• 전기학회논문지
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• 제62권11호
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• pp.1617-1620
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• 2013

The widely-used measurement methods for conductivity of non-magnetic metals are van der Pauw method, Two Point Probe method and Eddy Current method. Among them a more simpler and easier method is the Eddy Current method and an instrument using the method is a Conductivity Meter which can measure a conductivity by contacting its probe on a sample surface. However, conductivity standards are essentially needed to confirm the meter's performance or to calibrate it. In this study, six kinds of the standards which are made of Cu, Al-1, Al-2, brass, Zn and SUS-316 are developed and conductivity ranges for the standards are 2.27 %IACS ~ 101.6 %IACS with measurement uncertainty of less than 0.3 %.

• 전기학회논문지P
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• 제56권4호
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• pp.157-160
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• 2007

The van der Pauw technique is one of the popular methods for determining the conductivity of flat metal samples. Traceability of the national standard for the conductivity has been achieved by direct current measurement techniques in national measurement institutes of many countries. But recently, alternative current measurement techniques for determining the conductivity of flat metal samples is also interested. In this study, we measured the conductivity of non-ferrous and ferrous flat metals at alternative current using van der Pauw technique. As measurement results, the conductivities of the samples were decreased according to increasing the test frequency even though the decreasing ratio was different.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2004년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1634-1636
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• 2004

반도체 웨이퍼의 면저항을 정밀 측정하는 대표적인 두가지 방법인 4탐침(four point probe)방법과 van der Pauw방법으로 반도체 웨이퍼의 면저항을 비교평가 하였다. 4탐침방법에 의한 측정 시스템을 사용하여 웨이퍼의 전체 면에 대하여 면저항을 측정하고, 같은 웨이퍼의 가장자리 네 지점에 탐침 전극을 구성한 후 van der Pauw 방법으로 면저항을 측정한 결과 4탐침 방법에 의한 측정결과를 기준으로 1 %이하의 일치도를 나타냈다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2015년도 제46회 하계학술대회
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• pp.1515-1516
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• 2015

Touch panel 및 Touch screen 등의 투명전극으로 많이 사용되고 있는 ITO(Indium Tin Oxide)나 CNT(Carbon Nano Tube) 등 전도성 박막의 면저항을 쉽고 빠르게 측정하기 위하여 van der Pauw method를 이용한 면저항 측정기를 개발하였다. 이 면저항 측정기는 대면적 시료의 면저항을 측정 할 수 있어 매우 편리하다. 면저항 측정은 주로 Four Point Probe method로 측정하는 것이 일반적이나 본 연구에서는 van der Pauw method를 이용한 측정값과 Four Point Probe method로 측정한 결과를 비교한 결과 1 % 이내에서 일치하였다. 개발된 측정기의 측정 정확도는 지시값의 1.0 % 이하이고, 측정범위는 $2{\Omega}/{\square}{\sim} 5k{\Omega}/{\square}$이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 1996년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.185-188
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• 1996

The doped n-type $Al_{x}Ga_{1-x}Sb$ crystals were grown by the vertical Bridgman method at composition ratio x=0, x=0.1, x=02 respectively. The lattice constants of the $Al_{x}Ga_{1-x}Sb$ crystals were 6.096${\AA}$, 6.097${\AA}$, 6.106${\AA}$ at composition ratio respectively. The carrier concentration, the resistivity, and the carrier mobility measured by the Van der Pauw method at x-0 were n≡1 x $10^{17}$$cm^{-3}$, $\rho$≡0.15 ${\Omega}$-cm, ${\mu}$$_{n}$≡500 $\textrm{cm}^2$$V^{-1}$$sec^{-1}$ at 300K. The carrier concentration, the resistivity, and the carrier mobility measured by the Van der Pauw method at x=0.1 were n≡2.96 x $10^{15}$$cm^{-3}$, $\rho$≡103 $\textrm{cm}^2$$V^{-1}$$sec^{-1}$ at 300K.

• 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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• 제48권2호
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• pp.104-108
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• 1999

The electrical conductive mechanism and temperature dependence of electrical resistivity of $\alpha-SiC-ZrB_2$ composites with $ZrB_2$ contents were investigated. The electrical resistivity of hot-pressed composites was measured by the Pauw method form $25^{\circ} to 700^{\circ}C$. The electrical resistivity of the composites follow the electrical conduction model for a homogeneous mixture of two kind of particles with different conductivity. Also, the electrical resistivity versus temperature curves indicate the formation of local chains of $ZrB_2$ particles. In case of $\alpha-SiC-ZrB_2$ composites containing above 39vol.% $ZrB_2$ showed positive temperature coefficient resistance(PTCR), whereas the electrical resistivity of $\alpha-SiC-21vol.% ZrB_2$ showed negative temperature coefficient resistance(NTCR).

• 한국자기학회지
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• 제4권1호
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• pp.44-47
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• 1994

Laser ablation법으로 c-축 배향되도록 만든 Y/sub 1/Ba/sub 2/Cu/sub 3/O/sub 7- .delta. / 박막으로 임계온도 근처에서 운반자들의 정보를 얻기위하여 Hall 효과를 연구하였다. 자기비저항은 Nernst 효과 때문에 자기장이 증가할 수록 offset 점의 온도가 낮았고, 자기비저항으로 부터 열자기적 효과를 고 려하여 계산한 Hall 비저항값과 실제 van der Pauw 법으로 측정한 Hall 비저항값을 비교해 본 결과 비교적 잘 일치하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.2124-2125
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• 2011

금속의 비저항 측정방법은 4단자 방법, van der Pauw 방법, Four-Point Probe(FPP) 방법, eddy current 방법 등이 있다. 이들의 측정방법은 다르지만 동일한 시료에 대해 평가한 비저항은 측정 불확도 범위 내에서 일치하여야 한다. 이에 따라 균질한 비자성 금속(STS 316)을 선정한 후 비저항을 평가한 결과 4단자와 van der Pauw 방법에 의한 비저항(도전율)은 각각 75.86 ${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$(2.273 %IACS)과 75.84 ${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$(2.273 %IACS)로서 거의 동일한 결과를 나타냈으며, Four Point Probe(FPP) 방법은 75.91 ${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$(2.271 %IACS), eddy current 방법은 76.63 ${\mu}{\Omega}{\cdot}cm$(2.25 %IACS)으로 나타났다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권9호
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• pp.885-890
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• 1996

Undoped p-type and Te doped n-type GaSb crystals were grown by the vertical Bridgman method. The lattice constant of the GaSb crystals was 6.096.+-.000373.angs.. The carrier concentration, the resistivity, and the carrier mobility measured by the van der Pauw method were p.iden.8*10$^{16}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.20 .ohm.-cm, .mu.$_{p}$ .iden.400c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for p-type, n.iden.1*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.15 .ohm.-cm, .mu.$_{n}$ .iden.500c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for n-type at 300K. In case of treatment with metal ion of R $u^{+3}$, P $t^{+4}$, the carrier concentration, resistivity and carrier mobility of the GaSb crystals were p.iden.2*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.08.ohm.-cm, .mu.$_{p}$ .iden.420c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for p-type, n.iden.2.5*10$^{17}$ c $m^{-3}$ , .rho..iden.0.07.ohm.-cm, .mu.$_{n}$ .iden.520c $m^{2}$ $V^{-1}$ se $c^{-1}$ for n-type respectively. GaSb crystals had a tendency to lower resistivity and higher mobility, for surface treatment with metal ion effectively diminished surface recombination centers.s.

• 한국결정학회지
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• 제1권1호
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• pp.19-28
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• 1990

단결정 6H-SiC는 에너지갭이 3.0eV인 반도체로서 청색발광소자 및 고온반도체소자로 응용이 기대되는 재료이다. 본 연구에서는 청색발광소자 제작을 위해 6H-SiC 단결정을 승화법으로 성장시켰다. 승화법으로 성장시 성장도가니내의 온도구배를 44℃/cm, 성장온도는 1800-1990℃ 압력은 50-1000 mTorr이었다. 사용한 종자정은 에치슨법으로 성장시킨 SiC 단결정을 사용하였다. 성장된 6H-SiC 결정은 종자징위에 epitaxial growtll를 하였음을 편광현미경과 Back reflection Xray Laue 법으로 확인하였다. 성장조건을 변화시켰을 때 생성되는 결정상의 변화를 XRD로 조사하였다. 성장 온도가 1840℃ 이상일 경우에는 6H-SiC이 성장되었으며, 그 이하에서는 6H-SiC가 성장되었다. 또한 3C-SiC는 저온 저파포화도 성장조건에서 성장되는 상임을 확인하였다. van der Pauw측정법에의한 전기적 특성을 조사하였는데, 전도형은 p형이고 hole 농도와 이동도는 7.6x1014cm-3와 19cm2 V-1sec-1였다.