Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers A
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v.27
no.9
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pp.1571-1578
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2003
This paper proposes a robust method for the Ramberg-Osgood(R-O)fit to accurately estimate elastic-plastic J from engineering fracture mechanics analysis based on deformation plasticity. The proposal is based on engineering stress-strain data to determine the R-O parameters, instead of true stress-strain data. Moreover, for practical applications, the method is given not only for the case when full stress-strain data are available but also for the case when only yield and tensile strengths are available. Reliability of the proposed method for the R-O fit is validated against detailed 3-D Finite Element (FE) analyses for circumferential through-wall cracked pipes under global bending using five different materials, three stainless steels and two ferritic steels. Taking the FE J results based on incremental plasticity using actual stress-strain data as reference, the FE J results based on deformation plasticity using various R-O fits are compared with reference J values. Comparisons show that the proposed R-O fit provides more accurate J values for all cases, compared to existing methods for the R-O fit. Advantages of the proposed R-O fit in practical applications are discussed, together with its accuracy.
The man-machine interface Is an important factor in the computer system, and it is thought that line-of-sight (LOS) detection technology will allow significant advances in this field. Techniques for detecting LOS for use in human interfaces have been studied[1][2]. In earlier studies, however, LOS was detected with a head piece, goggles, or through fixing the position of the head. The limitations imposed by these fixed conditions render them unsuitable far use in interfaces, as they have adverse mental or physical effects on humans. Therefore. they have not been sufficiently developed for practical application. Research on non-contact LOS detection is expected to result in a usable LOS man-machine interface[3][4], and the current study is intended to be a step in that direction. The authors used color contact lenses for LOS detection, and applied this new method to a computer interface. The use of color contact lenses simplifies image processing. The algorithm used in this study is sufficiently accurate for practical applications. This technique can be used in input devices, in virtual reality applications, and in human engineering research.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.22
no.6
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pp.28-33
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1985
ISFETS for physiological applications have been developed using the techniques for integrated circuit fabrication. The silicon nitride layer was used as a H+ sensing membrane. However, K+, Na+ and Ca++ sensing ISFETS were fabricated by forming tach specification sensing membranes over the silicon nitride gate insulator. The sensitivities of the fabricated devices were very good. The typical values of measured sentivities were iEmV/pH, 42mv1, pH,5 gmV/pNa and 28mv1p0a. However, the selectivity and stability should be somewhat improved for practical physiological uses with good reliability. The response times were, less than one second, short enough for the practical uses in physiological applications.
This paper proposes a novel test circuit for SiC transistors. On-state resistance under practical application conditions is an important characteristic for the device reliability and conduction efficiency of SiC transistors. In order to measure the on-state resistance in practical applications, high voltage is needed, and high current is also necessary to ignite performance for the devices. A soft-switching circuit based on synchronous buck topology is developed in this paper. To provide high-voltage and high-current stresses for the devices without additional spikes and oscillations, a resonant circuit has been introduced. Using the novel circuit technology, soft-switching can be successfully realized for all the switches. Furthermore, in order to achieve accurate measurement of on-state resistance under switching operations, an active clamp circuit is employed. Operation principle and design analysis of the circuit are discussed. The dynamic measurement method is illustrated in detail. Simulation and experiments were carried out to verify the feasibility of the circuit. A special test circuit has been developed and built. Experimental results confirm that the proposed circuit gives a good insight of the devices performance in real applications.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2004.07a
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pp.13-16
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2004
The reliability of 1.550m-wavelength InGaAs mesa waveguide photodiodes(WGPDs), which developed for 40-Gbps optical receiver applications, fabricated by metal organic chemical vapor deposition is investigated. Reliability is examined by both high-temperature storage tests and the accelerated life tests by monitoring dark current and breakdown voltage. The median device lifetime and the activation energy of the degradation mechanism are computed for WGPD test structures. From the accelerated life test results, the activation energy of the degradation mechanism and median lifetime of these devices in room temperature are extracted from the log-normal failure model by using average lifetime and the standard deviation of that lifetime in each test temperature. It is found that the WGPD structure yields devices with the median lifetime of much longer than $10^6$ h at practical use conditions. Consequently, this WGPD structure has sufficient characteristics for practical 40-Gbps optical receiver modules.
In this paper, the practical applications of the pseudolite are explained with the basic concept of the pseudolite. Many researches have been developed to improve the performance of the GPS. Most of those researches need the extra equipments. But without the extra equipments, the performance of GPS can be improved only with the change in the software in GPS system. In this paper, the pseudolite and the integrated navigation system including GPS as well as pseudolite only with navigation system for the demand of more precise navigation system are introduced. Also, the advantage of the pseudolite is confirmed by some simulations.
Although deep learning-based visual image recognition technology has evolved rapidly, most of the commonly used methods focus solely on recognition accuracy. However, the demand for low latency and low power consuming image recognition with an acceptable accuracy is rising for practical applications in edge devices. For example, most Internet of Things (IoT) devices have a low computing power requiring more pragmatic use of these technologies; in addition, drones or smartphones have limited battery capacity again requiring practical applications that take this into consideration. Furthermore, some people do not prefer that central servers process their private images, as is required by high performance serverbased recognition technologies. To address these demands, the object and scene recognition technologies for mobile/embedded devices that enable optimized neural networks to operate in mobile and embedded environments are gaining attention. In this report, we briefly summarize the recent trends and issues of object and scene recognition technologies for mobile and embedded devices.
Although monolayer black phosphorus (BP) and few-layer BP nanosheets (NSs) have been extensively studied as promising alternatives to graphene, research has focused primarily on atomically thin-layered BP in an isolated form. In order to realize the practical applications of BP-related devices, a BP film based on continuous networking of few-layer BP NSs should be developed. In this study, a transparent BP film with high quality was fabricated via a vacuum filtration method. An oxygen-free water solvent was used as an exfoliation medium to avoid significant oxidation of the few-layer BP NSs in liquid-phase exfoliation. The exfoliation efficiency from bulk BP to the few-layer BP NSs was estimated at 22%, which is highly efficient for the production of continuous BP film. The characteristics of the high-quality BP film were determined as 98% transparency, minimum oxidation of 18%, structural stability, and an appropriate bandgap of about 1.8 eV as a semiconductor layer. In order to demonstrate the potential of the BP film for photocatalytic activity, we performed photoelectrochemical water oxidation of the transparent BP film. Although its performance should be improved for practical applications, the BP film could function as a photoanode, which offers a new potential semiconductor in water oxidation. We believe that if the BP film is adequately engineered with other catalysts the photocatalytic activity of the BP film will be improved.
Yao, Dexiang;Park, Dong-Won;An, Syung-Og;Kim, Soo Kyun
KSII Transactions on Internet and Information Systems (TIIS)
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v.13
no.9
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pp.4606-4623
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2019
Nowadays modern cities develop in a very rapid speed. Buildings become larger than ever and the interior structures of the buildings are even more complex. This drives a high demand for precise and accurate indoor navigation systems. Although the existing commercially available 2D indoor navigation system can help users quickly find the best path to their destination, it does not intuitively guide users to their destination. In contrast, an indoor navigation system combined with augmented reality technology can efficiently guide the user to the destination in real time. Such practical applications still have various problems like position accuracy, position drift, and calculation delay, which causes errors in the navigation route and result in navigation failure. During the navigation process, the large computation load and frequent correction of the displayed paths can be a huge burden for the terminal device. Therefore, the navigation algorithm and navigation logic need to be improved in the practical applications. This paper proposes an improved navigation algorithm and navigation logic to solve the problems, creating a more accurate and effective augmented reality indoor navigation system.
Proceedings of the Korean Magnestics Society Conference
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2000.09a
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pp.337-345
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2000
The spontaneous Hall effect in amorphous Tb-Fe and Sm-Fe thin films, which possess excellent magnetic softness, is investigated in this work to seek a possibility of practical applications of these thin films as sensors. The resistivity of Tb-Fe thin films ranges from 180 to 250 Ωcm as the Tb content varies from 35 to 46 at. %. Tb-Fe thin films show negative Hall resistivity ranging from - 7.3 to - 5.0 Ωcm in the same composition range, giving the normalized resistivity ratio in the range of -4.1 to -2.0 %. On the other hand, the resistivity of Sm-Fe thin films ranges from 150 to 166 Ωcm as the Sm content varies from 22 to 31 at. %. Sm-Fe thin films show positive Hall resistivity which varies from 7.1 to 2.8 Ωcm in the same composition range, giving the normalized resistivity ratio in the range of 4.8 to 1.7 %. These values are significantly high compared with the values of other R-T alloys, Tb-Co alloys for example, where the highest reported value is 2.5 %. Between the two different sets of samples, Tb-Fe thin films with perpendicular anisotropy are considered to be more suitable for practical applications, since saturation is reached at a los magnetic field, approximately 2 kOe in a Tb$\sub$35.1/ Fe$\sub$64.9/ thin film, for example.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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