This research was attempted to improve the hydrophilicity of polypropylene(PP) by using low temperature plasma polymerization of acrylic acid(AA) as a starting material. The results of the present study were as follows: The PP films deposited with AA plasma polymer showed excellent hydrophilicity, that the polar parts were about 20 dyn/cm, and also that the surface tensions were about 55 dyn/cm, whereas the disperse parts were not changed. Work of adhesions of the PP films deposited with AA plasma polymer were above 100 erg/ $cm^{2}$. AA plasma polymer formed by low temperature plasma polymerization of acrylic acid(AA) was even thin layer which contained many -OH groups.
This work was carried out to develop a pattern on the nanometer scale using plasma polymerization and plasma etching. This study is also aimed at developing a resist for the nano process and a vacuum lithography process. The thin films of plasma polymerization were fabricated by the plasma po1ymerization of inter-electrode capacitively coupled gas flow system. After delineating the pattern at accelerating voltage of 30[kV]. ranging the dose of 1∼500[${\mu}$C/$\textrm{cm}^2$], the pattern was developed with dry tree and formed by plasma etching. By analysing of the molecule structure using FT-lR, it was confirmed that the thin films of PPMST contains the functional radicals of the MST monomer. The thin films of PPMST had a highly crosslinked structure resulting in a higher molecule weight than the conventional resist.
In this paper, we study on the plasma polymerized styrene as a negative electron-beam resist. Plasma polymerized thin film was prepared using an interelectrode inductively coupled gas-flow type reactor. We show that polymerization parameters of thin film affect sensitivity and etching resistance of the resist. Molecular weight distribution of plasma polymerized styrene is 1.41-3.93, and deposition rates of that are 32-383[.angs./min] with discharge power. Swelling and etching resistance becomes . more improved with increasing discharge power during plasma polymerization. Etch rate by RIE is higher than that by plasma etching.
In order to prepare the functional organic optic meterials, the capacitive coupled gas flow type plasma polymerization apparatus was designed and manufactured. Styrene and para-Xylene monomer were adopt as organic materisl. Optical constant, refrative index, extinction coefficient of organic thin films by the gas flow type plasma polymerization appratus were determined by envelope method using spectrophotometry. The refractive index of plasma polymerized thin films was decreased in accordance to increase of wave length and discharge time. The extinction coefficient was very small compared with refractive index. From the experimental result of optical constant and film thickness, it was considered that the films which had required optical properties and thickness can be prepared by control of polymerization condition.
Transparent indium tin oxide (ITO) anode surface was modified using $O_3$ Plasma and organic ultrathin buffer layers were deposited on the ITO surface using 13.56 MHz RF plasma polymerization technique. The EL efficiency, operating voltage and lifetime of the organic light-emitting device (OLED) were investigated in order to study the effect of the plasma surface treatment and role of plasma polymerized organic ultrathin buffer layer. Poly methylmethacrylate (PMMA) layers were plasma polymerized on the ITO anode as buffer layer between anode and hole transport layer (HTL). The plasma polymerization of the organic ultrathin layer were carried out at a homemade capacitive-coupled RF plasma equipment. N,N'-diphenyl-N,N'(3- methylphenyl)-1,1'-diphenyl-4,4'-diamine (TPD) as HTL, Tris(8-hydroxyquinolinato) Aluminum $(Alq_3)$ as both emitting layer (EML)/electron transport layer (ETL), and aluminum layer as cathode were deposited using thermal evaporation technique. Effects of the plasma surface treatment of ITO and plasma polymerized buffer layers on the OLED performance were discussed.
Polymerization of tetraethoxysilane on a glass substrate was investigated by remote microwave plasma using argon with portions of nitrous oxide as carrier gas. Transparent layer like a thickness of 0.5 ${\mu}m$ 3 ${\mu}m$ were obtained, differing in chemical composition, depending on plasma power and treatment time as well as on ageing time. In general the milder the treatment and the shorter the ageing was, the higher was the content of organic structural elements in the layer. We have identified that the chemical structure of our samples composed of mainly Si O and Si C groups containing aliphatics, carbonyl groups. These results were obtained by X ray photon spectroscopy, Fourier transformed infrared spectroscopy, and scanning electron microscope combined with Energy dispersive X ray spectroscopy.
This work was carried out to develop a pattern on the nanometer scale using plasma polymerization and plasma etching. This study is also aimed at developing a resist for the nano process and a vacuum lithography process. The thin films of plasma polymerization were fabricated by the plasma polymerization of inter-electrode capacitively coupled gas flow system. After delineating the pattern at accelerating voltage of 30[kV], ranging the dose of $1-500[{\mu}C/cm^2$], the pattern was developed with dry type and formed by plasma etching.
Polymer thin films were prepared by radio frequency (RF) plasma polymerization of phthalic anhydride (PA). First, monomer vaporization temperature ($100{\sim}160^{\circ}C$) was optimized by evaluating the thermal properties of thin films using differential scanning calorimeter (DSC) and measuring the root-mean-square (RMS) roughness with atomic force microscope (AFM) at the fixed plasma power of 10 W and time of 5 min in a continuous-wave (CW) mode. Plasma power (5~20 W) was then optimized by measuring the film solubility in solvents such as toluene, acetone, dimethylsulfoxide (DMSO) and 1 methylpyrrolidine (NMP). Next, pulsed mode plasma polymerization was also studied by varying the duty cycle of on-time (5, 20%) under optimized conditions of continuous-wave (CW) mode ($120^{\circ}C$, 10 W) in order to increase the anhydride functional groups. Finally, polymer thin films were characterized by Fourier transform infrared spectroscopy (FT-IR), thermogravimetric analyzer (TGA) and ${\alpha}$-step.
The distinguishing characteristic of the glow discharge is that chemical reaction induced by partially ionized gases are limited only to the substrate surface. Most studies have been done on the plasma etching and polymerization. The graft polymerization in vapour phase by cold plasma has been rarely investigated. In this study the system of tub3ar reaction chamber with capacitively coupled electrode of alternative current of 60 Hz was employed for the graft polymerization. The graft polymerization of Acylic Acid(AA) onto the poly (ethylene terephthalate) (PET) was carried out by treatment of PET film and fabric by cold plasma (glow discharge of argon gas), followed by the supply of AA vapour. The graft yield was about 1 wt%. The surface property was determined by contact angle, the surface tension was evaluated by zisman’s plot and equation of surface tension mesurement. The results were as follows: 1. In order to obtain lower contact angle, it was effective to avoid the vicinity of electrodes for a setting position of substrate. 2. Contact angle affected on the monomer pressure and its duration of exposure to the acid vapour. 3. Polymer radical formation was influenced by the changes of the value of current density and plasma treatment time. 4. Total surface tension of plasma grafted PET film increased. With an increase in the carboxylic acid content, the dispersion force decreased, while, the polar force and hydrogen bonding force increased. 5. The contact angle decreased from $75^\circ$ to around $30^\circ$ by plasma grafting. There was no ageing effect on the contact angle after 4 months.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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