Park, Ji-Koon;Heo, Ye-Ji;Kim, Kyo-Tae;Noh, Si-Cheol;Kang, Sang-Sik
Journal of the Korean Society of Radiology
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v.10
no.1
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pp.1-6
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2016
Recently, the various digital X-ray imaging devices using CCD and TFT LCD-based flat panel digital X-ray sensor are being used. In particular, a number of studies on photon counting sensor technique have been reported. In this study, the incident X-rays fluence on the photon counting sensor material was measured to estimate photon detection efficiency which is the quantitative performance evaluation factor of photon counting sensor. The result of measuring the photon fluence by using RQA-M2 Radiation beam quality of IEC 61223-1-2 recommendations, the incident photon fluence could be defined as about $4 photons/(0.01mm)^2{\cdot}{\mu}Gy$ within $10{\mu}m$ pin-hole area, and about $50photons/(0.03mm)^2{\cdot}{\mu}Gy$ within $30{\mu}m$ pin-hole area, and about $698photons/(0.1mm)^2{\cdot}{\mu}Gy$ within $100{\mu}m$ pin-hole area. Consequently, with the previously setup of the incident fluence, the measuring of actual photon counting efficiency by observing the output waveform of the photon counting sensor material was considered possible.
This paper will discuss the latest results from an advanced array test system, using newly developed sensor technology. A comparison of detection results between old and new generation products will be shown along with a discussion of the advantages of the new, higher signal to noise ratio detector.
This study was conducted to analyze the opto-electric characteristics of light-emitting diodes(LED) designed for growth and morphogenesis control of transplant and to quantify the photon flux emittig from LED using a quantum sensor spectroradiometer. Difference in photon flux for blue and red LED between measured by a quantum sensor and measured by a spectroradiometer and numerically integrated was not observed. This result implies a spectroradiometer can be applied to quantify the photon flux emitting from far-red LED, which can not be measured using a quantum sensor. Since photon flux increases in proportion to wavelength, photon flux of LED modules arranged for red and far-red increased in proportion to wavelength, photon flux of LED modules arranged for red and rar-red increased gradually as the number of LED stick emitting far-red in LEd modules increased. Illumination of LED modules arranged for red and far-red decreased as the number of LED stick emitting far-red in LED modules increased. There was no difference in irradiance between LED modules arranged for red and far-red.
In this study, a two-dimensional fiber-optic radiation sensor has been developed using water-equivalent organic scintillators for photon beam therapy dosimetry. Two-dimensional photon beam distributions and percent depth doses(PDD) are measured according to the energies and field sizes of the photon beam. This sensor has many advantages such as high resolution, real-time measurement and ease of calibration over conventional radiation measurement devices.
In this work, single photon avalanche diodes (SPADs) were fabricated using the standard 180 nm complementary metal-oxide semiconductor process. Their small size of 15-16 µ m and low operating voltage made it possible to easily integrate them with readout circuits for compact on-chip sensors, particularly those used in the radiation sensor network of a nuclear plant. Four architectures were proposed for the SPADs, with a shallow trench isolation (STI) guard ring and different depletion regions designed to demonstrate the main performance parameters in each experimental configuration. The wide absorption region structure with PSD and a deep N-well could achieve a uniform electric field, resulting in a stable dark count rate (DCR). Additionally, the STI guard ring was implanted to mitigate the premature edge breakdown. A breakdown voltage was achieved for a low operating voltage of 10.75 V. The DCR results showed 286.3 Hz per ㎛2 at an excess voltage of 0.04 V. A photon detection probability of 21.48% was obtained at 405 nm.
3D depth perception has played an important role in robotics, and many sensory methods have also proposed for it. As a photodetector for 3D sensing, single photon avalanche diode (SPAD) is suggested due to sensitivity and accuracy. We have researched for applying a SPAD chip in our fusion system of time-of-fight (ToF) sensor and stereo camera. Our goal is to upsample of SPAD resolution using RGB stereo camera. Currently, we have 64 x 32 resolution SPAD ToF Sensor, even though there are higher resolution depth sensors such as Kinect V2 and Cube-Eye. This may be a weak point of our system, however we exploit this gap using a transition of idea. A convolution neural network (CNN) is designed to upsample our low resolution depth map using the data of the higher resolution depth as label data. Then, the upsampled depth data using CNN and stereo camera depth data are fused using semi-global matching (SGM) algorithm. We proposed simplified fusion method created for the embedded system.
Park, Ji Koon;Noh, Si Cheol;Choi, Il Hong;Jung, Bong Jae;Kang, Sang Sik
Journal of the Korean Society of Radiology
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v.8
no.7
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pp.423-428
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2014
Digital X-ray imaging devices using a TFT based flat panel array has been used in medical field. But, recently, lots of research on the photon counting sensor has been reported. In this study, we evaluated the physical properties of the photoconductor by suggesting the standard and testing method for quantitative performance evaluation of photon counting x-ray imaging sensor. First, we measured the leakage current and the sensitivity of photon counting x-ray imaging sensor and we evaluated the characteristic of rising time for determining the signal shaping time. In addition, the set-up study was conducted on the basis of the IEC 62220-1-2 recommendations to define the number of incident photons per unit area. And the efficiency of the charge collection was also evaluated. As a result, the characteristic was measured as $200pA/mm^2$ of the leakage current, $7{\mu}C/cm^2R $ of the X-ray sensitivity, and $0.765{\mu}s$ of the rising time.
The purpose of this study is to find a formula that can easily calculate the effective photon energy in the X-ray beam of mammography. The tube voltage measured for each set tube voltage was obtained using the X2 MAM Sensor. The mass attenuation coefficient for aluminum of the aluminum filter was obtained from the half value layer measurement from each measured tube voltage X-ray beam. The mass attenuation coefficient of aluminum obtained from each measured tube voltage X-ray beam was corresponded to the mass attenuation coefficient of aluminum for each photon energy obtained from NIST. The photon energy corresponding to the matching mass attenuation coefficient was determined as the effective photon energy. The formula for calculating the determined effective photon energy was obtained by polynomial matching of the effective photon energy for each tube voltage in the Origin pro 2019b statistical program as y = 28.98968-1.91738x + 0.07786x2-0.000946717x3. Here, x is the measuring tube voltage and y is the effective photon energy. The calculation formula of the effective photon energy of the mammography X-ray beam obtained in this study is considered to be very useful in obtaining the interaction coefficient between the X-ray beam and a certain substance in clinical practice.
An electrical signals of a conventional radiation medical imaging sensor are obtained by charge integration method. In this study, the polycrystalline cadmium telluride(p-CdTe) film was fabricated by a thermal evaporation method for the photon counting sensor development with excellent resolution in low exposure dose. From the fabricated p-CdTe sensor, the physical properties(SEM, XRD) and the electrical properties(leakage current, x-ray sensitivity, SNR) were evaluated. As a result, the leakage current of below $5nA/cm^2$ and $7{\mu}C/cm^2-R$ of the X-ray sensitivity were showed in below $1V/{\mu}m$. In addition, the signal to noise ratio showed the values of above 5000 at operating voltage.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.11
no.2
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pp.322-329
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2007
A single pixel photon counting type image sensor which is applicable for medical diagnosis with digitally obtained image and industrial purpose has been designed with $0.18{\mu}m$ triple-well CMOS process. The designed single pixel for readout chip is able to be operated by single supply voltage to simplify digital X-ray image sensor module and a preamplifier which is consist of folded cascode CMOS operational amplifier has been designed to enlarge signal voltage(${\Delta}Vs$), the output voltage of preamplifier. And an externally tunable threshold voltage generator circuit which generates threshold voltage in the readout chip has been newly proposed against the conventional external threshold voltage supply. In addition, A dark current compensation circuit for reducing dark current noise from photo diode is proposed and 15bit LFSR(Linear Feedback Shift Resister) Counter which is able to have high counting frequency and small layout area is designed.
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