• 농약과학회지
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• 제10권2호
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• pp.138-148
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• 2006

농약분해에 관여하는 세균을 분리하기 위하여 연작지 시설하우스 토양 및 밭토양시료에서 procymidone, parathion, alachlor에 대해 생육저해를 받지 않는 12개의 균주를 분리한 후, 이들을 표준사용농도 및 그 1/10의 농도가 함유된 배지 상에서 가장 생육이 왕성한 2균주, B52 및 B71을 선발하여 농약 분해능을 조사하였다. 선발된 분리균을 6종의 농약(procymidone, chlorothalonil, ethoprophos parathion, alachlor, pendimethalin)이 40 mg a.i. $L^{-1}$의 농도로 함유된 TSB배지에서 분해율을 조사한 바, 대조구에 비해 분리균 B52는 최고 53.2%, 분리균 B71은 25.0%의 차이를 보여 분리균이 농약을 분해하는 것으로 나타났고 특히 procymidone, parathion, alachlor에 대한 분해율이 높았다. 이들 3종 농약의 농도에 따른 분해율의 변화를 조사한 결과 $5{\sim}40$ mg a.i. $L^{-1}$까지는 균의 생육이 왕성하였고 농약의 분해율도 높았으나 그 이상에서는 농약의 종류에 따라 차이가 있었으나 대체로 균의 생육과 분해율이 낮아지는 경향이 있었다. 배양일수별 분해율의 변화는 농약의 종류 및 균주에 따라 다양한 양상을 나타내었는데, B59는 parathion을 6일간의 배양으로 거의 분해하였고 procymidone과 alachlor는 배양 21일까지 거의 비슷한 속도로 분해되었다. 배양액의 pH는 농약의 분해와는 거의 상관이 없어 pH 5 이상에서는 거의 차이가 없었고 pH 4에서는 균이 거의 생육하지 못했으므로 분해율 또한 매우 낮았다. 선발균은 형태적, 생리생화학적 특성 및 미생물 동정장치를 이용하여, B59는 Acinetobacter sp. B71은 Pseudomonas sp.로 동정되었다.

• 한국토양비료학회지
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• 제31권3호
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• pp.225-232
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• 1998

우리나라 밭토양을 1997년 작물 파종전인 3~5월에 표토(0~15cm) 854점 및 밭작물 140점을 채취하여, 이들 토양 및 작물중에 함유된 카드뮴, 구리, 납, 아연 및 비소 함량을 조사한 결과는 다음과 같다. 토양중 0.1N-HCl 가용성 중금속의 평균함량은 카드뮴 0.135(0~0.660), 구리 2.77(0.07~78.2), 납 3.47(0~43.0), 아연 10.7(0.3~65.1), 비소 $0.57(0.21{\sim}2.90)mg\;kg^{-1}$이었다. 밭토양의 중금속함량은 '89년에 조사한 일반 밭토양함량과 유사하나 '96년에 조사한 시설재배지 토양보다 낮은 함량을 보였다. 본 조사 결과 밭토양의 중금속함량은 토양환경보전법의 토양오염 우려 및 대책기준과 비교하여 매우 낮은 수준으로 작물재배에 있어 안전한 수준이나 구리의 최고함량은 우려기준 이상이었다. 노지채소 및 서류의 생체 중 평균함량은 카드뮴 0.005~0.019, 구리 0.20~1.03, 납 0.042~0.104, 아연 $2.0{\sim}4.0mg\;kg^{-1}$이었고, 카드뮴 및 납의 경우 EU의 채소류 식품검토안(Cd : $0.10mg\;kg^{-1}$, Pb : $0.50mg\;kg^{-1}$)이하로 안전한 수준이었다.

• 한국토양비료학회지
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• 제44권2호
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• pp.168-175
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• 2011

토양수분포텐셜이 복분자 생육에 미치는 영향을 조사하기 위하여 복분자 시설하우스에서 -5 ~ -40 kPa 수준으로 토양수분을 처리하였다. 시설하우스내의 토양유효수분은 5.6%이었고, 수분포텐셜에 따라 토양수분함량이 높아지면 토양 pH와 치환성 Ca은 증가하였고, 치환성 K와 전질소 함량은 감소하였으며, 유기물함량은 수분처리 9일 이후부터 감소하였다. 수분포텐셜과 토양수분함량 간에는 y = 96.534 - 20.28In(x)의 지수함수 근사식이 성립되었다. 수분포텐셜이 -20 kPa (토양 수분 27.5%) 이상이면 복분자 잎의 엽록소 함량이 감소하였고 질소흡수가 억제되며, P 함량은 수분공급 시간에 따라 증가하였다. 수분포텐셜 -20 kPa 이상의 수준으로 7일 이상이 경과하면 뿌리활력이 급격히 감소되어 생육이 위축되었다. 지상부에 대한 뿌리비율 (T/R률)은 수분공급 9일까지 급격히 감소하였다. 휴면기의 복분자 줄기와 뿌리의 탄수화물 함량은 -5 kPa과 -10 kPa 처리구에서 가장 낮아 동해 위험도가 가장 높았다.

• Corrosion Science and Technology
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• 제6권6호
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• pp.316-321
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• 2007

The effect of annealing on the pitting corrosion resistance of anodized Al-Mg alloy (AA5052) processed by equal-channel angular pressing (ECAP) was investigated by electrochemical techniques in a solution containing 0.2 mol/L of $AlCl_3$ and also by surface analysis. The Al-Mg alloy was annealed at a fixed temperature between 473 and 573 K for 120 min in air after ECAP. Anodizing was conducted for 40 min at $100-400A/m^2$ at 293 K in a solution containing 1.53 mol/L of $H_2SO_4$ and 0.0185 mol/L of $Al_2(SO_4)_3$. The internal stress generated in anodic oxide films during anodization was measured with a strain gauge to clarify the effect of ECAP on the pitting corrosion resistance of anodized Al-Mg alloy. The time required to initiate the pitting corrosion of anodized Al-Mg alloy was shorter in samples subjected to ECAP, indicating that ECAP decreased the pitting corrosion resistance. However, the pitting corrosion resistance was greatly improved by annealing after ECAP. The time required to initiate pitting corrosion increased with increasing annealing temperature. The strain gauge attached to Al-Mg alloy revealed that the internal stress present in the anodic oxide films was compressive stress, and that the stress was larger with ECAP than without. The compressive internal stress gradually decreased with increasing annealing temperature. Scanning electron microscopy showed that cracks occurred in the anodic oxide film on Al-Mg alloy during initial corrosion and that the cracks were larger with ECAP than without. The ECAP process of severe plastic deformation produces large internal stresses in the Al-Mg alloy; the stresses remain in the anodic oxide films, increasingthe likelihood of cracks. It is assumed that the pitting corrosion is promoted by these cracks as a result of the higher internal stress resulting from ECAP. The improvement in the pitting corrosion resistance of anodized AlMg alloy as a result of annealing appears to be attributable to a decrease in the internal stresses in anodic oxide films

• Corrosion Science and Technology
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• 제6권6호
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• pp.275-281
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• 2007

The effect of annealing on the pitting corrosion resistance of anodized Al-Mg alloy (AA5052) processed by equal-channel angular pressing (ECAP) was investigated by electrochemical techniques in a solution containing 0.2 mol/L of $AlCl_3$ and also by surface analysis. The Al-Mg alloy was annealed at a fixed temperature between 473 and 573 K for 120 min in air after ECAP. Anodizing was conducted for 40 min at $100-400A/m^2$ at 293 K in a solution containing 1.53 mol/L of $H_2SO_4$ and 0.0185 mol/L of $Al_2(SO_4)_3$. The internal stress generated in anodic oxide films during anodization was measured with a strain gauge to clarify the effect of ECAP on the pitting corrosion resistance of anodized Al-Mg alloy. The time required to initiate the pitting corrosion of anodized Al-Mg alloy was shorter in samples subjected to ECAP, indicating that ECAP decreased the pitting corrosion resistance. However, the pitting corrosion resistance was greatly improved by annealing after ECAP. The time required to initiate pitting corrosion increased with increasing annealing temperature. The strain gauge attached to Al-Mg alloy revealed that the internal stress present in the anodic oxide films was compressive stress, and that the stress was larger with ECAP than without. The compressive internal stress gradually decreased with increasing annealing temperature. Scanning electron microscopy showed that cracks occurred in the anodic oxide film on Al-Mg alloy during initial corrosion and that the cracks were larger with ECAP than without. The ECAP process of severe plastic deformation produces large internal stresses in the Al-Mg alloy; the stresses remain in the anodic oxide films, increasingthe likelihood of cracks. It is assumed that the pitting corrosion is promoted by these cracks as a result of the higher internal stress resulting from ECAP. The improvement in the pitting corrosion resistance of anodized AlMg alloy as a result of annealing appears to be attributable to a decrease in the internal stresses in anodic oxide films

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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• pp.1261-1262
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• 2008

Laser-based crystallization techniques are ideally-suited for forming high-quality crystalline Si films on active-matrix display backplanes, because the highly-localized energy deposition allows for transformation of the as-deposited a-Si without damaging high-temperature-intolerant glass and plastic substrates. However, certain significant and non-trivial attributes must be satisfied for a particular method and implementation to be considered manufacturing-worthy. The crystallization process step must yield a Si microstructure that permits fabrication of thin-film transistors with sufficient uniformity and performance for the intended application and, the realization and implementation of the method must meet specific requirements of viability, robustness and economy in order to be accepted in mass production environments. In recent years, Low Temperature Polycrystalline Silicon (LTPS) has demonstrated its advantages through successful implementation in the application spaces that include highly-integrated active-matrix liquid-crystal displays (AMLCDs), cost competitive AMLCDs, and most recently, active-matrix organic light-emitting diode displays (AMOLEDs). In the mobile display market segment, LTPS continues to gain market share, as consumers demand mobile devices with higher display performance, longer battery life and reduced form factor. LTPS-based mobile displays have clearly demonstrated significant advantages in this regard. While the benefits of LTPS for mobile phones are well recognized, other mobile electronic applications such as portable multimedia players, tablet computers, ultra-mobile personal computers and notebook computers also stand to benefit from the performance and potential cost advantages offered by LTPS. Recently, significant efforts have been made to enable robust and cost-effective LTPS backplane manufacturing for AMOLED displays. The majority of the technical focus has been placed on ensuring the formation of extremely uniform poly-Si films. Although current commercially available AMOLED displays are aimed primarily at mobile applications, it is expected that continued development of the technology will soon lead to larger display sizes. Since LTPS backplanes are essentially required for AMOLED displays, LTPS manufacturing technology must be ready to scale the high degree of uniformity beyond the small and medium displays sizes. It is imperative for the manufacturers of LTPS crystallization equipment to ensure that the widespread adoption of the technology is not hindered by limitations of performance, uniformity or display size. In our presentation, we plan to present the state of the art in light sources and beam delivery systems used in high-volume manufacturing laser crystallization equipment. We will show that excimer-laser-based crystallization technologies are currently meeting the stringent requirements of AMOLED display fabrication, and are well positioned to meet the future demands for manufacturing these displays as well.

• 생물환경조절학회지
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• 제19권1호
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• pp.1-5
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• 2010

착색단고추가 재배되고 있는 유리 온실과 플라스틱 필름 온실을 대상으로 내부 온 습도 변화 및 식물체 생육의 차이를 알아보고자 수행하였다. 재배 기간 동안 일평균 내부온도는 두 온실 간 차 이를 나타내지 않았으나, 그 변화폭은 플라스틱필름 온실에서 심하였다. 그리고 온실 내 수분부족분은 유리 온실에서 4.3$g{\cdot}m^{-2}$, 플라스틱필름 온실에서 5.6$g{\cdot}m^{-2}$로 플라스틱 필름 온실에서 더 많았다. 외부 광 1w에 대한 내부 온도 변화는 유리온실보다 플라스틱필름 온실에서 2배 정도 빨리 증가하는 경향이었다. 특히, 이러한 차이에는 일몰 전 후보다 일출 후 초기의 온도 차이가 가장 크게 영향을 주었다. 이에 따라 플라스틱 필름 온실보다 유리 온실에서 잎의 생육 및 광합성산물 생산율이 더 높았고, 생산성도 80% 정도 더 높았다. 이로 보아 유리 온실 대비 플라스틱필름 온실의 생산성을 다소 높이기 위해서는 일출 직후에 내부 환경의 집중적인 관리가 이루어져야 할 것으로 생각된다.

• 한국광학회지
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• 제21권1호
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• pp.33-37
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• 2010

본 연구에서는 전도성이 매우 높은 탄소나노튜브 박막을 제작하고 테라파 영역에서의 광학상수를 측정하였다. 탄소나노튜브박막은 스핀코팅법 또는 진공여과법을 이용하여 연성플라스틱 기판 위에 증착되었다. 테라파 영역의 전자파 투과율은 박막의 두께조절을 통해 가능하며, 산처리 등의 후속공정을 통해서도 조절이 가능하다. 시분해 테라파 투과파의 진폭과 위상 측정을 통해유전상수를 포함한 광학상수의 스펙트럼을 측정하였다. 이를 통해 탄소나노튜브 박막이 Drude 자유전자 모델에 잘 부합하며, 높은 플라즈마 진동수를 가지는 등, 우수한 금속의 특성을 가지고 있음이 밝혀졌다. 또한 산처리 전후 유전상수가 변화하는 것을 직접확인할 수 있었다. 마지막으로 셀룰로즈 멤브레인에 증착된 CNT 필름의 경우엔 기판의 효과가 제거된 광학계수 측정이 가능함을 보여준다.

• 한국식물병리학회지
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• 제3권3호
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• pp.187-197
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• 1987

진주근교와 금산, 남지 등의 17개 오이연작재배지역에서 건전식물의 근권토양으로부터 Triple Layer Agar(TLA)법을 변형개량하여, 오이덩굴쪼김병균에 대한 길항균을 효과적으로 분리하였고, 예비실험(in vitro, in vivo)결과에서 길항력이 우수한 세균(15 isolates)과 곰팡이(9 isolates)를 선별하여 동정하였다. 이들 중 Serratia sp., Pseudomaonas fluorescens, P. putida등 세균 3균주와 Gliocladium sp., Trichoderma harzianum, T. viride 등 곰팡이 3균주를 공시하여 얻은 실내실험의 결과는 다음과 같다. Water Agar(WA) 상에서 길하세균에 의한 오이덩굴쪼김병원균의 소형분생포자의 발아율은 $26\~45\%$ 억제 되었으며, 발아관의 길이도 $41\~56\%$ 억제되었는데, P. fluorescens가 그 중 가장 우수한 길항력을 나타내었다. WA상의 대치배양에서 길항곰팡이의 균사가 본병원균의 균사를 Coiling, Penetration, Overgrowing, Lysis 하는 등의 길항현상을 관찰할 수 있었으며, 그 중 T. harzianum이 가장 강력한 길항력을 나타내었다. 배양기의 pH별 길항곰팡이에 의한 오이덩굴쪼김병균의 Lysis정도는 pH4.6에서 가장 높았으며 다음은 3.6, 5.6, 6.6의 순이었는데 pH 6.6에서는 길항현상이 잘 나타나지 않았으나, 길항곰팡이의 후막포자가 다량 형성되었다.

• 한국토양비료학회지
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• 제30권2호
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• pp.184-188
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• 1997

벼 품종간 Sr-85의 흡수와 작물체 부위별 분포, 그리고 토양으로부터 작물체로 전이되는 Sr-85의 전이계수를 조사하기 위하여 a/2000 pot에 사양토를 공시토양으로 하여 일품벼(만생종)와 오대벼(조생종)를 공시하고 건조토양 1g 당 Sr-85를 각각 무처리, 74Bg과 222Bq를 처리하여 수행한 결과는 다음과 같다. 1 수확기에 일품벼와 오대벼의 Sr-85의 흡수율은 각각 0.39-0.43%, 0.66-0.73%로 오대벼의 흡수율은 전반적으로 일품벼보다 약 1.5배 많았다. 2. 토양으로부터 흡수된 Sr-85의 대부분은 볏짚과 왕겨에 축적되었으며 현미로 전류된 량은 약 1.3%에 불과 하였다. 3. 벼 부위별 Sr-85 농도는 Sr-85 처리량에 따라 높았으며 오대벼는 일품벼보다 모든 부위에서 높은 농도를 보였다. 4. 두 품종에서의 토양-식물체간 전이계수는 품종간 유의성은 없으나 현미 0.037과 볏짚 4.13의 범위였으며 부위별 전이계수는 볏짚>왕겨>현미 순으로 높았다. 5. 토양으로부터 흡수한 Sr-85는 벼의 생장과 수량에는 영향을 미치지 않았다.