Morris water-maze test. Moreover, the levels of AST and ALT were not significantly different among the groups, indicating that PT did not show liver toxicity. Furthermore, administration of PT significantly inhibited the production of lipid peroxide, NO, and ROS in the brain, liver, and kidney, suggesting that PT protected against oxidative stress. CONCLUSIONS: Our study demonstrated that administration of PT improved Aβ_25-35-induced cognitive impairment by regulating oxidative stress. Therefore, we propose that PT could be used as a natural agent for AD improvement.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권1호
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• pp.21-26
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• 2005

The field effect transistors (FETs) were fabricated ell $Y_2O_3/Si(100)$ substrates by the conventional memory processes and sol-gel process using $(Bi,La)Ti_3O_{12}(BLT)$ ferroelectric gate materials. The remnant polarization ($2Pr = Pr^+-Pr^-$) int Pt/BLT/Pt/Si capacitors increased from $22 {\mu}C/cm^2$ to $30{\mu}C/ cm^2$ at 5V as the annealing temperature increased from $700^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. There was no drastic degradation in the polarization values after applying the retention read pulse for $10^{5.5}$ seconds. The capacitance-voltage data of $Pt/BLT/Y_2O_3/Si$ capacitors at 5V input voltage showed that the memory window voltage decreased from 1.4V to 0.6V as the annealing temperature increased from $700^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. The leakage current of the $Pt/BLT/Y_2O_3/Si$ capacitors annealed at $750^{\circ}C$ was about $510^{-8}A/cm^2$ at 5V. From the drain currents versus gate voltages ($V_G$) for $Pt/BLT/Y_2O_3/Si(100)$ FET devices, the memory window voltages increased from 0.3V to 0.8V with increasing tile $V_G$ from 3V to 5V.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1998년도 제14회 학술발표회 논문개요집
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• pp.80-80
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• 1998

RU02 박막은 전이금속으로서 rutile 구조이며, 넓은 온도 영역에서 금속성의 를 나타내고, 700도 이상의 높은 온도에서 열적 안정성을 갖는 물질이다 이러한 특성 때문 에 RU02 박막은 실리콘 디바이스에서 배선 게이트 전극 확산 장벽 등에 응용가능성이 높 은 물질로 각광을 받고 있다- 특히 다결정 RU02 박막은 DRAM (dynamic random access m memory) 내의 강유전성 축전기의 전극으로서 유망한 물질이다. 지금까지 이러한 응용분야에 사용된 전극물질은 pt 금속이었다 그러나 이러한 금속전극은 SI 산소 그리고 강유전체의 구성물질 등과의 상호확산, pt 표면의 hillock의 존재로 생기는 전기적 단락, 기판과의 나쁜 점작성, 어려운 에칭 프로세스 등의 단점을 가지고 있다 더욱 더 심각한 문제는 P Pt'ferroelectric/Pt 구조에서 나타나는 aging과 fatigue인데, 이는 108 사이쿨 이후에 스위칭 가 능한 잔류 pOlarization 으$\mid$ 감소를 유발하게 된다- 최근 Berstein은 Pt 대신에 RU02를 사용함으로써 강유전체 축전기에서의 fatigue 현상을 크게 감소시켰다고 보고 한 바 있다 Burst川도 RU02 가 실리콘 표면과 유전체 물질 사이에 전기전도 어떠한 상호 확산도 일어나지 않음을 보였다. 그러나 이러한 연구 결과에도 증착조건과 RU02 박악의 특성에 관한 상호 관계가 충분히 더욱 더 중은 강유전성 박막올 만들기 위해서는 이러한 박막 전극에 않고 있다 연구되지 대한 상세한 연구가 반드시 필요하다고 본다. RU02 박막은 실리콘 기판 위에 고주파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 증착하였다. 사용 한 타켓은 2 인치의 직경을 가지는 CERAC 사에서 제작한 Ruol다 초기 진공은 1O~6 Torr 이하였고, 고주파 전력은 20 - 80W 까지 변화시켰다 반응성 스퍼터링율 하기 위해 아르곤과 산소롤 주입하였고, 산소/(산소+아르곤)의 비를 변화시켰다 기판의 온도와 증착압력은 각각 상온에 서 500도까지 , 5mTorr에 서 100mTorr 까지 변 화시 켰 다 RU02 박막의 결정성을 조사하기 위해 XRD 표면 형상과 단면을 조사하기 위해 SEM을 사용하였다‘ 박악의 비저항을 조사하기 위해 4-단자법 van der Pauw 방법을 사용하였다. RU02 박막은 증착압력이 높을수록 비저항은 높아지고, 두께는 감소하였다. 특히 1 100mTorr에서는 작업가스와 스퍼터된 입자사이의 심각한 산란 때문에 아예 증착이 이루어 지지 않았다‘ RF 전력이 증가할수록 비저항이 낮아졌다. 이는 두께에 의존하는 결과이며 전형적인 금속박막에서 나타나는 현상과 유사함을 알 수 있었다- 기판온도와 작업가스의 산소 분압이 높을수록 비저항이 감소하였다‘ 이러한 사실은 성장한 박악의 결정구조와 밀접한 관련이 있음을 보여준다.

• 대한화학회지
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• 제39권1호
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• pp.35-39
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• 1995

백금과 로듐 모두 미량으로 존재할 때 펄스 차이 폴라로그래피법으로 동시 정량할 수 있는 용액조건을 확립하였다. 포름알데히드 0.004%(w/v)-히드라진 0.0012$(w/v)-황산 0.75 M의 조건에서 가장 예민한 수소 촉매파를 얻을 수 있었다. 이 조건에서 단일 금속의 검출 한계는 $7.3{\times}10^{-11}\; M\; Pt$ 그리고 $3.2{\times}10^{-11}\; M\; Rh$이었다. 이 농도범위에서 로듐(10배 이상)과 이리듐(100배 이상)만이 백금을 방해하였다. 로듐은 어떠한 여타 백금족 원소(1000배 이상의 백금, 500배의 이리듐 존재하에서도)의 방해도 받지 않았다.

• 공업화학
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• 제7권5호
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• pp.861-868
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• 1996

n-butene의 i-butene으로의 골격 이성질화 반응은 발열반응으로서 열역학적으로 저온($100^{\circ}C{\sim}150^{\circ}C$)에서 최고수율을 나타내며 반응 mechanism은 carbonium ion의 형성과 methyl기의 골격치환에 따른 2step으로 규정된다. 산처리되어 강산점을 가지는 zeolite, alumina와 비교하여, $Pt/MoO_3/SiO_2$ 촉매 사용시 $110^{\circ}C$ 등온 환원반응 실험으로 설명되는 Proton의 증가된 표면 이동 속도는 골격 이성질화 반응시 carbonium ion의 형성을 빠르게 촉진시킬 수 있으며, 이에 따라 $110^{\circ}C$에서 1-butene의 수율은 최대치로 나타나며 부산물은 생성되지 않는다. $110^{\circ}C$에서의 등온 환원반응에서 $Pt/MoO_3/SiO_2$가 $Pt/MoO_3/Al_2O_3$보다 높은 proton spillover 속도를 보이지만 약 90분 경과한 $MoO_3$ 표면의 proton 포화상태에서는 i-butene의 반응수율이 같고, $MoO_3$가 없는 zeolite, $Pt/SiO_2$보다 높은 전환율을 보이므로 proton spillover에 의한 carbonium ion의 생성이 반응속도를 조절하는 것으로 나타난다. $Pt/MoO_3/SiO_2$에서 산점의 증가, Pt 및 $MoO_3$ 함량의 증감은 i-butene 수율에 영향을 미치지 않으며, 이는 proton spillover에 의한 Pt 표면위의 carbonium ion의 형성이 속도 결정 단계이기 때문인 것으로 사료된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1993년도 제4회 학술발표회 논문개요집
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• pp.106-107
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• 1993