Blue light-emitting phosphors having the excitation spectrum range of the medium-long ultraviolet ($280nm{\sim}400nm$) have been prepared by solid state reaction method. As a starting material the natural alkaline feldspar powder produced from the domestic mine field in Buyeo, Chungnam-do. The photoluminescence characteristics and crystal structures have been analyzed for the phosphor samples. The powder mixture of the natural alkaline feldspar and the rare-earth oxide was calcined at $800{\sim}1000^{\circ}C\;for\;3{\sim}4h$ in air. The calcined samples we fully ground at room temperature and then heat-treated in the mild reducing gas atmosphere of $5%H_2-95%N_2$ mixture at $1100{\sim}1150^{\circ}C\;for\;3{\sim}4h$. The natural alkaline feldspar material consists of the monoclinic orthoclase ($KAlSi_3O_8$) and the triclinic albite ($NaAlSi_3O_8$) phases. At the $0.5wt%Eu_2O_3$ addition the PL spectrum showed the maximum intensity and with further increase of $Eu_2O_3$ the PL intensity decreased. The albite phase disappeared in the $Eu_2O_3$ doped phosphors. The effect of the co-doped activator on the PL characteristics have been also discussed.
In this study, fine $Gd_2O_2S$:Tb powder was synthesized by using a low temperature solution-combustion method for a high-resolution digital x-ray imaging detector. From the fabricated phosphor power, the fine scintillator films was fabricated by particle sedimentation method and was investigated the luminescent property. From the experimental results of relative light output as a function of terbium concentration, the highest luminescent efficiency has at 5 wt% Tb concentration, and luminescent intensity decreased rapidly according to quenching effect about higher Tb concentration. Also, the relative light output of $270{\mu}m$-$Gd_2O_2S$:Tb film has 2945 pC/$cm^2$/mR. And light intensity was saturated at higher film thickness. Finally, to evaluate an image acquisition performance of fabricated phosphor, images were obtained by using commercial CMOS sensor and measured the MTF, NPS, and DQE. DQE(0 lp/mm) of fine phosphor film has 37%. But, DQE improvement of fine phosphor film is possible by resolving problem of film fabrication process and has a significant potential in the application of digital radiation imaging system later.
The tendency of the miximum brightness of $Y_2$O$_3$:Eu phosphor with various activator concentration, by different surface treatment methods as well as different exciting energies were investigated. The surface treatment methods were the adsorption method used $\alpha$-Fe$_2$O$_3$powder prepared emulsion-drying process and the precipitation method used FeSO$_4$/ethanol. Eu concentration of maximum brightness of $Y_2$O$_3$:Eu phosphor prepared by solid-solid state was changed with various exciting energies. The concentrations were 0.02 mol at VUV(147 nm) as well as 400 V and 0.03 mol at 5 kV. The phosphor treated both by adsorption method and precipitation method showed decreasing luminescent intensity with increasing amount of $\alpha$-Fe$_2$O$_3$, and the methods are chosen by exciting energy. Adsorption method was effective in a low voltage and VUV(147nm) region, and precipitation method was effective in the high voltage region.
$Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$(x=0.002∼0.04) phosphors were prepared by sol-gel process, amorphous crystal phase was observed in calcining dry gel at 800$^{\circ}$C, but pure $X_2$ type of type $Y_2SiO_5$ phase appeared from heat treatment above 1000$^{\circ}$C. Light absorption of tye $Y_2SiO_5$ host lattice occurred at 230∼360nm, and light absorption of the $Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$ phosphors was observed at 300∼400nm in adding $Ce^{3+}$. $Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$ phosphors showed maximum emission shoulder at 436nm. Maximum CL intensities of $Y_{2-x}SiO_5:Ce_x^{3+}$ were observed in adding 0.025 $Ce^{3+}$ and the phosphor showed x=0.161, y=0.124 in color coordinate of CIE1931.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.15
no.1
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pp.67-74
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2002
A phosphor for Plasma Display Panel, BaMgAl$_{10}$ O$_{17}$ :Eu$^{2+}$, showing a blue emission band at about 450nm was prepared by a solid-state reaction using BaCO$_3$, $Al_2$O$_3$, MgO, Eu$_2$O$_3$ as starting materials wish flux AlF$_3$. The study of the behaviour of Eu in BAM phosphor was carried out by the photoluminescence spectra and the Rietveld method with X-ray and neutron powder diffraction data to refine the structural parameters such as lattice constants, the valence state of Eu, the preferential site of Mg atom and the site fraction of each atom. The phenomenon of the concentration quenching was abound 2.25~2.3wt% of Eu due to a decrease in the critical distance for energy transfer of inter-atomic Eu. Through the combined Rietveld refinement, R-factor, R$_{wp}$, was 8.11%, and the occupancy of Eu and Mg was 0.0882 and 0.526 at critical concentration. The critical distance of Eu$^{2+}$ in BAM was 18.8$\AA$ at 2.25% Eu of the concentration quenching. Furthermore, c/a ratio was decreased to 3.0wt% and no more change was observed over that concentration. The maximum entropy electron density was found that the modeling of $\beta$-alumina structure in BaMgAl$_{10}$ O$_{17}$ :Eu$^{2+}$correct coincided showing Ba, Eu, O atoms of z= 1/4 mirror plane.e.ane.e.
Long-lasting brightness $Sr_{4}Al_{14}O_{25}$ : $Eu^{2+}$, $Dy^{3+}$, $Ag^{+}$ phosphor was synthesized by modified solid state reaction and its photoluminescence was investigated. $Sr(NO_3)_{2}$ and $Al(NO_3)_3{\cdot}9H_{2}O$ as starting materials, and $B_{2}O_{3}$ as a flux were mixed with $Eu_{2}O_{3}$ as an activator, $Dy_{2}O_{3}$ as a coactivator, and $AgNO_{3}$ as a charge compensator. The crystalline of target powder showed a single-phase $Sr_{4}Al_{14}O_{25}$ by the XRD characterization and the average particle size was about 20-30 ${\mu}m$ from the FE-SEM observation. $Ag^{+}$ ion doping effects (0-0.06 mol) on $Sr_{4}Al_{14}O_{25}:Eu^{2+},\;Dy^{3+},\;Ag^{+}$ phosphor were measured by photoluminescence spectrometer and luminescence meter. The of photoluminescence intensity of the $Sr_{3.64}Al_{14}O_{25}:Eu_{0.11},\;Dy_{0.22},\;Ag_{0.03}$ phosphor was higher than other compositions and afterglow brightness was 0.186 $cd/m^{2}$.
Highly luminescent efficiency phosphors have been successfully produced by surface modification and microwave irradiation treatment. The SEM image and XRD analysis reveal that the surface morphology of the white-light phosphors can be notably modified by microwave irradiation and exhibit with better crystalline property. The VUV PL spectra show that the microwave irradiation treatment can effectively enhance the luminescent efficiency by a factor of 1.5 times for intensity compared to that without microwave treatment. A further improvement in all visible emission can be made by modifying surface composition through MgO coating on the phosphor powder. These results demonstrate that such a simple approach can provide for improving luminescent efficiency of phosphors for the optoelectronic devices.
Journal of the Korean Crystal Growth and Crystal Technology
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v.9
no.3
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pp.315-319
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1999
Properties of both photoluminescence and long-phosphorescent for Eu, Dy-codoped $SrAl_2O_4$ powder phosphor synthesized by solid reaction method were investigated by PL instrument. Two intense peaks in the emission spectrum measured at 10 K are observed near 450 nm (2.755 eV) and 520 nm (2.384 eV) wavelength, but at 300 K the main peak of 520 nm wavelength is presented. After the removal of light excitation (360 nm), the excellent after-glow characteristic of the phosphorescence were obtained as a result of low decay tiem, although the after-glow intensities of phosphor vary exponentially with the times.
ZnS:Mn, Dy yellow phosphors for White Light Emitting Diode were synthesized by a solid state reaction method using ZnS, $MnSO_4{\cdot}5H_2O$, S and $DyCl_3{\cdot}6H_2O$ powders as starting materials. The mixed powder was sintered at $1000^{\circ}C$ for 4 h in an air atmosphere. The photoluminescence of the ZnS:Mn, Dy phosphors showed spectra extending from 480 to 700 nm, peaking at 580 nm. The photoluminescence of 580 nm in the ZnS:Mn, Dy phosphors was associated with $^4T_1{\rightarrow}^6A_1$ transition of $Mn^{2+}$ ions. The highest photoluminescence intensity of the ZnS:Mn, Dy phosphors under 450 nm excitation was observed at 4 mol% Dy doping. The enhanced photoluminescence intensity of the ZnS:Mn, Dy phosphors was explained by energy transfer from $Dy^{3+}$ to $Mn^{2+}$. The CIE coordinate of the 4 mol% Dy doped ZnS:Mn, Dy was X = 0.5221, Y = 0.4763. The optimum mixing conditions for White Light Emitting Diode was obtained at the ratio of epoxy : yellow phosphor = 1:2 form CIE coordinate.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2000.07a
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pp.303-307
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2000
The crystal structure of ZnS fabricated by gas-liquid phase reaction was obtained by XRD and refined by RIETAN near R$_{wp}$ factor 10%. The increasement of HCP phase depended on extra H$_2$S gas and the lattice parameter and crystalline size changed by the relative ratio of multiphase. Using ZnS of the different multiphase ratio and crystalline size, sintered ZnS:Cu, Al green phosphor and the CL property resulted optimum luminescence in the range of 91~94% and 150~190$\AA$, respectably, FCC/HCP ratio and crystalline size. As changing of structure ratio, the reason of different luminescence property is now studying. As well as, after XRD pattern of TiO$_2$powder fitted by RIETAN and the structure factor using MEED method simulated about each atom of (002) plane. Additionally, we proposed RIETAN and MEED were the methods of the study of luminescence mechanism for many phosphor materials.s.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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