• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.95-100
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• 1998

A helical inductively coupled plasma asher, which produces low energy and high density plasma, has been built and investigated for photoresist stripping process. Oxygen ion density in the order of $10^{11}/cm^3$ is measured by Langmuir probe, and higher oxygen radical density is observed by Optical Emission Spectrometer. As RF source power is increased, the plasma density and thus photoresist stripping rate are increased. Independent RF bias power to the wafer stage provides a dc bias to the wafer and an ability to add the ion assisted reaction. At 1 KW of the source power, the coupling mechanism of the RF power to the plasma is changed from the inductive mode to the capacitive one at about 1 Torr. This change causes the plasma density and ashing rate decreases abruptly. The critical pressure of the mode change becomes larger with larger RF power.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제8권5호
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• pp.211-214
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• 2007

Chemical and morphological changes of phenol formaldehyde-based photoresist after $O_2$ radiofrequency(RF) plasma treatment depending on exposure time and source power were investigated. It was found that etch rate of photoresist sharply increased after discharge turn on and reached a limit with increase in plasma exposure time. Contact angle measurements and X-ray photoelectron spectroscopy(XPS) analysis showed that the surface chemical structure become nearly constant after 15 sec of the treatment. Atomic force microprobe(AFM) measurements were shown that surface roughness was increased with plasma exposure time.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.242-242
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• 2008

반도체 공정에서 일정한 패턴을 만들기 위하여 Photoresist (PR)를 이용한 식각 공정을 사용하게 된다. 이러한 식각 공정은 반도체 직접도가 증가되면서 더욱 많은 단계의 공정을 요구하게 되었다. 그러나 식각 공정의 증가는 반도체 소자 생산을 위한 더 많은 시간과 비용을 요구하게 된다. 이를 해결하기 위하여 Photoresist를 사용하지 않은 공정으로 공정 단계를 간소화하기 위한 연구를 진행하고 있지만 아직 명확한 대한은 없다. 본 연구에서 는 PR의 strip 시간을 최대한 단축시키고 PR strip 잔여물의 빠른 제거를 위하여 기존 공정에서 사용 중인 strip 약 액을 플라즈마에 의하여 활성화하는 방법으로 PR strip 시간을 최대한 줄이는 방법에 대한 연구를 진행하였으며, 활성화된 strip용액이 더욱 빠른 strip율을 나타내는 것을 확인하였다. 또한 약액 활성화 방법으로 활성화된 strip 용액으로 PR을 일부 제거한 후 PR 표면의 물리적 특성 변화를 분석하여 약액 활성화된 strip 용액으로 인한 PR의 특성을 물리적 방법으로 접근하여 연구를 진행하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권1호
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• pp.59-66
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• 1996

Polyimides containing cyclobutane ring in main chain is known to be thermally stable and able to be developed in organic solvents after photolysis with 254 nm UV light. This type of polyimides can be used as promising positive photoresist in VLSI fabrication process. In the current VLSI process, photoresist films are formed by spin coating. The film thickness is more than several hundred nano meters. It seems that there is room for improvement of film coating process by introducing Langmuir Blodgett technique. Thereby ultra thin film photoresist can be formed, and higher density of integration in VLSI be achieved. In the present work, depositing procedure of LB films of this polyimide was investigated. LB film thickness was measured by ellipsometry to evaluate deposited film status. Chemical imidization procedure was studied to avoid several problems in thermal imidization. The pattern of submicron dimension has successfully formed on LB film of 8nm thick, which found showing good contrast.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.132-133
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• 2007

반도체 소자의 제조 공정 기술이 발전하고 초고집적화가 됨에 따라 소자 선폭도 급속하게 감소하였다. 이로 인하여 기존의 식각 공정에서 식각 후 남은 잔여 Photoresist residue는 소자 생산에 큰 영향이 없었으나 현재 이러한 잔여물은 초고집적 소자에 치명적인 문제를 발생시킬 수 있다. 본 실험에서는 세정액 분자에 플라즈마 충격을 가하여 세정액을 활성화함으로써 기존의 세정액과의 세정능력을 비교 분석하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권11호
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• pp.1143-1148
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• 2004

In this study, photoresist stripping in semiconductor or LCD (liquid crystal display) fabrication processes using DIO, was investigated. In order to obtain the high PR stripping efficiency of DIO. we have developed new ozone-generating system with high ozone concentration and ozone-resolving system with high contact ratio. In this study, we obtained ozone gas concentrations of 11 % by new ozone-generating system, ozone-resolving efficiency of 99.5 % and maximum solubility of 130 ppm in deionized water. We applied the newly designed equipments to photoresist stripping processes and obtained similar results to SPM(sulfuric-peroxide mixture) process characteristics.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2007년도 제33회 하계학술대회 초록집
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• pp.77-77
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• 2007

• 한국응용과학기술학회지
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• 제32권3호
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• pp.512-521
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• 2015

PCB 제조에서 photoresist와 Copper Clad Laminate(CCL)의 구리표면과의 부착력을 항상시키기 위하여 사용되는 soft etching제를 제조하기 위하여 과산화수소 사용을 배제하고, 유기산과 유기과산화물을 이용하여 산의 종류, 농도, 에칭시간 등에 따른 구리표면의 에칭속도, 표면 조도, 및 오염도 등을 조사하였다. 또한 에칭 후의 표면의 얼룩을 제거하기 위한 안정제의 최적 배합 및 농도도 확립하였다. 본 연구 결과 유기산의 종류 중에서는 아세트산이 초기 구리 에칭속도가 가장 빨랐으며, 농도가 0.04 M이었을 때 $0.4{\mu}m/min$이였다. 유기과산화물인 APS의 농도는 높을수록 에칭속도가 가장 빨랐으나, 표면 오염이 심각하였다. 안정제 용액의 조성도 표면 오염도에 큰 영향을 주었다. 결과적 0.04 M 아세트산, 0.1M APS에 4 g/L의 안정제(ST-1)를 첨가한 에칭액의 경우 $0.37{\mu}m/min$의 에칭속도와 표면오염이 전혀 없으며, 표면 조도도 가장 우수하였다. 즉, CCL과 photoresist와 접착력을 향상시킬 수 있을 것으로 판단된다.

• 청정기술
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• 제13권4호
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• pp.257-265
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• 2007

반도체 공정에서 배출되는 폐 포토레지스트 스트리퍼(photoresist stripper)의 주성분인 NMP (N-methy-pyrrolodione)와 BDG (Butyldiglyrcol)를 회수하여 재활용할 목적으로 나선형 스핀밴드시스템(spinning band stem)이 장착되어 있는 진공증류장치를 이용하여 실험실적 규모의 증류실험을 수행하였다. 정제된 NMP와 BDG의 순도는 포토레지스트 스트리퍼용 용제 기준 물성치인 순도 99.5% 이상이었고, 수분 1000 ppm 이하, 색도(APHA) 50 이하, 나트륨 성분을 제외한 대부분의 금속성분은 1 ppb 이하로 반도체용 스트리퍼 용액 제조에 재활용할 수 있는 수준임을 확인하였다. NMP와 BDG의 회수을은 PR스트리퍼 폐액 A 타입의 경우 NMP 96%, BDG 53%, B 타입의 경우 NMP 93%, BDG 57%이었다.

• 청정기술
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• 제24권3호
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• pp.175-182
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• 2018

본 연구에서는 유동박리공정에서 개발된 수계박리액의 수분함유량의 최적화를 통한 청정성을 연구하였다. 감광제 박리 특성을 상용 유기계 박리액과 비교 고찰하였다. 박리성능은 감광제의 패터닝 전 투명전극샘플과 코팅된 샘플을 박리 한 후의 투명전극표면에서의 전기 및 광학적 특성의 평가를 통해 비교 하였다. 상용화된 유기계 박리액과 수분함유량이 최적화된 수계 박리액의 감광제박리 공정 결과 수계박리액이 유기계 박리액보다 동등 이상의 우수한 전기 및 광학적 특성 결과를 나타내었다. 유동 박리공정에서 유기계 박리액은 박리 중 감광제가 용해되어 박리액내부로 용해가 된 반면, 개발 중인 수계박리액은 용제에 포함된 cyclodextrin에 의한 감광제 포집으로 박리액의 감광제 용해 감소의 효과가 나타난 것으로 판단된다. 이러한 박리 메커니즘의 차이에 의한 박리공정 후 유기계와 수계 박리액의 청정성을 비교 분석하였다.