In an effort to overcome the problems which arise when fabricating high-aspect-ratio TSV(through silicon via), we performed experiments involving the void-free Cu filling of a TSV(10~20 ${\mu}m$ in diameter with an aspect ratio of 5~7) by controlling the plating DC current density and the additive SPS concentration. Initially, the copper deposit growth mode in and around the trench and the TSV was estimated by the change in the plating DC current density. According to the variation of the plating current density, the deposition rate during Cu electroplating differed at the top and the bottom of the trench. Specifically, at a current density 2.5 mA/$cm^2$, the deposition rate in the corner of the trench was lower than that at the top and on the bottom sides. From this result, we confirmed that a plating current density 2.5 mA/$cm^2$ is very useful for void-free Cu filling of a TSV. In order to reduce the plating time, we attempted TSV Cu filling by controlling the accelerator SPS concentration at a plating current density of 2.5 mA/$cm^2$. A TSV with a diameter 10 ${\mu}m$ and an aspect ratio of 7 was filled completely with Cu plating material in 90 min at a current density 2.5 mA/$cm^2$ with an addition of SPS at 50 mg/L. Finally, we found that TSV can be filled rapidly with plated Cu without voids by controlling the SPS concentration at the optimized plating current density.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.10
no.2
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pp.1-18
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1977
In decorative chromium plating, highly concentrated conventionl baths ($CrO_3$ 150~400g/l) have been used. Because of the problems of heavy metal pollution and the saving of raw materials, chromium plating from dilute bath has been developed recently. The present study was performed to determine the effects of all the variables in the low concentrated chromium plating bath, such as brightness, appearence, current efficiency, and plating rate with regard to the bath composition and plating conditions.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.47
no.5
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pp.269-274
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2014
Electroless plating process as a solution deposition method is a viable means of preparing conductive metal films on non-conducting substrates through chemical reactions. In the present study, the preparation and properties of electroless Ni-plating on flexible silicone rubber are described. The process has been performed using a conventional Ni(P) chemical bath. Additives and complexing agents such as ammonium chloride and glycine were added and the reaction pH was controlled by NaOH aqueous solution. Ni deposition rate and crystallinity have been found to vary with pH and temperature of the plating bath. It was shown that Ni-films having the high crystallinity, enhanced adhesion and optimum electric conductivity were formed uniformly on silicone rubber substrates under pH 7 at $70^{\circ}C$. The conductive Ni-plated silicone rubber showed a high electromagnetic interference shielding effect in the 400 MHz-1 GHz range.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.40
no.2
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pp.70-76
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2007
Ni-P-SiC composite coating layers were prepared by electroless plating method and their deposition rate, codeposition of SiC, morphology, surface roughness, hardness, wear and friction properties were investigated. The deposition rate was kept almost constant independent of the concentration of SiC in the plating solution and the codeposition of SiC in the composite coating layer increased with increased concentration of SiC in the plating solution except the early stage. Vickers microhardness increased with respect to the increased codeposition of SiC and the heat treatment at $300^{\circ}C$ in air for 1 hour. It was found that the wear volume decreased with increased up to 50 wt.% of SiC codeposition, and that friction coefficient increased gradually with increased codeposition of SiC. Considering the wear and the friction behaviors, the composite coating layer obtained by using 50 wt.% of SiC codeposition is desirable for the practical application for anti-wear and anti-friction coatings.
Highly conductive yarn was successfully obtained using electroless nickel plating method with palladium activation. In the presence of palladium seed on surface of fibers as a catalyst, continuos nickel layer produced on surface of fibers by reducing $Ni${2+}$ ion in the electroless plating bath to $Ni^0$. It was found that the Pd-activation using $SnCl_2$ and $PdCl_2$ to deposit palladium seeds on the surface of fibers plays a key role in the subsequent electroless plating of nickel. It also found that electroless nickel plating on the fibers can induce the nickel-plated $ELEX^{(R)}$ fibers to improve the electrical conductivity of the fibers. The thickness of nickel coating layer on the Pd-activated $ELEX^{(R)}$ fibers and specific conductivity of the fiber were increased through electroless plating time. The temperature of nickel plating bath was very effective to enhance the nickel deposition rate.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.25
no.4
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pp.189-206
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1992
The effect of activation and electroless nickel plating conditions on contact properties was investi-gated for selective electroless nickel plating of Si wafers in order to obtain an optimum condition of con-tact hole filling. According to RCA prosess, p-type silicon (100) surface was cleaned out and activated. The effects of temperature, DMAB concentration, time, and strirring were investigated for activation of p-type Si(100) surface. The optimal activation condition was 0.2M HF, 1mM PdCl2, 2mM EDTA,$ 70^{\circ}C$, and 90sec under ultrasonic vibration. In electroless nickel plating, the effect of temperature, DMAB concentra-tion, pH, and plating time were studied. The optimal plating condition found was 0.10M NiSO4.H2O, 0.11M Citrate, pH 6.8, $60^{\circ}C$, 30minutes. The contact resistance of films was comparatively low. It took 30minutes to obtain 1$\mu\textrm{m}$ thick film with 8mM DMAB concentration. The film surface roughness was improved with decreasing temperature and decreasing pH of the plating solution. The best quality of the film was obtained at the condition of temperature $60^{\circ}C$ and pH 6.0. The micro-vickers hardness of film was about 800Hv. Plating rate of nickel on the hole pattern was slower than that of nickel on the line pattern.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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2009.05a
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pp.177-181
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2009
Compositional gradient CrNx coatings were fabricated using arc ion plating in Ar/$N_2$ gaseous mixture by gradually increasing $N_2$ flux rate from 0 to 120 SCCM. The effect of negative substrate bias on the film microstructure and mechanical properties were systematically investigated with XRD, GDOES, and SEM. The results show that substrate bias has an important influence on film growth and microstructure of gradient CrNx coatings. The coatings mainly crystallized in the mixture of hexagonal $Cr_{2}N$ and fcc CrN phases. By increasing substrate bias, film microstructure evolved from an apparent columnar structure to an equiaxed one. With increasing substrate bias, deposition rate first increased, and then decreased. The maximum of deposition rate was 15 nm/min obtained at a bias of -50V.
Objectives : We retrospectively studied the efficacy of anterior cervical discectomy and interbody fusion without plate fixation in degenerative cervical disease. Methods : Thirty two consecutive patients with degenerative cervical disease treated by decompression and interbody fusion(Smith-Robinson technique) without anterior cervical plating were studied for postoperative complication rate as well as the clinical and radiologic outcomes and were compared the result of ours with other reported series where the anterior cervical plating was used. Results : All cases were reviewed after average period of 13 months for the purpose of this study. There were 4 postoperative complications related to grafting. A solid fusion was obtained in all cases with single-level fusion(n=21) and 81.8 % of the cases with a two-level fusion(n=11). The overall fusion rate was 93.8 % and fusion rate per level fused was 95.3%. The clinical outcome of the patients was comparable with that in the literature, with one patient having a poor result. Comparing the result of this study with others of the anterior cervical plating, clinical outcome and fusion rate were not superior in plate fixation group in single-level fusion, but increased fusion rate and decreased graft-related complication rate were noted in multilevel fusion with plate fixation. However, the clinical outcome was not superior to noninstrumented fusion group of this study. Conclusion : These results demonstrate that anterior cervical discectomy and interbody fusion(Smith-Robinson technique) without instrumentation is safe and reliable method of single-level fusion in degenerative cervical disease. Plate fixation system doesn't seem necessary in single level fusion in degenerative cervical disease.
In this work, the heterogeneous ion exchange membrane was used in a electrodialysis apparatus to treat a Ni planting rinse water because the heterogeneous ion exchange membrane was excellent efficiency as compared with low manufacturing cost, was easy to make, and had a good mechanical properties. For a regeneration of membrane and to obtain the optimal condition for a scale-up of apparatus after treating Ni plating rinse water, we would find about the limiting current density and the concentration polarization. When the Ni plating rinse water 150mg/L was treated with the electrodialysis apparatus using the heterogeneous ion exchange membrane, the limiting current density was about $1.49{\;}mA/\textrm{cm}^2$. And the limiting current density increased with the flow rate and concentration of Ni plating rinse water. We recognized that the used membrane could be reused by periodic backwashing because efficiency was constant when the membrane was backwashed after treating wastewater.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.11
no.4
s.33
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pp.75-80
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2004
In copper metallization, resistivity of copper seed layer is very important. Conventionally MOCVD has been used for this purpose however electroless copper plating is simple process and the resistivity of copper deposit is less than that of copper prepared by MOCVD. In this study electroless copper plating was conducted on different substrate to find optimum conditions of electroless copper plating for electronic applications. To find optimum conditions, the effects and selectivity of activation method on several substrates were investigated. The effects of copper bath composition on morphology were investigated. The effects of pH and stabilizer on deposition rate were also investigated. The optimum pH of the bath was 12 with addition of stabilizer. The resistivity of copper was decreased with addition of stabilizer and alter heat treatment.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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