• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2012년도 춘계학술발표회 논문집
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• pp.277-277
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• 2012

New concept of coating process, which is called Electro Magnetic Levitation-Physical Vapour deposition (EML-PVD) was developed and investigated. Zinc coating was performed and succeeded for the first time on the steel strip (Cold-rolled Steel) in a continuos pilot line using the EML-PVD process which is specialized in the high deposition rate and high vapor yield. EML-PVD will be expected to be the next generation coating technology to be applied to the steel industry.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권2호
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• pp.240-248
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• 1998

화학기상증착 방법에 의한 다결정 다이아몬드 박막성장을 위한 공정가운데 가장 많이 사용되는 기법중의 하나가 바로 플라즈마에 의한 방법이다. 특히 플라즈마 화학기상증착(Plasma-Enhanced CVD)기술에 의한 다이아몬드 박막응용은 그 공정에 대한 세부 조정을 통하여 더욱 향상시킬 수 있다. 다이아몬드 박막증착의 경우 중요 변수들은 다이아몬드 필름이 증착되는 기판(substrate)의 온도, $CH_4/H_2$가스비율, 전체가스 압력 및 가스 excitation에너지 등이다. 분광 ellipsometry는 다이아몬드 필름 증착과 관련된 극단적인 환경에서도 물리적인 접촉이나 만들어지는 샘플의 손상없이도 필름자체의 여러 성질뿐만 아니라 기초 샘플의 온도까지도 결정할 수 있는 좋은 방법이다. 이러한 장점들을 이용하여 양질의 다이아몬드 박막을 성장시키기 위한 조건과 그에 따른 박막 특성을 얻기 위하여 분광 ellipsomerry의 사용과 해석이 소개된다. 그리고, 분광 ellipsometry를 이용, 플라즈마 화학기상증착 기술에 의하여 성장되는 다이아몬드 박막으로부터 나타나는 중요 변수들이 결정될 것이며 이러한 변수들은 필름의 두께, 필름에 포함되는 void 및 비다이아몬드의 체적비와, 그들의 시간에 따른 변화등을 포함한다. 그리고 샘플이 원하는 두께까지 성장된 후에 라만 분광기로 측정되어 다이아몬드 성분을 확인한다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2006년도 High Temperature Superconductivity Vol.XVI
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• pp.42-42
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• 2006

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 2007년도 High Temperature Superconductivity Vol.XVII
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• pp.34-34
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• 2007

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2013년도 제44회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.644-644
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• 2013

Graphene is a two-dimensional sp2 layer material. Despite the short history in the empirical synthesis of the graphene layers, the academic/industrial unique features have brought highly significant interest in research and development related to graphene-related materials. In particular, the electrical and optical performances have been targeted towards pre-existing microelectronicand emerging nanoelectronic applications. The graphene synthesis relies on a variety of processing factors, such as temperature, pressure, and gas ratios involving H2, CH4, and Ar, in addition to the inherent selection of copper substrates. The current work places its emphasis on the role of experimental factors in growing graphene thin films. The thermally-grown graphene layers are characterized using physical/chemical analyses, i.e., four point resistance measurements, Raman spectroscopy, and UV-Visible spectrophotometry. Ultimately, an optimization strategy is proposed in growing high-quality graphene layers well-controlled through empirical factors.

• 한국표면공학회지
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• 제25권6호
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• pp.287-292
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• 1992

Silicon nitride thin film (SiNx) was deposited onto the 3inch silicon wafer using an electron cyclotron resonance (ECR) plasma apparatus. The thin films which were deposited by changing the SiH4N2 gas flow rate ratio at 1.5mTorr without substrate heating were analyzed through the x-ray photo spectroscopy (XPS) and ellipsometer measurements, etc. Silicon nitride thin films prepared by the electron cyclotron resonance plasma chemical vapor deposition method at low substrate temperature (<10$0^{\circ}C$) exhibited excellent physical and electrical properties. The very uniform and good quality silicon nitride thin films were obtained. The characteristics of electron cyclotron resonance plasma were inferred from the analyzed results of the deposited films.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 춘계학술대회
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• pp.177-181
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• 2006

반도체를 만드는데 있어서 여러가지 박막을 형성하는 공정이 있다. 이때 가장 많이 쓰이는 방법이 CVD(Chemical Vapor Deposition)방법이나 PVD(Physical Vapor Deposition)방법이다. 이들 방법으로 막을 형성하게 되면, 웨이퍼 이면에도 막이 형성되게 된다. 웨이퍼 후면에 증착된 막은 공정 특성상 두께분포가 균일하지 못하고 다음 공정 중에 웨이퍼 전면을 오염시킬 수 있다. 후면의 박막이 있는 상태로 웨이퍼가 batch 방식의 습식공정이 진행되면, 후면의 박막이 떨어져 나와서 웨이퍼 전면을 오염시키게 된다. 또한 공정에 따라서 기판전면은 식각 시키지 않고 후면만 식각 시키는 경우가 발생하는데, 이때 웨이퍼 아래에 설치된 노즐을 사용하여 웨이퍼 후면의 박막을 식각할 수 있다. 본 연구는 노즐에서 약액이 분사되는 방향과 위치를 조절하여 매엽식 장비에서 웨이퍼 후면의 막을 균일하게 식각 시킬 수 있는 노즐을 제작하고 웨이퍼 후면의 $Si_{3}N_{4}$막을 분당 $1000{\AA}$이상 식각 하였으며 균일도를 5% 이하로 하였다.

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2002년도 춘계학술강연 및 발표대회
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• pp.53-53
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• 2002

본 연구에서는 산화텅스텐($WO_3$) 분말을 이용하여 여러 금속 기판에 텅스텐 박막을 코팅하는 방법에 관한 연구를 수행하였다. 본 연구에서 언급되는 W 코팅은 Lee 등이 보고한 W, Cu 산화물을 이용하여 W-Cu 복합분말을 제조하는 것으로부터 아이디어가 출발되었으며, 본 연구의 결과는 기존의 6불화 텅스텐 가스($WF_6$) 를 열 분해하여 증착시키는 화학증착법(CVD: chemical vapor deposition)과 순수 텅스텐 target을 sputtering하여 증착시키는 물리증착법(PVD: physical vapor deposition)과 달리, 산화텅스텐 분말, 금속 기판, 및 수소 가스만을 사용하기 때문에 경제적으로 큰 장점이 있는 새로운 코팅법의 하나로 연구되었다. 본 연구에서는 새로운 코팅법의 기구와 여러 금속에서 코팅되는 W의 코팅 현상 등에 대해 간단히 언급하고자 하였다.

• 열처리공학회지
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• 제6권4호
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• pp.223-229
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• 1993

Extensive reseach has been performed on the process condition-micro structure-stress relations of TiN film. The various proposed models are mainly base on physical vapor deposition processes. Especially the study on the micro-structure and deposition condition has not been sufficient in TiN deposited by PECVD. In this study, therefore, we discussed the morphological changes of TiN films by PECVD with different temperature and pressure, and compared it with the structure zone model. We could find out that the oxygen and chlorine contents and the texture coefficient increased with deposition temperature, and the morphology of TiN transformed from Zone 1 to Zone T, but deposition pressure didn't remarkly affected.

• 한국표면공학회지
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• 제18권3호
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• pp.116-124
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• 1985

Chemical vapor deposition of $SnO_2$ on Pyrex glass substrate has been investigated using $SnCl_4$ and Oxygen at relatively low temperatures(300-500$^{\circ}C$). The critical flow rate, which delineated the surface reaction controlled region from the mass transfer controlled region, was increased with deposition temperature. The apparent activation energy obtained in surface reaction controlled region was about 6Kcal/mole. The results show that deposition rate, electrical conductivity and transmittance were affected mainly by partial pressure of $SnCl_4$, but little by partial pressure f oxygen. The % transmission of 5000A-thick $SnO_2$ film was about 90% in visible spectrum region and sheet resistance was varied in 0.1-10${\Omega}$ per square shaped portion of the outer surface of the oxide.