Low voltage operating $InGaZnO_4$ thin film transistors using high-k $MgO_{0.3}BST_{0.7}$ gate dielectric
(고유전 $MgO_{0.3}BST_{0.7}$ 게이트 절연막을 이용한 $InGaZnO_4$ 기반의 트랜지스터의 저전압 구동 특성 연구)
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- Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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- 2008.11a
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- pp.40-40
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- 2008