• Proceedings of the International Microelectronics And Packaging Society Conference
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• 2003.11a
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• pp.214-217
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• 2003

상하로 양극 영역이 중첩된 새로운 Si 포토다이오드를 제작하고 이의 전기광학적 특성을 조사하였다. 제작된 소자의 역포화전류와 이상계수는 각각 68pA와 1.8로 나타났으며 -3V 바이어스에서 측정된 접합 커패시턴스는 8.3 pF로 나타났다. 또한 $100mW/cm^2$, AMI 스펙트럼 조건에서 -3V 바이어스 아래 측정된 광전류와 감도특성은 각각 $60\;{\mu}A$와 6 A/W로 나타났다.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2004.02a
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• pp.278-279
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• 2004

The multiplication region of an APD(Avalanche photodiode) plays a critical role in determining the gain, the multiplication noise, and the gain-bandwidth product. we compared and analyzed the local model and the non-local model for a 10Gb/s APD designing.

• Journal of Biomedical Engineering Research
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• v.13 no.3
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• pp.201-208
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• 1992

In the indirect optical bio-telemetry, high frequency response and low minimum detectable optical power can be achieved by using photodiode with small light receiving area which minimizes junction capacitance. But, on the other hand, S/N ratio becomes low because the optical signal current is small. To solve such a problem, we attach plato-convex lens in front of photo diode, The results of comput- er simulation and experiments suggest promotion of light receiving efficiency and possibility of multi- telemetry system through directivity of convex lens in one room.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07c
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• pp.1516-1517
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• 2000

본 논문에서는 Porous Si(PSi)의 Photoluminescence(PL)특성을 이용한 UV detector를 이론적으로 고찰하곤 제작하였다. PSi의 PL에 의해 발생하는 빛의 피크 파장과 photodiode의 흡수영역을 최적화하여 UV detector의 효율을 극대화 시켰다. 제작된 PSi detector는 기존의 Si에 비해 반응 표면적을 증가시킬 수 있다는 장점이 있어 optical biosensor에 응용이 기대 된다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 1987.07a
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• pp.411-415
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• 1987

A $32{\times}33$ MOS-type area image sensor has been fabricated. The blooming current is reduced to 1/14 by forming +p photocell in P-well instead of a simple p-type substrate. A shallow n+ junction is made to improve the sensitivity of photodiode on short wavelength. Bootstrapping circuit technique is applied to obtain high speed dynamic shift register. The shift register operates at up to 10MHz for 7V clock.

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.11a
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• pp.328-331
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• 2001

Color simulation on a portable colorimeter was performed to distinguish quantitatively a chromaticity coordinates on a color guide of a urine strips by using the spectral power distribution of chip LED, the spectral reflectance of printed objects, and the spectral sensitivity of photodiode. The CIE tristimulus values and chromaticity coordinates realized by a colorimeter were modified to be conformable with real color reactions. Experimental results showed a real color in comparison with those obtained by Colorimeter CM2C(Color Savvy).

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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• 2001.11a
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• pp.320-323
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• 2001

A computer simulation was performed to distinguish quantitatively a color reaction in a urine analysis systems by using the spectral power distribution of LEDs, the spectral reflectance of a urine strip, and the spectral sensitivity of photodiode. The CIE tristimulus values and CIE chromaticity coordinates ware modified to be conformable with real color reactions in a urine strips. Results on color simulation showed a of real color in comparison with those obtained by Colorimeter CM2C(Color Savvy).

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2003.07c
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• pp.1967-1969
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• 2003

본 논문에서는 무인 주행 저속 전기 자동차 시스템 개발을 위한 적외선 LED 라인트레이서를 제작하였다. 햇빛에 의한 영향을 제거하기 위해 적외선 LED를 펄스(pulse)로 구동시켰으며 흰색선에서 반사된 적외선 신호를 photodiode를 이용하여 감지하였다. 감지된 신호는 증폭단과 Peak Detector를 거쳐 최종적으로 AVR MCU로 입력이 된 후 여러 상황에 따른 차량의 방향을 결정할 수 있도록 알고리즘를 통해 처리하였다. 실험을 통하여 본 논문에서 제작한 라이트레이서 모듈이 원하는 방향으로 동작함을 확인하였다.

• International Journal of Contents
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• v.2 no.3
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• pp.6-10
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• 2006

Small molecule OLED devices were fabricated and the electro-optical characteristics were analyzed. The luminance and color coordinate of the fabricated OLED device were $24,390cd/m^2$ and (x=0.15, y=0.22), respectively. Current efficiency of 6.8 cd/A and power efficiency of 2.4 lm/W were also obtained under DC operating condition. Transient light intensity was also measured by using Si photodiode.

• Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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• 2003.07a
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• pp.102-103
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• 2003

광통신 분야에서 장파장 p-i-n 광 검출기는. 현재와 미래의 양자 회로 설계나 통신, 측정 시스템에 핵심 부품으로 인정 받아왔다. 특히, 소자의 측면에서 입사되어 오는 광 신호를 검출하여 전기신호로 바꾸어주는 구조의 검출기는 빠른 속도로 신호를 처리하면서도 높은 감도를 가질 수 있어 큰 관심의 대상이 되어 왔다. 그러나 이와 같은 훌륭한 성능에도 불구하고, 소자 제작의 어려움과 낮은 신뢰성 등은 소자의 유용성에 의심을 가지게 하는 역할을 하였다. (중략)