한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.687-690
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2009
It has been recently reported that nano-sized MgO single crystal powders emit ultraviolet by stimulation of electrons under vacuum condition. Therefore, in this study, nano-crystalline MgO powders were applied to a xenon plasma flat fluorescent lamp for LCD backlight to improve emission efficiency of the lamp by help of extra ultraviolet from nano-MgO. For comparison with nano-crystalline MgO powders, MgO nano-thin film was applied directly on phosphors inside a lamp panel through e-beam evaporation The luminance and efficiency of FFL with an addition of MgO nano-crystal powders on phosphors were improved by around 20%. Application of MgO thin film to phosphors worsened the emission characteristics of FFLs, even rather than FFL without MgO. The reason came from insufficient stimulation of phosphors by UV, crystallinity of MgO, and low secondary electron coefficient.
PDP(Plasma Display Panel)에 적용하고자 하는 녹색 형광체 Zn/sub 2-x/Mn/sub x/SiO/sub 4/를 고상반응법으로 제작하였다. 소성온도, 열처리분위기의 수소와 질소가스의 비 그리고 Mn의 첨가제 및 co-dopant가 형광체의 특성에 미치는 영향에 대하여 관찰하였다. Mn의 농도 x=0.002로 하여 소성온도 1400℃에서 발광특성이 가장 우수하였고, co-dopant의 영향에서는 Cr/sup 3+/를 첨가하였을 때 다른 첨가제를 사용하였을 때 보다 발광특성이 향상되는 것이 관찰되었다.
Optical and electrical properties of MgO-CaO films as a protective layer for AC plasma display panel were studied. When the [(CaO/(MgO+CaO)] ratio of evaporation starting materials was optimum composition, 0.1, firing voltage and memory margin of the film were 176V and 0.5, respectively. When [CaO/(CaO+MgO)] was 0, 0.1 and 0.2, memory margin was 0.39, 0.5 and 0.41, respectively, and surface roughness of films was $27.7\AA$, $21.1\AA$ and $40.3\AA$, respectively. It was thought that memory margin had a reverse-relation with surface roughness. The density of film was calculated by measuring the refractive index of film. The density of MgO film was 3.21g/㎤ and the density of film, when [CaO/(CaO+MgO)] was 0.1, was 3.632g/㎤. The mixture of MgO-CaO films showed a good transmittance property in the visual range.
본 연구에서는 진공 인라인 실장 기술을 이용하여 제작한 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)의 전기적 광학적 특성을 측정하여, 일반적인 실장 방법을 이용한 PDP의 특성과 비교 분석하였다. 본 실험에 사용된 패널은 Screen Printer를 이용한 상 하부전극과 하판 유전체, 상판 투명유전체, 격벽 및 E-Beam Evaporation 방법을 이용하여 증착한 MgO 보호막으로 이루어져 있으며, 분위기 온도 $430^{\circ}C$, Ne-Xe(4%) 400[torr]압력 하에서 실장하였다. 높은 분위기 온도로 인하여 MgO에 Crack이 발생하였으나 지속적인 연구를 진행하여 최적의 실장 조건을 확립할 수 있었다. 이러한 진공 인라인 실장 기술은 추가적인 Annealing 공정이 필요하지 않아 공정의 단축을 모색할 수 있으며, MgO의 수화를 제거함으로써 일반적인 실장 방법을 이용한 패널보다 더 우수한 전기적 광학적 특성을 얻을 수 있었다.
PDP TV의 전력 효율을 향상시키기 위해서는 PDP의 구동과정에서 발생하게 되는 불필요한 전력소모와 AC 입력으로부터 원하는 DC를 얻기 위한 과정 중에 발생하는 전력 소모를 최소화하여야 한다. 일반적인 PDP 구동을 위한 입력 전원단은 2단 구조의 역률 보상형 컨버터를 채용하고 있으며, PDP 구동시 전력소모가 가장 큰 서스테인 드라이버와 독립적으로 구성된다. 그러나 이러한 회로의 구현은 저가의 PDP를 요그하는 시장 상황에 유연하게 대처하는데 많은 어려움을 준다. 따라서 본 눈문에서는 최소의 전력 변환 단계를 가지는 PDP용 전원공급장치와 서스테인 구동 드라이버를 결합한 회로를 제안한다. 제안하는 시스템은 1단방식의 입력전원부 구성을 통해 전력 변환단을 최소화하여 전력 변환 중에 발생하는 손실을 최소화하며, PDP 서스테인 드라이버의 구동전압을 직접 공급하는 형태로 구성하여 시스템의 부피의 감소, 원가 절감을 이룰 수 있다.
현재 디스플레이 시장은 LCD (Liquid Crystal Display), PDP (Plasma Display Panel) 등과 같이 평판 디스플레이가 주류를 이루고 있으며 현재에는 기존의 디스플레이와는 달리 잘 휘어지고 높은 투과성을 가지는 플렉시블 디스플레이에 대한 연구가 활발히 진행 중이다. 하지만 이러한 플렉시블 디스플레이에 사용되는 플라스틱 기판의 경우 용제에 대한 화학적 저항성 및 기계적인 안정성이 취약한 점과 대기중의 수분이나 산소가 플라스틱 기판을 통하여 소자내로 침투하게 되어 금속전극을 산화시키거나 기포 또는 흑점 등과 같은 비 발광 영역이 확산되어 소자의 수명을 단축시키는 치명적인 단점을 가진다. 이에 본 실험에서는 고밀도 플라즈마 형성이 가능하고 저온공정이 가능한 FTS (Facing Target Sputtering) 장비를 이용하여 Polyethylene terephthalate (PET) 기판위에 낮은 수분 투과율 또는 산소 투과율을 갖는 양질의 무기 산화막을 적층하기 위해 저 투습도 및 기계적인 경도 향상을 위한 비 반응성 박막으로 $Al_20_3$층을 Ar분위기에서 증착하였고 그 위에 박막의 stress 감소, 유연성 향상을 위한 반응성 박막으로 Al을 Ar과 $O_2$를 비율별로 증착하여 비교 실험하였다. 이와 같이 제작된 무기산화막들을 Uv- spectrophotometer를 이용하여 광학적 특성을 조사한 결과 가시광 영역에서 모두 80% 이상의 높은 투과율을 나타내었으며, 그 외 XRD (X-ray Diffraction)를 사용하여 결정성을 확인, SEM (Scanning Electron Microscope), AFM (Atomic Force Microscope)을 이용하여 박막의 구조와 표면향상 및 표면조도를 측정한 결과 모든 박막에서 밀집도가 좋으며 거칠기가 작은 것으로 확인되었다. 마지막으로 수분 투과율(WVTR)을 알아보기 위해 Mocon (Permatran W3/31)장비를 이용하여 측정한 결과 $1.0{\sim}3.0{\times}10^{-3}g/m{\cdot}day$의 낮은 수분 투과율을 볼 수 있었다. 이러한 측정 결과로 볼 때 향후 FTS 장비를 이용하여 양질의 플라즈마를 형성하여 알루미늄 무기산화막을 이용한 고밀도 다층막을 형성하면 더욱 낮은 수분투과율을 갖는 가스차단막을 제작할 수 있을 것으로 보여지며 반도체 소자 및 디바이스의 Pachaging으로도 사용가능 할 것이라 사료된다. 본 연구는 한국산업기술진흥원에서 지원하는 2011년도 지역산업기술개발사업의 연구수행으로 인한 결과물임을 밝힙니다.
반도체와 전자부품의 코팅제로 사용되는, 특히 LCD와 PDP 커넥터주위의 보호를 위해 사용되는 폴리실록산(시편)의 흐름성(flow) 및 퍼짐성(self-leveling)을 측정할 수 있는 시험 장치가 고안되었고, 점도가 각기 다른 실록산 폴리머 견본들을 이용하여 고안된 시험장치를 시험하였다. 이 장치를 사용하여 시편의 흐름성 및 퍼짐성을 측정한 결과, 이 장치가 점도를 통해 흐름성 및 퍼짐성을 예측하던 것을 대신 할 수 있다고 판단되었다. 특히, 흐름성이 적절히 조절되어야만 하는 LCD, PDP 및 반도체 커넥션 보호 코팅제의 특성 평가에 유용하게 활용될 것으로 기대된다.
IT 산업 및 반도체 산업이 발전함에 따라 초소형, 고집적화 시스템의 요구에 대응하기 위해서 고해상도 및 고정밀의 패턴 구현에 관한 많은 연구가 진행되고 있다. 이러한 연구는 각종 산업제품의 PCB(Printed Circuit Board) 및 디스플레이 장치인 PDP(Plasma Display Panel), LCD(Liquid Crystal Display) 등에 적용되어 널리 응용되고 있다. 현재 널리 사용되는 인쇄 회로 기판은 마스킹 후 선택적 에칭 방식을 적용하여 금속 배선을 형성하는 방식을 적용하고 있다. 이러한 방식은 설계가 변경될 경우 마스크를 다시 제작해야 하는 번거로움이 있어 설계 변경이 용이하지 않고 더욱 길어진 생산시간의 증가로 인하여 생산성 및 집적도가 떨어지게 된다. 따라서 최근에는 이러한 한계를 극복하기 위한 방안이 여러 가지 측면에서 시도되고 있으며, 그 중에서도 Inkjet Printing 기술에 대한 관심이 증가하고 있다. 본 연구에서는 Inkjet Printing 방식을 적용하여 금속 배선을 형성하고 선폭과 두께의 오차를 줄여 배선의 Tolerance 를 개선할 수 있는 방안을 제안하였다. Inkjet Printing 방식을 이용한 기존의 금속 배선 형성은 고해상도의 DPI(Dot Per Inch)에서 잉크 액적이 뭉치는 Bulge 현상이 발생되어 원하는 형상 및 배선의 폭을 구현하는데 어려움이 있었다. Bulge 현상은 배선의 불균일성을 야기할 뿐만 아니라 근접한 배선의 간섭에도 영향을 미처 금속 배선의 기능을 할 수 없는 단점을 발생시킨다. 따라서 본 연구에서는 이러한 Bulge 현상을 줄이고 배선간의 간섭을 방지하여 원하는 배선을 용이하게 형성할 수 있는 순차적 인쇄 방식을 적용하였다. 본 연구에서는 노즐직경 35um 의 Inkjet Head 와 나노 Ag 입자 잉크를 사용하여 Glass 표면 위에 배선을 형성하고 배선의 폭과 두께를 측정하였다. 또한 순차적 인쇄 방식을 적용하여 700DPI 이상의 고해상도에서 나타날 수 있는 Bulge 현상이 감소하였음을 관찰하였으며 금속 배선의 Tolerance를 10%내외로 유지할 수 있음을 확인하였다.
PDP TV의 전력 효율을 향상시키기 위해서는 PDP의 구동과정에서 발생하게 되는 불필요한 전력소모와 AC 입력으로부터 원하는 DC를 얻기 위한 과정 중에 발생하는 전력 소모를 최소화하여야 한다. 일반적인 PDP 구동을 위한 입력 전원단은 2단 구조의 역률 보상형 컨버터를 채용하고 있으며, PDP 구동시 전력소모가 가장 큰 서스테인 드라이버와 리셋 회로의 구동전원을 공급하기 위한 별도의 DC-to-DC 컨버터를 필요로 한다. 그러나 이러한 회로의 구현은 저가의 PDP를 요구하는 시장 상황에 유연하게 대처하는데 많은 어려움을 준다. 따라서 본 논문에서는 최소의 전력 변환단계를 가지도록 서스테인과 리셋 회로의 전원 공급이 가능한 1단방식의 역률보상형 AC-to-DC 컨버터를 제안한다. 제안하는 시스템은 1단방식의 입력전원부 구성을 통해 전력 변환단을 최소화하여 전력 변환 중에 발생하는 손실을 최소화하며, PDP 서스테인/리셋 드라이버의 구동전압을 직접 공급하는 형태로 구성하여 시스템 부피의 감소, 원가 절감을 이룰 수 있다.
Processing a large area substrate for liquid crystal display (LCD) or solar panel applications in a capacitively coupled plasma (CCP) reactor is becoming increasingly challenging because of the size of the substrate size is no longer negligible compared to the wavelength of the applied radio frequency (RF) power. The situation is even worse when the driving frequency is increased to the Very High Frequency (VHF) range. When the substrate size is still smaller than 1/8 of the wavelength, one can obtain reasonably uniform process results by utilizing with methods such as tailoring the precursor gas distribution by adjustingthrough shower head hole distribution or hole size modification, locally adjusting the distance between the substrate and the electrode, and shaping shower head holes to modulate the hollow cathode effect modifying theand plasma density distribution by shaping shower head holes to adjust the follow cathode effect. At higher frequencies, such as 40 MHz for Gen 8.5 (2.2 m${\times}$2.6 m substrate), these methods are not effective, because the substrate is large enough that first node of the standing wave appears within the substrate. In such a case, the plasma discharge cannot be sustained at the node and results in an extremely non-uniform process. At Applied Materials, we have studied several methods of modifying the standing wave pattern to adjusting improve process non-uniformity for a Gen 8.5 size CCP reactor operating in the VHF range. First, we used magnetic materials (ferrite) to modify wave propagation. We placed ferrite blocks along two opposing edges of the powered electrode. This changes the boundary condition for electro-magnetic waves, and as a result, the standing wave pattern is significantly stretched towards the ferrite lined edges. In conjunction with a phase modulation technique, we have seen improvement in process uniformity. Another method involves feeding 40 MHz from four feed points near the four corners of the electrode. The phase between each feed points are dynamically adjusted to modify the resulting interference pattern, which in turn modulate the plasma distribution in time and affect the process uniformity. We achieved process uniformity of <20% with this method. A third method involves using two frequencies. In this case 40 MHz is used in a supplementary manner to improve the performance of 13 MHz process. Even at 13 MHz, the RF electric field falls off around the corners and edges on a Gen 8.5 substrate. Although, the conventional methods mentioned above improve the uniformity, they have limitations, and they cannot compensate especially as the applied power is increased, which causes the wavelength becomes shorter. 40 MHz is used to overcome such limitations. 13 MHz is applied at the center, and 40 MHz at the four corners. By modulating the interference between the signals from the four feed points, we found that 40 MHz power is preferentially channeled towards the edges and corners. We will discuss an innovative method of controlling 40 MHz to achieve this effect.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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