In this study, the fabrication and electrical properties of aligned single-walled carbon nanotube (SWCNT) networks using a template-based fluidic assembly process are presented. This complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS)-friendly process allows the formation of highly aligned lateral nanotube networks on $SiO_2/Si$ substrates, which can be easily integrated onto existing Si-based structures. To measure outstanding electrical properties of organized SWCNT devices, interfacial contact resistance between organized SWCNT devices and Ti/Au electrodes needs to be improved since conventional lithographic cleaning procedures are insufficient for the complete removal of lithographic residues in SWCNT network devices. Using optimized purification steps and controlled developing time, the interfacial contact resistance between SWCNTs and contact electrodes of Ti/Au is reached below 2% of the overall resistance in two-probe SWCNT platform. This structure can withstand current densities ${\sim}10^7A{\cdot}cm^{-2}$, equivalent to copper at similar dimensions. Also failure current density improves with decreasing network width.
The switching-mode power converter has been widely used because of its features of high efficiency and small weight and size. In the switching-mode power converter, the output voltage is generally controlled by varying the duty ratio of main switch. When a converter operates in steady state, duty ratio of the converter is kept constant. So the power of switching noise is concentrated in specific frequencies. The more white noise is injected, the more conducted EMI is reduced. But output-voltage is not sufficiently regulated. This is the reason why carrier frequency selection topology is proposed. In the case of carrier frequency selection, output-voltage of steady state and transient state is fully regulated. Spectrum analysis is performed on the Phase current and the CM noise voltage. The former is measured with Current Probe and the latter is achieved with LISN, which are connected to the spectrum analyzer respectively.
The switching dead time avoiding a bridge leg short circuit in PWM voltage source inverter produces distortions of the controlling inverter output performance such as current waveform, voltage vector, and torque. In this paper, the influence of dead time is investigated. The on-line space voltage vector modulation method is used for current controller. It is possible to compensate dead time by space voltage vector modulation which generates additional pulse compensating voltage distortion caused by dead time. In addition, narrow pulse which is generally neglected can be compensated. All the algorithms, including field-oriented control are performed by one chip microprocessor 80C196MC and DSP TMS320C31. Experimental results probe that the proposed scheme provides a good inverter output performance.
Through the test of ESD(Electro Static Discharge) for PCB circuit, we are able to research on the ESD effect. This paper also studys on the ESD test method for measurement. In the measurement of the discharge current, we used current probe(TC-1). The applied voltage to the PCB metal is -3 kV HBM mode. In conclusion ESD influences exponentially greater impact in nearer PCB circuit.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers
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v.41
no.5
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pp.492-501
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1992
In this paper, an ion analyzer is used in conjunction with a Langmuir probe to study the chracteristics of ECR plasma such as the ion temperature, ion current density and electron temperature as the operating pressure, ${\mu}$-wave power and axial position change, Silicon etching has been performed with RF-biasing and its etching chracteristics have been discussed in terms of the ion energy distribution function. The maximum value of ion current density appears in the range of 10S0-3T mbar and the broadening of ion energy distribution function increases as pressure increases. Therefore, as pressure decreases, anisotropy increases but selectivity to photoresist decreases.
The switching-mode power converter has been widely used because of its features of high efficiency and small weight and size. These features are brought by the ON-OFF operation of semiconductor switching devices. However, this switching operation causes the surge and EMI(Electromagnetic Interference) which deteriorate the reliability of the converter themselves and entire electronic systems. This problem on the surge and noise is one of the most serious difficulties in AC-to-DC converter. In the case of carrier frequency selection, output-voltage of steady state and transient state is fully regulated. A RPWM control method was proposed in order to smooth the switching noise spectrum and reduce it's level. Experimental results are verified by converter operating at 300V/1kW with 5%${\sim}$30% white noise input. Spectrum analysis is performed on the Phase current and the CM noise voltage. The former is measured with Current Probe and the latter is achieved with USN. which are connected to the spectrum analyzer respectively.
This paper proposes a reduced-scale simulator that can replace numerical analytic methods for the estimation of potential distribution caused by ground faults in various grounding systems. The simulator consists of a hemispherical electrolytic tank, a three-dimensional potential probe, a grounding electrode, and a data acquisition module. The potential distribution is measured using a potentiometer with a position-tracing function when a test current flows to the grounding electrode. Using the simulator, we could clearly analyze the potential distribution for a reduced- scale model by one-eightieth of the buried depth and length of the grounding rod and grounding grid. Once both the shape of the grounding electrode and the fault current are known, the actual potential distribution can be estimated.
반사형 펄스와전류(Pulsed Eddy Current; PEC) 탐상을 위한 여러 가지 탐촉자를 설계하고, 수치해석 방법을 사용하여 신호특성과 두께변화에 대한 만감도를 조사하였다. 구리와 페라이트를 차폐체로 사용한 결과, 구리로 차폐한 여자코일이 페라이트로 차폐한 센서코일보다 안쪽에 있는 것이 두께변화에 더 민감하였고, 페라이트만으로 차폐한 경우에도 여자코일이 안쪽에 있는 것이 더 민감하다는 것을 알 수 있었다. 한편, 두께가 두꺼워지면 펄스신호의 피크치는 감소하며 피크 발생시간이 변화하는 것을 관찰할 수 있었다.
와전류탐상(ECT) Transmit-Receive 프로브를 이용한 ECT 방법은 센서코일의 유도기전력의 변화를 관찰하여 피검사체의 결함이나 특성의 변화를 탐지해내는 방법이다. ECT T/R 프로브는 여러 개의 Pancake 코일로 구성되어있고, 각각의 코일은 Transmit 코일과 Receive 코일로 나뉜다. 본 논문은 실제 TH 프로브 제작에 앞서 동일한 특성을 갖는 와전류센서를 설계 및 제작하여 그 특성을 파악하였다. 와전류센서에 인가되는 시험주파수와 Lift-off의 변화에 대한 특성을 파악하고 와전류센서의 임피던스값을 산출하여 정규화 임피던스도를 그려 와전류센서의 특성을 살펴보았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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