• 자원리싸이클링
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• 제7권4호
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• pp.22-26
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• 1998

M-type Ba-ferrite(${BaFe}_{12-2X}{Ti}_{X}{Co}_{X}{O}_{19}$)의 ${Fe}^{3+}$ 이온 대신에 A이온의 위치에는 비자성 이온인 ${Ti}^{4+}$을, Me이온은 위치에는 ${Co}^{2+}$을 치환시켜 치환량 x의 변화에 따른 결정자기이방성 감소를 관찰하고, 고주파 대역에서 전파흡수재로서 사용가능 여부를 실험하였다. 치환결과 보자력은 결정자기이방성이 감소함에 따라 급격히 감소하는 경향을 보였으며, 포화자화값은 ${Fe}^{3+}$이온 대신에 비자성인 ${Ti}^{4+}$이온이 치환됨에 따라 거의 직선적으로 감소하였다. 특히, 치환량이 1.2일 때 보자력은 185 Oe로 가장 낮았고, 포화자화는 43.5emu/g의 값을 나타내었다. 반사손실을 계산한 결가 Ti-Co 치환량 0.8일 때 2mm흡수체의 경우 10~16㎓의 대역에서 반사손실-10㏈(90%흡수)이하였으며, 감쇠능의 측정결과 12~16㎓의 대역에서 20㏈(99% 감쇠)로 12~16㎓의 고주파 대역에서 전파흡수재로 사용이 가능함을 예측할 수 있었다.

• 한국자기학회지
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• 제18권4호
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• pp.136-141
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• 2008

Ru-Co가 복합 치환된 M-type Ba-ferrite($BaFe_{12-2x}Ru_xCo_xO_{19}$)의 치환량 x의 변화에 따른 자기적 특성과 전파흡수 특성에 관해 조사하였다. 기존의 Ti-Co를 치환시킨 경우보다 적은 양의 치환(x=0.3)으로 면내 자기이방성을 보이는 낮은 보자력($H_c$)과 높은 포화자화($M_s$) 값을 얻을 수 있었다. 따라서 Ru-Co 치환량 조절에 의해 GHz 대역에서 자연공명주파수의 조절이 가능하였다. 소결체 및 복합체에서 흡수 주파수 대역은 보자력이 증가할수록 고주파 대역으로 이동한다. 복합체에서 페라이트 혼합량이 증가함에 따라 복소투자율과 복소유전율의 값이 증가하기 때문에 정합주파수는 저주파 대역으로 이동한다. 이러한 특성들을 이용하여 순수한 M-형 육방정 페라이트에 Ru-Co의 치환량, 복합체에서 페라이트 분말의 혼합량, 그리고 흡수체의 두께의 제어를 통하여 GHz 주파수 대역에서 양호한 전자파 흡수체, 노이즈 감쇠재의 제조가 가능함을 제시할 수 있다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제16권12S호
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• pp.1187-1194
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• 2003

A BCl$_3$/Ne plasma chemistry was used to etch Ga-based (GaAs, AIGaAs, GaSb) and In-based (InGaP, InP, InAs and InGaAsP) compound semiconductors in a Planar Inductively Coupled Plasma (ICP) reactor. The addition of the Ne instead of Ar can minimize electrical and optical damage during dry etching of III-V semiconductors due to its light mass compared to that of Ar All of the materials exhibited a maximum etch rate at BCl$_3$ to Ne ratios of 0.25-0.5. Under all conditions, the Ga-based materials etched at significantly higher rates than the In-based materials, due to relatively high volatilities of their trichloride etch products (boiling point CaCl$_3$ : 201 $^{\circ}C$, AsCl$_3$ : 130 $^{\circ}C$, PCl$_3$: 76 $^{\circ}C$) compared to InCl$_3$ (boiling point : 600 $^{\circ}C$). We obtained low root-mean-square(RMS) roughness of the etched sulfate of both AIGaAs and GaAs, which is quite comparable to the unetched control samples. Excellent etch anisotropy ( > 85$^{\circ}$) of the GaAs and AIGaAs in our PICP BCl$_3$/Ne etching relies on some degree of sidewall passivation by redeposition of etch products and photoresist from the mask. However, the surfaces of In-based materials are somewhat degraded during the BCl$_3$/Ne etching due to the low volatility of InCl$_{x}$./.