• 제목/요약/키워드: Pre-Distortionl

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V-대역을 위한 완전 집적된 CMOS 이단 전력증폭기 집적회로 설계 (Design of Two-Stage Fully-Integrated CMOS Power Amplifier for V-Band Applications)

  • 김현준;조수호;오성재;임원섭;김지훈;양영구
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제27권12호
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    • pp.1069-1074
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    • 2016
  • 본 논문에서는 TSMC 65 nm CMOS 공정를 이용하여 V-대역 이단 전력증폭기를 설계 및 제작하였다. 수동소자를 사용한 간단한 구조의 정합회로를 구성하였고, 입력과 출력 정합회로를 모두 집적하였다. Pre-distortion 기법을 통해 전력 이득을 보상해 줌으로써 전력증폭기의 선형성을 향상시켰다. 제작된 전력증폭기는 58.8 GHz의 동작 주파수와 1 V의 동작 전압에서 10.4 dB의 전력 이득, 9.7 dBm의 출력 전력 및 20.8 %의 효율 특성을 나타내었다.