• 한국진공학회지
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• 제13권3호
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• pp.99-102
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• 2004

유기 절연층을 사용한 유기 박막 트랜지스터의 특성 향상을 위해 절연층 표면에 Ar플라즈마 처리를 하였다. 플라즈마 처리는 절연체 표면의 화학적, 물리적 특성 변화를 통해 그 후에 이어지는 활성층 성막시 분자들의 결정성을 향상시키기 위한 방법이다. 활성층으로 사용된 물질은 pentacene이며, 절연층으로 사용된 물질은 PVP(poly-vinyl-phenol)이다. Pentacene는 약 $10^{-6}$ Torr에서 0.5 $\AA$/sec의 속도로, PVP는 spin coating법에 의해 각각 성막되었다. 형성된 절연층을 일정 시간동안 H플라즈마 처리 한 후 각 소자의 전기적 특성을 측정하여 표면처리에 의한 특성 변화를 살펴보았다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.395-395
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• 2007

We report on the fabrication of soluble pentacene-based thin-film transistors (TFTs) that consist of $NiO_x$, poly-vinyl phenol (PVP), and Ni for the source-drain (SID) electrodes, gate dielectric, and gate electrode, respectively. The $NiO_x$ SID electrodes of which the work function is well matched to that of soluble pentacene are deposited on a soluble pentacenechannel by sputter deposited of NiO powder and show a moderately low but still effective transmittance of ~65% in the visible range along with a good sheet resistance of ${\sim}40{\Omega}/{\square}$. The maximum saturation current of our soluble pentacene-based TFT is about $15{\mu}A$ at a gate bias of -40showing a high field effect mobility of $0.06cm^2/Vs$ in the dark, and the on/off current ratio of our TFT is about $10^4$. It is concluded that jointly adopting $NiO_x$ for the S/D electrodes and PVP for gate dielectric realizes a high-quality soluble pentacene-based TFT.

• 한국결정학회지
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• 제2권2호
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• pp.13-21
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• 1991

50% terephthaloyl chloride(TPA)와 50%(1-phenylethyl) hydroquinone(PEHQ)으로부터 합성된 열 액정폴리에스터 poly(1-phenylethyl-p-phenylene-terephthalate)의 chalk conformation 및 packing 상태를 X-선 회절법을 이용하여 해석하였다. 단위세포상수는 a=12.77 A, b=10.17 A(unlque axis), c=12.58 A (fiber axis), β=90.1°, 그리고 공간군은 P2l 이고 단사정계이며 Z:4 이었다. 미세구조는 주쇄상의 Phenyl-COO 그리고 COO-Phenyl 평면간의 그리고 주축과 측쇄간의 torsion angle 들을 중심으로 37개의 회절반점에 대해 Linked Atom Least Square(LALS) 방법을 이용하여 해석하였으며, 1-phenylethyl 치환체는 ortho-와 met a위치에 각각 확률적으로 0.5의 가중치를 부여함에 의해 구조적으로 모델링 되었다. 주쇄상의 Phenyl-COO그리고 Phenyl-COO평면간의 torsion angle은 각각 -6.1°와 65.6°로 주어졌으며 결국 주축상의 Phenol 평면들은 서로 59.5°로 엇갈려 주축을 형성하고 있음을 알 수 있었다. (단 ester, COO-, 기는 평면으로 가정되었다.)

• 융합정보논문지
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• 제8권5호
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• pp.29-36
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• 2018

초임계 추출 기술을 활용하여 느릅나무 가지 추출물을 연구하는 과정에서 발생하는 초임계 추출박의 자원 재활용에 대한 검증을 하기 위해서 초임계 추출박의 주정추출물(USCFR)과 에틸아세테이트 용매분획물(USCFREA)의 항산화, 항알러지, 총 페놀 정량 실험을 각각 수행 하였다. 항산화 활성은 양성대조군인 비타민C와 비교한 결과 DPPH 라디컬 소거능과 ABTS라디컬 소거능의 $IC_{50}$값(ppm)이 비타민C는 $7.42{\pm}0.09$, $7.50{\pm}0.05$, USCFR은 $22.94{\pm}0.09$, $6.43{\pm}0.10$, USCFREA은 $17.80{\pm}0.14$, $5.34{\pm}0.06$ 으로 각각 확인되어 양성 대조군과 비교하였을 때 매우 우수한 항산화 활성이 확인 되었다. 그리고 항알러지 활성 연구에서는 USCFR과 USCFREA 모두 농도 의존적으로 항알러지 활성이 확인이 되었고, 특히, USCFREA은 매우 적은 농도에서도 강력한 항알러지 활성이 확인 되었다. 끝으로, 총 페놀 함량(ugEG, ugGA;ppm)에서 USCFR는 $134.17{\pm}0.13$, $132.02{\pm}0.24$, USCFREA은 $154.77{\pm}1.05$, $153.18{\pm}1.10$으로 각각 확인이 되어 기존의 초임계 추출물과 비교하면 매우 높은 총 페놀 함량을 확인할 수 있었다. 이상의 결과를 종합하여 USCFR과 USCFREA은 강력한 항산화 활성을 기반으로 한 만성 염증성 피부면역 질환 개선 및 치료 보조제 관련 의약품 또는 기능성 향장품 개발을 위한 기초 연구 자료가 될 것으로 기대된다.

• 공업화학
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• 제10권1호
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• pp.124-128
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• 1999

개별적인 반응성이 알려진 니트로기와 벤질술포닐기가 벤젠 고리 위에서 서로 인접하여 위치할 때 광반응성에 미치는 상호 작용에 대해서 연구하고자 하였다. 니트로기를 포함하는 술포닐 에스테르(cyclohexyl 및 phenyl 2-nitro-${\alpha}$-toluenesulfonate)와 슬포닐아미드(시클로헥실, 페닐, 벤질, 및 피페리딜 2-nitro-${\alpha}$-toluenesulfonamide)의 용액 중 광반응 생성물로부터 벤질술포닐기와 그 ortho 위치에 존재하는 니트로기가 광반응시 서로 상승작용을 하지 않는다는 것을 알 수 있었다. 용액상의 광반응은 이어 필름 상에서의 광반응으로 확인 및 응용되었다. 즉, 두 가지의 2-nitro-${\alpha}$-toluensulfonamide를 포함한 poly(methacrylonitrile)(PMAN) 박막을 NaCl 판 위에 입히고 여기에 254 nm 자외선을 쪼이면서 관찰된 필름의 IR 스펙트럼의 변화로부터도 용액상의 광반응을 일부 확인하였으며 정량실험도 실시하였다. 또한, 본 용액실험의 결과인 광화학적 아민 발생은 poly(glycidyl methacrylate)를 이용한 상 발생 실험에 응용되어 성공적으로 광화학적 에폭시 가교를 수행할 수 있었다.

• Animal cells and systems
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• 제16권5호
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• pp.366-375
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• 2012

Gallotannin (GT) is derived from plant poly phenol and is associated with biological actions in a wide range of cells. In this study, we evaluated the effect of GTon apoptosis and cyclooxygenase-2 (COX-2) expression and attempted to shed light on the mechanism of action in A549 human lung carcinoma cells. We found that GT dramatically induced apoptosis as demonstrated by expression of p53 and active caspase-3 via western blot analysis and fragmented DNA as detected by DNA fragmentation and DAPI staining. We also observed that GT significantly causes COX-2 expression in a dose-dependent manner determined by western blot analysis. Phosphorylation of Akt and p38 was considerably increased by GT in A549 human lung carcinoma cells. Inhibition of Akt and p38kinase with LY294002 or SB203580 suppressed GT-induced apoptosis and COX-2 expression. Furthermore, we have shown that prevention of COX-2 with NS398 or indomethacin does not any effects on apoptosis induced by GT. Taken together, our present results suggest that GT regulates apoptosis and COX-2 expression through Akt and p38kinase pathway in A549, human lung carcinoma cells.

• 한국버섯학회지
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• 제18권1호
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• pp.29-36
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• 2020

P. linteus(품종명: 고려상황, PLKS)와 P. baumii (장수상황, PBJS)를 동일한 조건하에서 인공재배하여 얻어진 자실체를 70% 메탄올, 60% 에탄올, 열수추출하여 폴리페놀과 플라보노이드 측정 시 함량은 60%에탄올 추출물에서 가장 높게 나타났다. 60%에탄올을 용매로 PLKS와 PBJS의 자실체를 추출하여 농도별로 DPPH (2,2-diphenyl-1-picrylhydrazyl), ABTS (2,2'-azino-bis (3-ethylbisthiazoline-6-sulfonic acid) 라디칼 소거능을 측정한 결과 PLKS와 PBJS는 거의 유사한 항산화 활성을 보였으며 자실체가 균사체보다 2-3배 이상 높은 항산화 활성이 측정되었으나 FRAP (ferric reducing antioxidant power)분석에서는 자실체와 균사체 간에 큰 차이가 없는 것을 확인하였다. PLKS와 PBJS의 자실체 ethyl acetate 분획물을 HPLC 분석한 결과 styrylpyrone 계 폴리페놀 성분인 davallialactone, hispidin, hypholomine B, inoscavin A를 검출할 수 있었으나 균사체에서는 검출되지 않아 자실체 특이적인 화합물인 것을 확인하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.154-154
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• 2012

Flexible complementary inverters based on thin-film transistors (TFTs) are important because they have low power consumption and high voltage gain compared to single type circuits. We have manufactured flexible complementary inverters using pentacene and amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) for the p-channel and n-channel, respectively. The circuits were fabricated on polyimide (PI) substrate. Firstly, a thin poly-4-vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate to make a smooth surface with rms surface roughness of 0.3 nm, which was required to grow high quality IGZO layers. Then, Ni gate electrode was deposited on the PVP layer by e-beam evaporator. 400-nm-thick PVP and 20-nm-thick ALD Al2O3 dielectric was deposited in sequence as a double gate dielectric layer for high flexibility and low leakage current. Then, IGZO and pentacene semiconductor layers were deposited by rf sputter and thermal evaporator, respectively, using shadow masks. Finally, Al and Au source/drain electrodes of 70 nm were respectively deposited on each semiconductor layer using shadow masks by thermal evaporator. The characteristics of TFTs and inverters were evaluated at different bending radii. The applied strain led to change in voltage transfer characteristics of complementary inverters as well as source-drain saturation current, field effect mobility and threshold voltage of TFTs. The switching threshold voltage of fabricated inverters was decreased with increasing bending radius, which is related to change in parameters of TFTs. Throughout the bending experiments, relationship between circuit performance and TFT characteristics under mechanical deformation could be elucidated.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.479-479
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• 2011

Flexible inverters based on complementary thin-film transistor (CTFTs) are important because they have low power consumption and other advantages over single type TFT inverters. In addition, integrated CTFTs in flexible electronic circuits on low-cost, large area and mechanically flexible substrates have potentials in various applications such as radio-frequency identification tags (RFIDs), sensors, and backplanes for flexible displays. In this work, we introduce flexible complementary inverters using pentacene and amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) for the p-channel and n-channel, respectively. The CTFTs were fabricated on polyimide (PI) substrate. Firstly, a thin poly-4-vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate to make a smooth surface with rms surface roughness of 0.3 nm, which was required to grow high quality IGZO layers. Then, Ni gate electrode was deposited on the PVP layer by e-beam evaporator. 400-nm-thick PVP and 20-nm-thick ALD Al2O3 dielectric was deposited in sequence as a double gate dielectric layer for high flexibility and low leakage current. Then, IGZO and pentacene semiconductor layers were deposited by rf sputter and thermal evaporator, respectively, using shadow masks. Finally, Al and Au source/drain electrodes of 70 nm were respectively deposited on each semiconductor layer using shadow masks by thermal evaporator. Basic electrical characteristics of individual transistors and the whole CTFTs were measured by a semiconductor parameter analyzer (HP4145B, Agilent Technologies) at room temperature in the dark. Performance of those devices then was measured under static and dynamic mechanical deformation. Effects of cyclic bending were also examined. The voltage transfer characteristics (Vout- Vin) and voltage gain (-dVout/dVin) of flexible inverter circuit were analyzed and the effects of mechanical bending will be discussed in detail.

• 한국표면공학회지
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• 제41권1호
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• pp.1-5
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• 2008

In this work, improvement of mechanical and electrical properties of gate dielectric layer for flexible organic thin film transistor (OTFT) devices was investigated. In order to increase the mechanical flexibility of PVP (poly(4-vinyl phenol) organic gate dielectric, a very thin inorganic $HfO_2$ layers with the thickness of $5{\sim}20nm$ was inserted in between the spin-coated PVP layers. Insertion of the inorganic $HfO_2$ in the laminated organic/inorganic structure of PVP/$HfO_2$/PVP layer led to a dramatic reduction in the leakage current compared to the pure PVP layer. Under repetitive cyclic bending, the leakage current density of the laminated PVP/$HfO_2$/PVP layer with the thickness of 20-nm $HfO_2$ layer was not changed, while that of the single PVP layer was increased significantly. Mechanical flexibility tests of the OTFT devices by cyclic bending with 5 mm bending radius indicated that the leakage current of the laminated PVP/$HfO_2$(20 nm)/PVP gate dielectric in the device structure was also much smaller than that of the single PVP layer.