The explosive forming has been used for many year to expand tubes into tubesheets. this process has demonstrated ability to direct carefully the energy of an explosive to expand tubes into tubesheet holes without damaging the tubesheet and without causing the excessive cold work at the tube I.D. that is normally associated with mechanical expansion. The success of explosive tube expansion provided the background for the development of the explosive tube plug. The main results are as follows : (1) The optimum explosives and explosive qualities are PETN, RDX, HMS and about 18~31gr/ft of explosive plugging in nuclear steam generator. (2) Explosive plugging's thickness is 0.9~1.8mm. If groove of 0.4 mm formed in plug outside, For the hydraulic leakage is go up, explosive plugging of formed groove are applicate tube and tubrplate. (3) Sheath is designed on the polyethylene of low density, In thermal impact test of the $430^\circ{C}$, hydraulic leakage is $300kg/cm^2$. (4) About 10~60mm oxide inclusions are existed on the space of explosive plug and tube protect to the leakage.
titanate and a silicon carbide/zirconium diboride particulate composite have each been blended with thermoplastic of aqueous binders and extruded. The green extrudates have diameters ranging between 50 and 150 ㎛ and polyethylene-base 150 ${\mu}m$ diameter fibers can be drawn down at elevated temperature to approximately 40 ${\mu}m$ diameter. Hollow fibers with 150${\mu}m$ outer and 90 ${\mu}m$ inner diameter can also be fabricated. Green fibers have been processed into chopped fiber felts for use as gas distributors/current collectors in an experimental solid oxide fuel cell (SOFC) and the first attempts at producing simple textile structures have been successful. The fibers, tubes and felts have been successfully debound and sintered and characterization of the sintered PSZ fibers, for example, has revealed a density in excess of 99% and tensile failure stresses up to 1.0 GPa for 78 ${\mu}m$ diameter fibers.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.49
no.3
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pp.252-259
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2016
In order to form an aluminum-doped zinc oxide (AZO) transparent electrode film on a polyethylene terephthalate (PET) substrate used for a flexible display substrate, the AZO transparent electrode was produced at low temperature without substrate heating. Even though the produced electrode showed characteristic optical transmittance of 90 % (at 550 nm) and sheet resistance within $100{\Omega}/sq$, cracks occurred 10 minutes after loading applied 2 mm radius of curvature, and the sheet resistance increased linearly. An insertion layer of ZrCu was formed between the AZO film and the PET substrate to suppress the generation of cracks on the AZO film. It was verified that the crack was not generated 30 minutes after the loading of 2 mm radius of curvature, and no increase in sheet resistance was recorded. There was also not cracks in the dynamic bending test of 4 mm radius, but surface resistance was slightly increased. As a result, the ZrCu insertion film improved the interfacial adhesion between the substrate and AZO film layer without increasing sheet resistance and decreasing transmittance.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.22
no.10
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pp.837-843
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2009
$TiO_2$(2 wt.%)-doped ZnO(TZO) films with thickness from 100 nm to 500 nm were prepared on polyethylene naphthalate(PEN) substrate under various rf-power range from 40 W to 80 W. Their electrical and optical properties were investigated as a function of rf-power. We think that these properties were closely related with the crystallization and the film density of TZO films. It was also presumed that the vaporization of the water vapor and other adsorbed particles such as an organic solvents can affect the electrical properties of the conventional transparent conductive oxide(TCO) films. On the other hand, since the TZO film deposited on glass substrate at room temperature with rf-power of 80 W shows a very low resistivity of $7.5\times10^{-4}\;\Omega{\cdot}cm$ and a very excellent transmittance over an average 85% in the visible range, that is comparable to that of ITO films. Therefore, we expect that the TZO films can be used as transparent electrode for optoelectronic devices such as touch-panels, flat-panel displays, and thin-film solar cells.
Journal of Korea Technical Association of The Pulp and Paper Industry
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v.44
no.4
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pp.25-31
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2012
Ionic trash in furnish decreases retention and drainage performance of the microparticle retention system using recycled fibers in closed papermaking system. Two retention systems, such as the microparticle system and the PEO/cofactor system, were compared and analyzed to improve retention. The PEO/cofactor system achieved similar retention performance at low addition level as the microparticle system. Optimum ratio of PEO/cofactor dual polymer system was 1:10. Ash retention was increased when using the fixing agent. As the TMP ratio increased, the PEO/cofactor system was more efficient in retention and drainage than the other system. The high molecular weight and non-ionic polymer retention system had less effect on flocculation hindrance than the traditional electrostatic retention system.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.08a
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pp.206.2-206.2
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2013
무기물/유기물 나노복합체로 제작한 유기 쌍안정성 형태의 메모리 소자는 공정이 단순하고 뛰어난 유연성을 갖고 있기 때문에 플렉서블 메모리 소자에서 많은 연구가 진행되고 있다. 그러나 다양한 연구에도 불구하고 절연성 고분자 박막 내부에 분산 된 나노입자를 이용하여 제작한 저항성 구조의 비휘발성 메모리 소자의 전하수송 메커니즘에 대한 연구는 미흡하다. 본 연구에서는 CuInS2 (CIS)/ZnS 나노입자가 분산되어 있는 절연성 고분자 박막을 사용한 기억소자의 전하수송 메커니즘을 규명하였다. 본 연구는 indium-tin-oxide (ITO)가 코팅된 플렉서블 polyethylene terephthalate (PET) 기판을 화학물질로 세척한 후 CIS/ZnS 나노입자와 절연성 고분자인 poly(N-vinylcarbazole)가 혼합된 용액을 스핀코팅 방법으로 도포했다. 도포된 용액에 열처리를 하여 용매를 제거한 후, 형성된 박막을 저항 변화 층으로 사용하였다. 제작된 메모리 소자는 Al 상부 전극을 고 진공에서 열 증착 방식을 이용하여 PET/ITO/CIS-ZnS 나노입자가 분산된 절연성 고분자/Al 구조를 갖는 저항성 기억 소자를 제작하였다. 소자의 전류-전압 (I-V) 특성 결과는 같은 전압에서 전도도가 높은 상태 (ON)와 낮은 상태 (OFF)가 존재하는 걸을 관찰하였다. 실험을 통해 두 상태 변화를 일으키는 일정 전압을 가하기 전까지 각각의 ON 또는 OFF 상태를 계속 유지하여 비휘발성 메모리 소자로 활용할 수 있음을 확인 할 수 있었다. ON 또는 OFF 상태의 전기적 스트레스를 측정으로 ON과 OFF 상태가 안정성을 가지는 것을 관찰 하였다. I-V 특성 결과를 기초로 메모리 소자의 전하수송 메커니즘을 규명 하였다.
A variety of end-functionalized polymers were grafted spontaneously onto multi-walled carbon nano-tubes (MWNTs) using a solution mixing process. The end-functional groups of the polymers underwent noncovalent grafting to the defect sites at the surface of the purified MWNTs through zwitterionic interaction or hydrogen bonding. The physically grafted polymers including polystyrene (PS), poly(methyl methacrylate) (PMMA), polyethylene oxide (PEO), and polydimethylsiloxane (PDMS) provided sufficient compatibility with an organic solvent or polymer matrix, such that the nanotubes could be finely dispersed in various organic media. This approach is universally applicable to a broad range of polymer-solvent pairs, ensuring highly dispersed carbon nanotubes through simple solution mixing.
Characterizing the extensional rheological properties of non-Newtonian fluids is crucial in many industrial processes, such as inkjet printing, injection molding, and fiber engineering. However, educational institutions and research laboratories with budget constraints have limited access to an expensive commercial extensional rheometer. In this study, we developed a custom-made extensional rheometer using a CO2 laser cutting machine and 3D printer. Furthermore, we utilized a smartphone with a low-cost microscopic lens for achieving a high spatial resolution of images. The aqueous polyethylene-oxide (PEO) solutions and a Boger fluid were prepared to characterize their extensional properties. A transition from a visco-capillary to an elasto-capillary regime was observed clearly through the developed rheometer. The extensional relaxation time and viscosity of the aqueous PEO solutions with a zero-shear viscosity of over 300 mPa·s could be quantified in the elasto-capillary regime. The extensional properties of the solutions with relatively small zero shear viscosity could be calculated using a smartphone's slow-motion feature with increasing temporal resolution of the images.
NECP-SARAX is a neutronics analysis code system for advanced reactor developed by Nuclear Engineering Computational Physics Laboratory of Xi'an Jiaotong University. In past few years, improvements have been implemented in TULIP code which is the cross-section generation module of NECP-SARAX, including the treatment of resonance interface, considering the self-shielding effect in non-resonance energy range, hyperfine group method and nuclear library with thermal scattering law. Previous studies show that NECP-SARAX has high performance in both fast and thermal spectrum system analysis. The accuracy of TULIP code in fast and thermal spectrum system analysis is demonstrated preliminarily. However, a systematic verification and validation is still necessary. In order to validate the applicability of TULIP code for full energy range, 147 fast spectrum critical experiment benchmarks and 170 thermal spectrum critical experiment benchmarks were selected from ICSBEP and used for analysis. The keff bias between TULIP code and reference value is less than 300 pcm for all fast spectrum benchmarks. And that bias keeps within 200 pcm for thermal spectrum benchmarks with neutron-moderating materials such as polyethylene, beryllium oxide, etc. The numerical results indicate that TULIP code has good performance for the analysis of fast and thermal spectrum system.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.151-151
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2009
Recently, there has been increasing interest in amorphous oxide semiconductors to find alternative materials for an amorphous silicon or organic semiconductor layer as a channel in thin film transistors(TFTs) for transparent electronic devices owing to their high mobility and low photo-sensitivity. The fabriction of amorphous oxide-based TFTs at room temperature on plastic substrates is a key technology to realize transparent flexible electronics. Amorphous oxides allows for controllable conductivity, which permits it to be used both as a transparent semiconductor or conductor, and so to be used both as active and source/drain layers in TFTs. One of the materials that is being responsible for this revolution in the electronics is indium-zinc-tin oxide(IZTO). Since this is relatively new material, it is important to study the properties of room-temperature deposited IZTO thin films and exploration in a possible integration of the material in flexible TFT devices. In this research, we deposited IZTO thin films on polyethylene naphthalate substrate at room temperature by using magnetron sputtering system and investigated their properties. Furthermore, we revealed the fabrication and characteristics of top-gate-type transparent TFTs with IZTO layers, seen in Fig. 1. The experimental results show that by varying the oxygen flow rate during deposition, it can be prepared the IZTO thin films of two-types; One a conductive film that exhibits a resistivity of $2\times10^{-4}$ ohm${\cdot}$cm; the other, semiconductor film with a resistivity of 9 ohm${\cdot}$cm. The TFT devices with IZTO layers are optically transparent in visible region and operate in enhancement mode. The threshold voltage, field effect mobility, on-off current ratio, and sub-threshold slope of the TFT are -0.5 V, $7.2\;cm^2/Vs$, $\sim10^7$ and 0.2 V/decade, respectively. These results will contribute to applications of select TFT to transparent flexible electronics.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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