Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1996.02a
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pp.102-102
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1996
This paper represents a new type low power High Frequency technological ion source (HF TIS) for ion - beam processing: the surface modification of materials, cleaning of surface, sputtering, coating of thin films, and polishing. The operational principle of HF TIS is based on the excitation of electrostatic waves in plasma located in the external magnetic field. Low power HF TIS with diameter 92 rom gives the opportunity to obtain beams of inert and chemically reactive gases with currents range from 5 to 150 mA (current density $0.015\;~\;3.5\;mA/\textrm{m}^2$) and ion beam energy 100 ~ 2500 eV at a HF power level 10 ~ 150 W. Three grid concave type ion optical system (IOS) is used for extraction and formation ofion beam.n beam.
Journal of the Microelectronics and Packaging Society
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v.14
no.1
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pp.19-26
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2007
This study was focused on the feasibility of ultrasonic bonding of Au flip chip bumps for a practical complementary metal oxide semiconductor (CMOS) image sensor with electroplated Au substrate. The ultrasonic bonding was carried out with different bonding pressures and times after the atmospheric pressure plasma cleaning, and then the die shear test was performed to optimize the ultrasonic bonding parameters. The bonding pressure and time strongly affected the bonding strength of the bumps. The Au flip chip bumps were successfully bonded with the electroplated Au substrate at room temperature, and the bonding strength reached approximate 73 MPa under the optimum conditions.
Transactions of the Society of Information Storage Systems
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v.9
no.2
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pp.42-47
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2013
In this study, we have experimentally analyzed how the surface properties of transparent electrode layer influence the photovoltaic performance of bulk heterojunction organic solar cell by the contact angle measurement and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) observation. As a result, the power conversion efficiency of test devices improved from 0.64% to 1.83% and 2.15% by UV-ozone exposure and $O_2$ plasma treatment, respectively. Thus, we conclude that the surface activation process is very important for better performance and stability in addition to the cleaning process of carbonate residue on the surface.
We propose an effective and environmentally friendly dry stripping method using a supercritical carbon dioxide ($SCCO_2$) system modified by a single and multiple cosolvents to remove ion-implanted photoresist and residue from a wafer surface at three different temperatures (97, 148, $200^{\circ}C$) and pressures (200, 300, 400 bar). After high dose of ion implantation the photoresist was not easily removed by using pure $SCCO_2$, but swollen. The $SCCO_2$ system modified by single cosolvents and multiple cosolvents mixed with aprotic solvents could not effectively remove the heavy organics, but swell them. However, the $SCCO_2$ system modified with multiple cosolvent (5%, v/v) composed of DMSO and DIW showed high removal efficiency for ion-implanted photoresists at $97^{\circ}C$ and 200 bar for 30 min (about 80%). In this study it has been shown that the dry stripping method using $SCCO_2$ system modified with multiple cosolvents could replace either plasma ashing or acid and solvent wet bench method and dramatically reduce accompanied chemical usage and disposal.
Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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1999.05a
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pp.2-2
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1999
금속재료의 표면 특성을 높이기 위해서 여러 표면처리 방법들이 사용되어져 오고 있다. 그 중 용사법에 의한 코팅방법이 최근의 현저한 기술적인 진보와 새로운 용사재료의 개발 등에 의해 여러 분야에 널리 응흉되고 있다. 일반적으로 이 용사법에 의한 코팅층은 다리, 선박 등의 대형 구조물에 대한 내식성 향상뿐만 아니라 자동차 및 항공기 부품, 핵 반응기 등의 코팅부에 널리 이용되고 였다. 특히 해수분위기에서 주로 사용되는 설비의 내식성을 향상시킬 목적으로 사용되 는 알루마늄 및 아연 합금의 용사 코팅층은 대부분의 경우 건조한 분위기보다는 수분이 많은 수용액 환경 하에서 사용되므로, 사용 환경 중에서 용사피막의 내식성을 조사하는 연구가 요구되고 있다. 사용되는 환경하에서의 침지시험에 의한 방법도 중요하지만, 가속화된 전기화학측정에 의한 방법 또한 이용된다. 열용사법에 의한 코팅층의 전기화학적 특성을 알아보기 위해서 3.5 % NaCI 수용액 내에서 AI 5 5083 모재와 Al-2%Zn 합금의 용사 코팅층 각각에 대한, 그리고 AI 5083 모재 위 AI-2%Zn 용사층이 코팅된 경우에 대한 분극거동과 침지시간에 따른 부식전위 및 분극저항성의 특성변화, 표면의 임피던스특성 변화 등을 측정하였다. 이 결과 모재에 대한 코팅층의 희생양극성올 판단할 수 있고, 모재/코팅 사스템의 분극거동은 혼성전위이론(mixed-potential theory)에 의해 결정되었다. 용사 코팅층이 박리되어 모재가 일부 드러난 경우를 모사한 시험편올 제작하고, 시험편 표면의 각 위치에 따라 부식전위 분포를 측정하였다. 그리고 측정 데이터를 기초로 표면의 상태변화를 모사하여 용사코팅에 의한 표면에서의 방식전위분포를 시율레이션하였다. 이와 같은 표면에서의 방식전위분포 해석을 통하여, 코팅층의 희생양극성에 의한 모재의 방식범위를 판단할 수 있다.의 비저 항을 갖는 철 박막에서도 99.9% 순도의 철을 타켓으로 하여 증착된 막은 일반 저탄소 강을 타켓으로 하여 증착된 막보다 훨씬 낮은 부식속도를 보였다.TEX>$He/O_2/Ar/N_2$의 gas를 사용 한 atmospheric pressure plasma cleaning 과 $Ar/O_2$의 gas를 사용한 ICP cleaning에서 이 차전자방출계수(SEEC)가 약 1.5~2.5배 증가된 것을 알 수 있었다. 저지능 등을 평가하여 각 실험결과를 비교분석하여 보았다. 수록 민감하여 304 의 IGSCC 와 매우 유사한 거동을 보인다. 본 강연에서는 304 와 600 의 고온 물에서 일어나는 IGSCC 민감도에 미치는 환경, 예민화처리, 합금원소의 영향을 고찰하고 이에 대한 최근의 연구 동향과 방식 방법을 다룬다.다.의 목적과 지식)보다 미학적 경험에 주는 영향이 큰 것으로 나타났으며, 모든 사람들에게 비슷한 미학적 경험을 발생시키는 것 이 밝혀졌다. 다시 말하면 모든 사람들은 그들의 문화적인 국적과 사회적 인 직업의 차이, 목적의 차이, 또한 환경의 의미의 차이에 상관없이 아름다 운 경관(High-beauty landscape)을 주거지나 나들이 장소로서 선호했으며, 아름답다고 평가했다. 반면에, 사람들이 갖고 있는 문화의 차이, 직업의 차 이, 목적의 차이, 그리고 환경의 의미의 차이에 따라 경관의 미학적 평가가 달라진 것으로 나타났다.corner$적 의도에 의한 경관구성의 일면을 확인할수 있지만 엄밀히 생각하여 보면 이러한 예의 경우도 최락의 총체적인 외형은 마찬가지로 $\ulcorner$순응$\lrcorner$의 범위를 벗어나지 않는다. 그렇기 때문에도 $\ulcorner$순응$\lrcorne
Journal of Dental Rehabilitation and Applied Science
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v.32
no.4
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pp.263-273
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2016
In the implant prosthetic procedure, the soft tissue reaction was varied with the material and surface treatment of the abutment. It may be the cause of the peri-implantitis, and hence it can affect the long-term prognosis of the implant prosthesis. Titania and zirconia abutment presented superior biocompatibility and stable soft tissue reaction, while gold alloy abutment showed unfavorable reaction sometimes. A soft tissue reaction can be differed by the surface characteristics even in the same material type. Because rougher surface induces a bacterial attachment, the part contacting a soft tissue should have smooth surface. Additional surface treatment can enhance the cellular response without increasing bacterial attachment. Repeated removal and insertion of the abutment and the shape of the abutment may affect the soft tissue reaction, also. Ultrasonic cleaning and argon plasma cleaning are effective way to clean the retained micro-dust on the customized abutment.
Park, Mi-Jung;Lee, Taek-Soon;Kang, Meea;Han, Chi-Bok
Journal of Korean Society of Environmental Engineers
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v.38
no.6
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pp.291-298
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2016
Electrochemical water treatment process as a useful treatment method for the removal of non-degradable matter has been consistently studied for several decades. Key process of electrochemical water treatment are oxidation reaction from an anode and reduction from a cathode. In this study, the effect of pre-treatment methods in the insoluble electrode manufacturing process for the water treatment has been evaluated for the life time of electrode The results of this study showed that pre-treatment methods of a base metal such as surface roughness, clean method and interlayer formation influenced to life time of electrode when the same condition (catalyst electrode layer coating method and material system) was applied for pre-treatment methods. This study was conducted by using $IrO_2/Ti$ electrode In the test of sand-blasting process, an electrode manufactured by using sanding media of different sizes resulted in the most effective electrode life time when the size of alumina was used for $212{\sim}180{\mu}m$ praticle size (#80). The most effective method was considered using arc plasma in the additional roughness control and cleaning process, sputtering method to form Ta type interlayer formation process.
Kim, Dae-Uk;An, Yeong-O;Im, Eun-Seok;Lee, Han-Yong;Wi, Sun-Im;Choe, Dae-Gyu;Choe, Sang-Don
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2015.08a
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pp.141.2-141.2
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2015
교류임피던스 측정기법을 이용하여 전기화학적으로 외부환경에서 소재 금속까지 물질 및 전하이동에 관한 임피던스 측정이 가능하며 도막의 부식 및 노화정도 및 내식성의 평가가 가능하여 산업체에서 널리 이용되고 있다. RPCS(Remote Plasma Cleaning Source)는 패널 및 반도체 제조공정에서 CVD 증착공정 후 챔버 내부에 입혀지는 Si(실리콘)을 화학적으로 세정하기 위한 F(불소) Radical을 공급하는 원격 고밀도 플라즈마를 발생시키는 제품이다. RPCS의 바디는 알루미늄을 사용하고 절연 및 플라즈마에 대한 내구성을 확보하기 위해 아노다이징 코팅을 한다. 반응기 내벽의 표면이 공정 플라즈마에 노출될 때 소재는 화학적으로 매우 활성이 높은 라디칼과의 반응뿐만 아니라 이온의 충격을 동시에 받게 되며 이 과정에서 다량의 불소 (Fluorine) 라디칼과 전계에 반응한 이온의 운동에 노출되면서 아노다이징 코팅이 손상되는데 이는 기기의 수명 단축 및 파티클을 발생시키며, Arc의 원인이 되기도 한다. 실제 사용 환경에서는 기기의 분해 없이 아노다이징의 상태를 주기적으로 모니터링 하기가 대단히 어려워, 정기적으로 교체하고 있는 실정이다. 본 연구에서는 RPCS내 발생된 플라즈마 현상을 컨덕터로 활용하여 고주파 리액턴스를 임피던스로 환산하여 아노다이징 코팅의 손상 정도를 진단 및 모니터링하였다. 아노다이징이 손상된 내부 블럭과 정상상태인 내부 블럭의 임피던스를 비교하였고, 아노다이징 두께별 임피던스를 측정하였다. 그 결과 아노다이징 절연막이 손상된 블록의 임피던스가 정상 블록에 비해 낮았으며 두께별 임피던스도 비례함을 알 수 있었다. 향후에는 장기간 현장에서 축척되어진 시험데이터를 바탕으로 아노다이징 코팅의 수명예측진단 시스템을 구축하고자 한다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2008.11a
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pp.259-259
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2008
The LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) technology meets the requirements for high quality microelectronic devices and microsystems application due to a very good electrical and mechanical properties, high reliability and stability as well as possibility of making integrated three dimensional microstructures. The wet process, which has been applied to the etching of the metallic thin film on the ceramic substrate, has multi process steps such as lithography and development and uses very toxic chemicals arising the environmental problems. The other side, Plasma technology like ion beam sputtering is clean process including surface cleaning and treatment, sputtering and etching of semiconductor devices, and environmental cleanup. In this study, metallic multilayer pattern was fabricated by the ion beam etching of Ti/Pd/Cu without the lithography. In the experiment, Alumina and LTCC were used as the substrate and Ti/Pd/Cu metallic multilayer was deposited by the DC-magnetron sputtering system. After the formation of Cu/Ni/Au multilayer pattern made by the photolithography and electroplating process, the Ti/Pd/Cu multilayer was dry-etched by using the low energy-high current ion-beam etching process. Because the electroplated Au layer was the masking barrier of the etching of Ti/Pd/Cu multilayer, the additional lithography was not necessary for the etching process. Xenon ion beam which having the high sputtering yield was irradiated and was used with various ion energy and current. The metallic pattern after the etching was optically examined and analyzed. The rate and phenomenon of the etching on each metallic layer were investigated with the diverse process condition such as ion-beam acceleration energy, current density, and etching time.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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1998.02a
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pp.71-72
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1998
반도체 집적 공정의 발달로 차세대 소자용으로 30 A 이하의 극 박막 Si02 절연막이 요구되고 있으며, 현재 제품으로 50-70 A 두께의 절연막을 사용한 것이 발표되고 있다. 절연막의 두께가 앓아질수록 많은 문제가 발생할 수 있는데 그 예로 절연막의 breakdo때둥에 의한 신뢰성 특성의 악화, 절연막올 통한 direct tunneling leakage current, boron풍의 dopant 침투로 인한 소자 특성 ( (Threshold Voltage)의 불안, 전기적 stress하에서의 leakage current증가와 c charge-trap 및 피terface s쩌.te의 생성으로 인한 소자 특성의 변화 둥으로 요약 된다. 절연막의 특성올 개선하기 위해 여러 가지 새로운 공정들이 제안되었다. 그 예로, Nitrogen올 Si/Si02 계면에 doping하여 절연막의 특성을 개선하는 방법 으로 고온 열처 리 를 NH3, N20, NO 분위 기 에서 실시 하거 나, polysilicon 또는 s silicon 기판에 nitrogen올 이온 주입하여 열처리 하는 방법, 그리고 Plasma분 위기에서 Nitrogen 함유 Gas를 이용하여 nitrogen을 doping시키는 방법 둥이 연구되고 있다. 또한 Oxide cleaning 후 상온에서 성장되는 oxide를 최소화 하여 절연막의 특성올 개선하기 위하여 LOAD-LOCK을 이용하는 방법, C뼈피ng 공정의 개선올 통한 contamination 감소와 silicon surface roughness 감소 로 oxide 신뢰성올 개선하는 방법 둥이 있다. 구조적 인 측면 에 서 는 Polysilicon 의 g없n size 를 최 적 화하여 OxideIPolysilicon 의 계면 특성올 개선하는 연구와 Isolation및 Gate ETCH공정이 절연막의 특성에 미 치 는 영 향도 많이 연구되 고 있다 .. Plasma damage 가 Oxide 에 미 치 는 효과 를 제어하는 방법과 Deuterium열처리 퉁올 이용하여 Hot electron Stress하에서 의 MOS 소자의 Si/Si02 계면의 신뢰성을 개선하고 있다. 또한 극 박막 전연막의 신뢰성 특성올 통계적 분석올 통하여 사용 가능한 수명 올 예 측 하는 방법 과 Direct Tunneling Leakage current 를 고려 한 허 용 가농 한 동작 전 압 예측 및 Stress Induced Leakage Current 둥에 관해서 도 최 근 활발 한 연구가 진행되고 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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