• Title/Summary/Keyword: PdPt/C

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인삼생육의 최적광량 구명에 관한 연구 제2보 광도가 인삼엽내 Saponin 및 유리당함량에 미치는 영향 (Studies on the Optimum Light Intensity for Growth of Panax Ginseng II. Effect of Light Intensity on the Contents of Saponin and Free Sugar in the Ginseng Leaf)

  • 이종철;최진호;천성기;이종화;조재성
    • 한국작물학회지
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    • 제28권4호
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    • pp.497-503
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    • 1983
  • 수광율의 차이가 인삼엽내의 saponin과 유리당함량 및 Panaxatriol(PT)/Panaxadiol(PD) 비에 미치는 영향을 구명코자 수광량이 자연광의 5, 10, 20, 30%의 수광율(LTR) 하에서 자란 4년생 인삼엽에서 이들을 조사하였던 바 그 결과는 다음과 같다. 1. Ginsenoside별 함량은 PD계 사로닌에서는 -Rd가 가장 많았고, PT계 사포닌에서는 -Re, $Rg_1$, $-Rg_2$순으로 많았다. 2. Total 사포닌과 PT계 사로닌함량과 PT/PD의 비는 20% LTP까지 수광율이 많을수록 증가되다가 30% LTR에서는 약간 감소되었고, PD계 사포닌 함량은 수광율이 증가할수록 많아졌다. 3. Glucose, Fluctose 함량은 20% LTR에서 가장 많았으나 sucrose함량은 오히려 20% LTR에서 가장 적었다. 4. Total 사포닌 함량과 Glucose함량간에는 정(+)의 상관($r=0.992$^{**}$)이 인정되었다.

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다공성 3C-SiC 기반 저항식 수소센서의 제작과 그 특성 (Fabrication of a Porous 3C-SiC Based Resistivity Hydrogen Sensor and Its Characteristics)

  • 김강산;정귀상
    • 센서학회지
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    • 제20권3호
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    • pp.168-171
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    • 2011
  • Porous 3C-SiC(pSiC) samples with different pore diameters were prepared from poly crystalline N-type 3C-SiC by electrochemical anodization. The pSiC surface was chemically modified by the sputtering of Pd and Pt nano-particles as a hydrogen catalyst. Changes in resistance were monitored with hydrogen concentrations in the range of 110 ppm - 410 ppm. The variations of the electrical resistance in the presence of hydrogen demonstrated that Pd and Pt-deposited pSiC samples have the ability to detect hydrogen at room temperature. Regardless of the catalyst, the 25 nm pore diameter samples showed good response and recovery properties. However, the 60 nm samples showed unstable and slow response. It was found that the pore size affects the catalyst reaction and consequently, results in changes of the sensitivity to hydrogen.

Oil-Transformer에서의 UHF PD 측정 기술 연구 (Research of UHF PD measuring techniques for Oil-Transformer)

  • 이창준;강원종;강윤식;박종배;이희철;박종화
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2003년도 하계학술대회 논문집 C
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    • pp.1809-1811
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    • 2003
  • Oil-TR에서의 이상을 진단하기 위해서, 유중가스 분석 및 AE센서를 사용한 부분방전측정을 중심으로 많은 연구가 진행/적용되어왔다. 근래 들어서는 거의 모든 진단항목이 환선상태에서 측정하는 것으로 전이되는 추세이며, 사용자가 설비의 현재의 상태를 계속 감시하여 수명을 연장시키는데 관심의 초점이 모아지고 있다. 이에 본 논문에서는 Spiral-Type의 광대역 UHF센서를 사용하여 TR에서 발생하는 부분방전을 측정하였다. 이 방식은 TR내부에 센서를 주입하는 방식으로서, 상대적으로 감도가 우수하며, 노이즈의 영향이 적게 받는다. 코로나방전, 표면방전 및 부유물 형태의 결함에 대하여 측정한 결과를 나타내었으며, 주파수 분포에 대한 변화를 주로 관측하였다. 결과적으로, 서로 다른 결함은 서로 다른 결과를 나타내었으며, 이를 바탕으로 Oil-TR에서 발생하는 결함을 인식할 수 있는 데이터로 활용할 수 있다.

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병열형가열부를 이용한 후막형 접촉연소식 가스센서 제조 (Fabrication of thick film type catalytic combustible gas sensor using parallel resistance heat source)

  • 박준식;이재석;홍성제;박효덕;신상모
    • 센서학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.23-29
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    • 1996
  • 본 연구에서는 스크린 프린팅 기술을 이용한 병렬저항열원을 갖는 후막형 가연성 가스센서를 제조하고, 메탄 가스에 대한 감도특성을 조사하였다. 알루미나 기판의 양면 위에 제조된 병렬형 백금 후막발열체는 후막형백금 저항체의 온도 감지 특성과 표면 특성을 조사하여 백금페이스트 TR7905 제품을 선정하였다. 제조된 백금 후막 발열체는 평균저항같이 $1.8{\Omega}$이고, TCR값은 $3685\;ppm/^{\circ}C$이었다. 제조된 백금 발열체상에 Pt과 Pd이 첨가된 촉매 페이스트를 제조하고 감지부는 Pt과 Pd가 첨가된 촉매를 스크린 프린팅하여 후막을 형성하고 열처리하여 제조하였다. 제조된 후막형 센서는 메탄 가스에 대해 4.3mV/1000ppm의 감도를 보였으며, 소비전력은 2.12W이었다.

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THE EFFECT OF SUBSTRATE TEMPERATURE ON GRAIN STRUCTURES AND MAGNETIC PROPERTIES OF Pd(Pt/Co/Pt) MODULATED MULTILAYERS

  • Xiao, Ying;Xu, Jun-Hao;Wittborn, Jesper;Yu, Seong-Cho;Rao, K.V.
    • 한국자기학회지
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    • 제5권5호
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    • pp.716-719
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    • 1995
  • Pd/(Pt/Co/Pt) modulated multilayer films have been deposited on various substrates with Pd/Pt buffer layers. Films grown at different temperatures have very distinct magnetic properties and surface microstructures. Atomic force(AFM) and scanning tunneling (STM) microscopies studies of these films reveal that films deposited at room temperature have small grain structures with an average grain size of about $140\;{\AA}$. However, much larger grains of about $1200\;{\AA}$ in size are observed in the films grown on buffer layers which were deposited at $500^{\circ}C$. These large grains are found to actually consist of smaller grains of about $170{\AA}$ in diameter. SQUID magnetic and Kerr hysteresis loop measurements indicate that multilayer films with large grains exhibit high magnetic coercivities of around 5 kOe. A subgrain growth model is proposed to understand the observed grain structures in the multilayers.

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Inhibitory Effects of Ginseng Saponins on c-fos mRNA Expression and the Proliferation of Rat Aortic Vascular Smooth Muscle Cells Stimulated by Angiotensin II

  • Choi, Woong;Jung, Jin-Young;Kim, Hun-Sik;Yun, Yeo-Pyo;Park, Jong-Dae;Ahn, Hee-Yul
    • The Korean Journal of Physiology and Pharmacology
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    • 제2권2호
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    • pp.201-207
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    • 1998
  • To evaluate the possibility that the ginseng saponins could be developed as an anti-arteriosclerotic agent, we examined the inhibitory effects of ginseng saponins (total saponin[TS], panaxatriol[PT], panaxadiol[PD]) on the expression of c-fos mRNA and the proliferation of cultured rat aortic vascular smooth muscle cells (VSMCs) stimulated by angiotensin II (Ang II). TS and PT (1.0 mg/ml) suppressed c-fos mRNA induction in VSMCs stimulated by $10^{-5}$ M Ang II. The order of inhibitory potency was PT>TS. Ginseng saponins ($0.01{\sim}1.0$ mg/ml) inhibited the proliferation of VSMCs stimulated by Ang II in a concentration dependent manner, the inhibitory potency was TS>PT>PD at $0.1{\sim}1.0$ mg/ml. These results suggest that ginseng saponins may suppress Ang II-stimulated proliferation of aortic VSMCs which can be seen in atherosclerosis, hypertension and restenosis.

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단원계 및 이원계 촉매 시스템의 감지 물질을 이용한 가스 센서의 감지 특성 비교 (Comparison of sensitivity of gas sensors using sensing materials with mono and binary catalyst system)

  • 홍성제;한정인
    • 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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    • 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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    • pp.67-70
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    • 2003
  • 단원계 및 이원계 촉매를 이용하여 나노 감지 소자를 합성하였고, 이를 이용하여 가연성 후막 가스 센서를 제작, 촉매 시스템에 따른 가스 감지 특성을 비교하였다. 단원계의 경우 Pd 및 Pt를 각각 3wt%로, 이원계의 경우 Pd:Pt 농도를 1:2~2:1wt%로 각각 제어하여 평균 입도가 15 nm 인 $SnO_2$ 나노 분말에 도핑, 감지물질을 합성하였다. 그 후 감지물질을 paste로 만들어 인쇄, 가스센서 제작 후 $450{\sim}600^{\circ}C$의 온도로 열처리하였다. 그 결과 이원계 촉매 시스템을 가진 가스 센서는 시효 시간에 따라 감도 값이 변하는 불안정한 현상을 나타내었다, 그러나 단원계 촉매의 경우 시효 시간이 지나도 감도 값이 안정된 현상을 나타내었다. 특히 3wt% pt를 도핑하여 $500^{\circ}C$에서 열처리한 경우 5시간 시효 후에도 감도 값의 변화 폭이 3.5% 이하의 매우 안정된 특성을 나타내었고 반응 시간도 20초 이하로 매우 빠른 응답 특성을 나타내었다.

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디젤엔진 배출가스 저감을 위한 CO, $C_3H_6$의 산화반응에서 Y-제올라이트 담체의 영향 (Effects of Y-Zeolite as a Support on CO, $CC_3H_6$ Oxidation for Diesel Emission Control)

  • 김문찬
    • 한국대기환경학회지
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    • 제13권1호
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    • pp.91-98
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    • 1997
  • Y-zeolite and ${\gamma}$-Al$_2$O$_3$ were used as supports on CO and $C_3$H$_{6}$ oxidation for diesel emission control. The catalysts composed of Pd and Pt as active components were wash coated on honeycomb type ceramic substrate. The oxidation of CO and $C_3$H$_{6}$ was carried out over prepared honeycomb in a fixed bed continuous reactor in the temperature range of 20$0^{\circ}C$~50$0^{\circ}C$ and 20,000 GHSV (h$^{-1}$ ). Surface area of Y-zeolite was larger than that of ${\gamma}$-Al$_2$O$_3$ due to channel structure of Y-zeolite. Therefore, high conversion of CO and $C_3$H$_{6}$ could be obtained because of good dispersion of active metals over Y-zeolite. The honeycomb used Y-zeolite as a support showed higher $C_3$H$_{6}$ conversion than that of ${\gamma}$-Al$_2$O$_3$ due to better cracking and isomerization activity of Y-zeolite. PdPt catalyst showed high conversion of CO and $C_3$H$_{6}$ at low temperature region, 20$0^{\circ}C$~30$0^{\circ}C$, for their synergy effects. PdPt/Y-Zeolite catalyst could achieve more than 80% conversion of $C_3$H$_{6}$ at 30$0^{\circ}C$. The use of Y-zeolite as a support increased CO and $C_3$H$_{6}$ conversion, and decreased SO$_2$ conversion very effectively. Y-zeolite found to have a good adaptability as a support for the diesel emission after treatment system.

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마이크로웨이브 플라즈마와 촉매를 이용한 메탄으로부터 수소 밀 C2+ 화학원료 제조에 환한 연구 (Manufacture of Hydrogen and C2+ Chemicals from Methane using Microwave Plasma and Catalyst)

  • 조원일;백영순;김영채
    • 한국가스학회지
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    • 제5권1호
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    • pp.15-20
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    • 2001
  • 저온 마이크로웨이브 플라즈마와 촉매반응에 의한 메탄올 활성화하여 C2+ 화합물과 수소로 전환하는 반응을 고찰하였다. 금속 촉매인 Fe, Ni과 귀금속 촉매인 Pt, Pd 계열의 촉매로 본 실험을 수행하였다 메탄의 유속이 $20ml\;min^{-1}$일때 플라즈마의 출력이 증가할수록 C2+ 생성물은 29에서 $42\%$로 증가하였으며 동시에 메탄의 커플링 반응에서 발생하는 수소는 0.6에서 0.65 몰분율을 나타내었다. 촉매는 플라즈마 영역 후단에 위치하였을 때, C2+ 생성물이 일정한 수율을 나타내는 반면 에틸렌과 아세틸렌의 선택도는 향상되었다. 플라즈마 반응후 ECR 전기장과 Pd-Ni 이원촉매를 위치했을 때 최고의 C2+ 수율은 $64\%$로 관찰되었다.

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Interfacial disruption effect on multilayer-films/GaN : Comparative study of Pd/Ni and Ni/Pd films

  • 김종호;강희재;김차연;전용석;서재명
    • 한국진공학회:학술대회논문집
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    • 한국진공학회 2000년도 제18회 학술발표회 논문개요집
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    • pp.113-113
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    • 2000
  • 직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체중의 하나인 GaN를 청색 및 자외선 laser diode, 고출력 전자장비 등으로 응용하기 위해서는 낮은 접합저항을 갖는 Ohmic contact이 선행되어야 한다. 그러나 만족할만한 p-type GaN의 Ohmic contact은 아직 실현되고 있지 못하며, 이는 GaN와 접합 금속과의 구체적인 반응의 연구를 필요로 한다. 본 연구에서 앞서 Pt, Pt, Ni등의 late transition metal을 p-GaN에 접합시킨 결과 이들은 접합 당시 비교적 평탄하나 후열 처리과정에서 비교적 낮은 온도에서 기판과 열팽창계수의 차이로 인하여 평탄성을 잃어버리면서 barrier height가 증가한다는 사실을 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 이러한 열적 불안정성을 극복하기 위하여 Ni과 Pd를 차례로 증착하고 가열하면서 interfacial reaction, film morphology, Fermi level의 움직임을 monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy) 그리고 ex-situ AFM을 이용하여 밝히고자 하였다. 특히 후열처리에 의한 계면 반응에 수반되는 구성 금속원소 간의 합금현상과 금속 층의 평탄성이 밀접한 관계가 있다는 것을 확인하였다. 이러한 합금과정에서 나타나는 금속원소들의 중심 준위의 이동을 체계적으로 규명하기 위해서 Pd1-xNix와 Pd1-xGax 합금들의 표준시료를 arc melting method로 만들어 농도에 따른 금속원소들의 중심 준위의 이동을 측정하여, Pd/Ni/p-GaN 및 Ni/Pd/p-GaN 계에서 열처리 온도에 따른 interfacial reaction을 확인하였다. 그 결과 두 계가 상온에서 nitride 및 alloy를 형성하지 않고 고르게 증착되고, 열처리 온도를 40$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$까지 증가시킴에 따라 계면반응의 부산물인 metallic Ga은 증가하고 있으마 nitride는 여전히 형성되지 않는 것을 확인하였다. 증착당시 Ni이 계면에 있는 Pd/Ni/p-GaN의 경우에는 52$0^{\circ}C$까지의 열처리에 의하여 Ni과 Pd가 골고루 섞이고 그 평탄성도 유지되고 barier height의 변화도 없었다. 더 높은 $650^{\circ}C$ 가열에 의해서는 surface free energy가 작은 Ga의 활발한 편석 현상으로 인해 표면은 Ga이 풍부한 Pd-Ga의 합금층으로 덮이고, 동시에 작은 pinhole들이 발생하며 barrier height도 0.3eV 가량 증가하게 된다. 반면에 증착당시 Pd이 계면에 있는 Ni/Pd/p-GaN의 경우에는 40$0^{\circ}C$의 가열까지는 두 금속이 그들 계면에서부터 섞이나, 52$0^{\circ}C$의 가열에 의해 이미 barrier height가 0.2eV 가량 증가하기 시작하였다. 더 높은 $650^{\circ}C$가열에 의해서는 커다란 pinhole, 0.5eV 가량의 barrier height 증가, Pd clustering이 동시에 관찰되었다. 따라서 Ni과 Pd의 일함수는 물론 thermal expansion coefficient가 거의 같으며 surface free energy도 거의 일치한다는 점을 감안하면, 이렇게 뚜렷한 열적 안정성의 차이는 GaN와 contact metal과의 반응시작 온도(disruption onset temperature)의 차이에 기인함을 알 수 있었다. 즉 계면에서의 반응에 의해 편석되는 Ga에 의해 박막의 strain이 이완되면, pinhole 등의 박막결함이 줄어 들고, 이는 계면의 N의 out-diffusion을 방지하여 p-type GaN의 barrier height 증가를 막게 된다.

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