전력의 흐름제어와 전원시스템의 과도안정성 개선을 위하여 전압의 위상을 제어할 필요성이 있는 경우가 있다. 이제까지 위상 천이기는 주로 상변압기와 사이리스터 탭변환기를 사용하여 구성하였는데, 이는 응답속응성이 느리고 제어안정성이 떨어지는 단점이 있다. 본 논문에서는 PWM AC/AC 컨버터를 사용한 3상 전압 위상천이기를 제안한다. 제안된 3상 전압 위상천이기는 PWM 제어에 의하여 응답속응성이 우수하고 과도상태에서의 제어안정성을 개선시킬 수 있는 장점이 있다. 본 논문에서는 제안된 시스템의 회로구성, 동작원리와 특성 등을 설명하여 그 특징과 장단점을 나타내고, 이를 PSIM 컴퓨터 시뮬레이션을 통하여 동작과 해석의 타당성을 확인한다.
Journal of electromagnetic engineering and science
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제6권1호
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pp.1-9
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2006
A sandwich structure of dielectric material and air gap inside a rectangular waveguide is proposed as a fast electrically tunable low-loss phase shifter. As the dielectric material is shifted up and down by piezoelectric actuator and, thereby, the thickness of air gap is changed, the effective dielectric constant of the sandwich structure is varied. Phase shifters based on the sandwich structure with different dielectric materials showed phase shift of $20{\sim}200^{\circ}/cm$ at X-band as the thickness of air gap varied up to $30{\mu}m$. The idea can be extended toward low-loss millimeter wave phase shifters since modem microwave ceramics have been developed to show very low dielectric loss$(tan\;{\delta}{\sim}10^{-4})$.
We investigate the performance of a true time delay(TTD) phase shifter to reduce the beam squint caused by frequency changes of a phased array antenna in wideband communication systems. To design a high gain phased array antenna, we need a long TTD, which causes high RF loss, low resolution and large dimension of TTD phase shifters. To overcome the problems, we propose a schematic of dual TTD phase shifters, which consists of short time delay(STD) in radio frequency(RF) part and long time delay(LTD) in intermediate frequency(IF) part. Our analysis results show that the proposed scheme reduces the required bits and delay time in RF band of the TTD compared to the conventional single TTD scheme.
In this paper, we have investigated the structure and dielectric properties of the $(Ba_{0.6}Sr_{0.4})TiO_3$ (BST) thin films film fabricatedon MgO(100)/Si substrate by an alkoxide-based sol-gel method. Both the structure and morphology of films were analyzed by x-ray diffraction (XRD) and atomic force microscope (AFM). For the MgO(100)/Si substrates, the BST thin films exhibited highly (100) orientation. The highly (100)-oriented BST thin films showed high dielectric constant, tunability, and figure of merit (FOM). The dielectric constants, dielectric loss and tunability of the BST thin films annealed at 700 C deposited on the MgO(100)/Si substrates measured at 10 kHz were 515.9, 0.0082, and 54.3 %, respectively.
The mmWave cell-free massive MIMO (CFmMIMO), combining the advantages of wide bandwidth in the mmWave frequency band and the high- and uniform-spectral efficiency of CFmMIMO, has recently emerged as one of the enabling technologies for 6G. In this paper, we propose a novel framework for energy-efficient mmWave CFmMIMO systems that uses low-resolution digital-analog converters (DACs) and phase shifters (PSs) to introduce lowcomplexity hybrid precoding. Additionally, we propose a heuristic pilot allocation scheme that makes the best effort to slash some interference from copilot users. The simulation results show that the proposed hybrid precoding and pilot allocation scheme outperforms the existing schemes. Furthermore, we reveal the relationship between the energy and spectral efficiencies for the proposed mmWave CFmMIMO system by modeling the whole network power consumption and observe that the introduction of low-resolution DACs and PSs is effective in increasing the energy efficiency by compromising the spectral efficiency and the network power consumption.
본 논문에서는 위상변위기를 제어하여 스파이럴에 연결되는 급전선의 위상차를 조절함으로써 이중 주파수 대역에서 빔 모양을 선택할 수 있는 다기능 마이크로스트립 스파이럴 안테나를 제안하였다. 이 안테나는 하위 주파수 대역에서 안테나 평면에 수직한 고정빔, 그리고 상위 주파수 대역에서 수직빔, 코니컬빔, 두 가지의 기운빔 등의 4가지의 서로 다른 빔 패턴을 얻을 수 있으며 각 주파수 대역에서 10% 이상의 대역폭을 가진다 한쪽 방향으로의 복사를 제거하기 위하여 전자파 흡수체를 부착하였으며, 실측을 통하여 위상천이에 따른 빔 패턴을 확인하였다.
본 논문에서는 고정형 위상천이기를 이용한 동위상 급전 평면형 전력분배기 회로를 제안하였다. 정교한 빔 조향을 위한 위상배열안테나의 집적도가 높아짐에 따라, 소자 안테나에 동일한 위상 신호를 공급하기 위해 급전 선로의 길이를 조정하는 기존의 방법에는 공간적 제약이 존재하게 된다. 따라서 평면형 위상천이 기능을 갖는 결함접지구조를 이용하여 인위적인 급전선 길이 조정 없이 소자 안테나에 동일 위상 신호를 공급하는 전력분배기를 설계하였다. 결함접지구조는 선로의 삽입손실을 최소화하고, 위상 천이를 조절할 수 있도록 설계되었으며, 안테나 포트간 격리도와 평면형 구현이 가능한 분배기를 설계 제작하였다.
본 논문에서는 $90^{\circ}$ 위상차를 갖는 GNSS (global navigation satellite system)용 광대역 4출력 분배 회로를 제안한다. 제안하는 분배회로는 1개의 발룬과 2개의 $90^{\circ}$ 위상 분배기로 이루어진다. 발룬은 wilkinson 분배기와 두 출력단에 각각 ${\pm}90^{\circ}$ metamaterial 전송선 위상 천이기를 이용하여 구현된다. $90^{\circ}$ 위상 분배기의 경우, 발룬과 구조는 같으나, 두 개의 출력단에 각각 ${\pm}45^{\circ}$ metamaterial 전송선 위상천이기가 적용된다. Metamaterial 전송선은 LCL-TL (LC loaded transmission line) 단위 셀을 이용하여 구현하였으며, 요구되는 위상 천이 특성을 구현하기 위해 5셀을 갖도록 하였다. 구현된 4출력 $90^{\circ}$ 위상 분배기는 GNSS 대역인 1.165 -1.61 GHz의 넓은 대역에서 각 포트별 $90^{\circ}{\pm}10^{\circ}$의 위상차를 갖는다.
The dielectric and electrical characteristics of Ce doped (Ba0.6Sr0.4)TiO3 (BST) thin films were investigated as a function of Ce content. Both atomic force microscopy (AFM) and x-ray diffraction (XRD) analysis showed that increasing the Ce doping ratio causes the decrease in grain size while the surface remains smooth and crack-free. The dielectric properties of the Ce doped BST films were found to be strongly dependent on the Ce contents. The dielectric constant and dielectric loss of the BST films decreased with increasing Ce content. However, it was also found that, compared with undoped films, the increase of Cecontent improves the leakage-current characteristics. The improvement of the electrical properties of Ce-doped BST films may be related to the decrease in the concentration of oxygen vacancies. The figure of merit (FOM) reached the maximum value of 48.9 at the 1 mol % of Cedoping. The dielectric constant, loss factor, and tunability of the 1 mol% Ce doped Ba0.6Sr0.4TiO3 thin films were 320, 0.011, and 46.3%, respectively.
(Pb,Sr)TiO3 (PST) thin films were fabricated by using the alkoxide-based sol-gel method. The PST stock solution was made and then spin-coated onto a PUTi/SiO2/Si substrate. The coating and drying procedures were repeated several times, and the PST thin films were sintered at 450-650 C for 1 h. All PST thin films showed dense and homogeneous structures without the presence of any rosette structure. The thicknesses of the PST thin films were approximately 200 nm. The dielectric constant and the dielectric loss of the PST thin films sintered at 550 C were about 404 and 0.0023, respectively. The leakage current density of the PST thin film sintered at 550 C was 3.13 x 10-8 A/cm2 at 1 V.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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