Several iridium based complexes were investigated as blue phosphorescent dopants. They are achieved about 100 % quantum efficiencies due to utilization of both singlet and triplet excitons in the radiative processes. We have fabricated phosphorescent OLED with 8 % Ir$(ppz)_3$ as a triplet emissive dopnat in diverse host materials. In this study, the CBP obtained the luminance efficiency of 0.20 cd/A adapts to the host material. Furthermore, we synthesize metalorganic phosphor complexs based on Ir heavy metal with different ligands as to $Ir(ppz)_2acac$, $(Im)_2Ir(acac)$, $(Im-R)_2Ir(acac)$.
We have fabricated simple triple-layer blue-emitting phosphorescent organic light emitting diodes (OLEDs) using different thicknesses (25 and 55 nm) of 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP) electron transport layers. 1,1-bis[4-bis (4-methylphenyl)- aminophenyllcyclohexane (TAPC), bis[(4,6-di-fluorophenyl)-pyridinate-$N,C^{2'}$]picolinate (FIrpic) and N,N' -dicarbazolyl-3,5-benzene (mCP) were used as hole transport, blue guest and host materials, respectively. The driving voltage, electroluminescence (EL) efficiency and emission characteristics of devices were investigated. The maximum EL efficiency was 20 cd/A in the device with 55 nm BCP layer, which efficiency was about 33% higher than the device with 25 nm BCP layer. The higher efficiency in the 55 nm BCP device resulted from the enhanced electron-hole balance. In the EL spectrum of blue phosphorescent OLED with BCP layer, the relative intensity between 470 and 500 nm peaks was related to the location of emission zone.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.496-498
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2008
We have developed green phosphorescent organic light-emitting diodes (OLEDs) with high quantum efficiency. Wide-energy-gap material, 1,1-bis[(di-4-tolylamino) phenyl]cyclohexane (TAPC), with high triplet energy level was used as a hole transporting layer. Electrophosphorescent devices fabricated using TAPC as a hole-transporting layer and N,N'-dicarbazolyl-4,4'-biphenyl (CBP) doped with fac-tris(2-phenylpyridine) iridium [Ir(ppy)3] as the emitting layer showed the maximum external quantum efficiency ($\eta_{ext}$) of 19.8 %, which is much higher than the devices adopting 4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl (NPB) (${\eta}B_{ext}=14.6%$) as a hole transporting layer.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.903-906
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2003
Doping a small amount of a phosphorescent dye into an organic light-emitting diodes(OLED) can lead to a significant improvement in the device properties. The fluorescent host materials like TAZ, CBP have been used, but have a problem of rapid decay of efficiency at high current densities. To alleviate this problem, phosphorescent host was introduced. The whole configuration of OELD fabricated was ITO/a-NPD(50nm)/Zn $cluster:Ir(ppy)_{3}(30nm)/BCP{(10nm)/Alq_{3}(20nm)$ /Al:Li. The OLED showed high luminance (> 50,000 $cd/m^{2}$ ) and external efficiency(5.7%). At higher current densities, rapid decay of external quantum efficiency or host emission, which was frequently observed in the fluorescent host system, were not observed.
Iridium-(III)-bis[(4,6-di-fluorophenyl)-pyridinate-N,$C^2$' ]picolinate-based blue phosphorescent organic light-emitting diodes with different electron transport materials were fabricated. Each electron transport material had different electron mobilities and triplet energies. The device with 1,3,5-tri(m-pyrid-3-yl-phenyl)benzene had the highest external quantum efficiency (20.1%) and luminous current efficiency (33.1 cd/A) due to its high electron mobility and triplet energy. The operational stability of each device was also compared with that of the others. The device with 2,2',2"(1,3,5-benzenetriyl)tris-(1-phenyl-1H-benzimidazole) was found to have a longer lifetime than the other devices.
Highly efficient red phosphorescent OLEDs (PHOLEDs) with a simple, organic, triple-layer structure was developed using the narrow-bandgap fluorescent host material bis(10-hydroxybenzo[h] quinolinato)beryllium complex (Bebq2) and the deep-red dopant tris(1-phenylisoquinoline)iridium (Ir(piq)3). The maximum current and power efficiency values of 12.71 cd/A and 16.02 lm/W, respectively, with an extremely low doping technology of 1%, are demonstrated herein. The results reveal a practical, cost-saving host dopant system for the fabrication of highly efficient PHOLEDs involving the simple structure presented herein, with a reduction of expensive Ir dopants.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제14권1호
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pp.29-33
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2014
In this paper, we report our numerical simulation on the electronic-optical properties of the phosphorescent organic light emitting diodes (PHOLEDs) devices. In order to calculate the electrical and optical characteristics such as the transport behavior of carriers, recombination kinetics, and emission property, we undertake the finite element method (FEM). Our model includes Poisson's equation, continuity equation to account for behavior of electrons and holes and the exciton continuity/transfer equation. We demonstrate that the refractive indexes of each material affect the emission property and the barrier height of the interface influences the behavior of charges and the generation of exciton.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.767-770
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2009
We synthesized a spirobenzofluorene type phosphine oxide (SPPO2) as a new triplet host and an universal electron transport material for phosphorescent organic light-emitting diodes(PHOLEDs). Red PHOLEDs with the SPPO2 host material showed a high quantum efficiency of 14.3 % with a current efficiency of 20.4 cd/A. In addition, the SPPO2 could be applied as an electron transport material which can be matched with any host material due to the lowest unoccupied molecular orbital of 2.4 eV. Electron injection from a cathode to the SPPO2 electron transport layer was better than common electron transport materials. In particular, the SPPO2 was effective as the electron transport material in blue PHOLEDs and the quantum efficiency was more than doubled and driving voltage was lowered by more than 3 V using the SPPO2 instead of common electron transport material.
The organic light-emitting devices(OLEDs) based on fluorescence have low efficiency due to the requirement of spin-symmetry conservation. By using the phosphorescent material, the internal quantum efficiency can reach 100$\%$, compared to 25$\%$ in case of the fluorescent material [1]. Thus recently phosphorescent OLEDs have been extensively studied and showed higher internal quantum efficiency than conventional OLEDs. In this study, we have applied a new Ir complex as a red dopant and fabricated a red phosphorescent OLED on a flexible PC(Polycarbonate) substrate. Also, we have investigated the electrical and optical properties of the devices with a structure of A1/LiF/Alq3/(RD05 doped)BAlq/NPB/2-TNAIA/ITO/PC substrate. Our device showed the lightening efficiency of > 30 cd/A at an initial brightness of 1000 cd/$m^{2}$. The CIE(Commission Internationale de L'Eclairage) coordinates for the device were (0.62,0.37) at a current density of 1 mA/$cm^{2}$. In addition, although the sheet resistance of ITO films on PC substrate is higher than that on glass substrate, the flexible OLED showed much better lightening efficiency without much increase in operating voltage.
We have studied the effect of the hole transporting layers on the device efficiencies blue phosphorescent organic light emitting diodes (PHOLED) with of iridiumIIIbis4,6-di-fluorophenyl-pyridinato-N,C2picolinate (FIrpic) doped 3,5--N,N-dicarbazole-benzene (mCP) host. The highest efficiency of blue PHOLED is strongy dependent on the hole transporting materials, exhibiting the maximum current efficiency.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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