• 센서학회지
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• 제7권1호
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• pp.17-22
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• 1998

$4{\mu}m$ 두께의 a-Se 광도전막을 이용한 HARP (high-gain avalanche rushing amorphous photoconductor) 촬상관을 제작하고 그 특성을 조사하였다. 타겟전압이 360 V 이상으로 증가함에 따라 촬상관의 신호전류는 급격하게 증가하였으나 암전류는 490 V의 전압까지 3.2 nA이하로 억제되었다. $1.1{\times}10^{6}V/cm$의 전기장에서 440 nm의 파장에 대한 타겟의 양자효율은 약 4.3으로 나타났다. 또한 촬상관의 진폭응답은 800 TV line에서 7.5 %였으며 잔상은 3.4%였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 춘계학술대회 논문집 유기절연재료 전자세라믹 방전플라즈마 일렉트렛트 및 응용기술
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• pp.108-111
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• 2002

CIGS film has been fabricated on soda-lime glass, which is coated with Mo film. by multi-source evaporation process. The films has been prepared with thickness of 1.0 ${\mu}m$, 1.75${\mu}m$, 2.0${\mu}m$, 2.3${\mu}m$, and 3.0${\mu}m$. X-ray diffraction analysis with film thickness shows that CIGS films exhibit a strong (112) preferred orientation. Furthermore. CIGS films exhibited distinctly decreasing the full width of half-maximum and (112) preferred peak with film thickness. Also, The film's microstructure, such as the preferred orientation, the full width at half-maximum(FWHM), and the interplanar spacing were examined by X-ray diffraction. The preparation condition and the characteristics of the unit layers were as followings ; Mo back contact DC sputter, CIGS absorber layer : three-stage coevaporation, CdS buffer layer : chemical bath deposition, ZnO window layer : RF sputtering, $MgF_2$ antireflectance : E-gun evaporation

• Journal of Oral Medicine and Pain
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• 제31권3호
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• pp.211-221
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• 2006

목적 전통적 고속 회전식 절삭기구 또는 Er:YAG 레이저로 삭제된 상아질에, 두가지 다른 접착 시스템을 적용한 후, 축조한 컴포지트 레진의 미세인장결합강도를 비교하고, 다양한 Er:YAG 레이저 에너지가 미세인장결합강도에 미치는 영향을 평가한다. 재료 및 방법 40개의 제3대구치를 사용하여, 평평한 상아질면을 만든 후 8개의 군으로 나누어, 4가지 절삭방법 (고속 회전식 절삭기구, 2 W, 3 W, 4 W 출력의 Er:YAG 레이저) 중 한 가지로 삭제하고, 2가지 접착 시스템 (Scotchbond Multipurpose Plus, Clearfil SE bond) 중 한 가지로 처리하여 컴포지트 레진을 축조하였다. 24시간의 저장 후, 각 시편을 결합면에 수직으로 자르고, 미세인장결합강도를 측정하였다. 각 군의 미세인장결합강도는 평균$\pm$표준 편차로 표현하였고, 통계분석을 위해 two-way ANOVA, one-way ANOVA, student-Newman-Keuls' multiple comparison test, 그리고 t-test가 사용되었다. 결과 및 결론 1. 접착시스템과 관계없이, 절삭방법에 따른 미세인장결합강도의 유의한 차이가 있었고, 높은 순서대로 나열하면 다음과 같다: 3 W, 2 W, Bur, 4 W (p<0.001). 2. 절삭방법과 관계없이, Scotchbond Multipurpose Plus로 처리한 군이 Clearfil SE bond로 처리한 군보다 유의하게 높은 미세인장결합강도를 나타냈다 (p<0.001). 3. Scotchbond Multipurpose Plus로 처리한 군 중에서, 3 W 레이저 절삭군이 가장 높은 미세인장결합강도를 나타냈고, 다음이 Bur, 2 W, 4 W 절삭군 순이었다 (p<0.001). 4. Clearfil SE bond로 처리한 군 중에서 3 W 레이저 절삭군이 가장 높은 미세인장결합강도를 나타냈고, 다음이 2 W, 4 W, Bur 절삭군 순이었다 (p<0.001). 5. 두 가지 접착 시스템 모두에서, 레이저로 절삭한 군의 미세인장결합강도의 차이가 있었고, 높은 순서대로 나열하면 3 W, 2 W, 4 W 순이었다 (p<0.001). :상아질에 접착된 컴포지트 레진의 미세인장결합강도는 절삭방법과 접착시스템의 상호작용에 의해 유의한 영향을 받았다. 임상에서 레진 수복시, 2 W-3 W 범위내로 Er:YAG laser를 사용한다면 전통적 핸드피스 못지않게 수복물의 우수한 결합강도를 얻을 수 있다. 특히 시술시간의 단축, 과도한 산부식에 따른 부작용의 예방을 위해 Clearfil SE bond를 포함한 self etching system을 사용하고자 한다면 bur보다 Er:YAG laser를 이용한 삭제방법이 더 유용한 결합력을 제공할 것이다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제4권4호
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• pp.37-40
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• 2010

본 연구에서는 X선 조사에 의해 생성된 전하의 이동현상을 조사하기 위해 비행시간 측정방법을 이용하였다. 이 측정기술은 일반적으로 디지털 X선 영상 변환물질의 전하 트랩 및 수송현상에 유용한 방법이다. 비행시간 측정법을 이용하여 a-Se 광도전체의 전하 수송자의 과도시간 및 이동속도를 측정하였다. 시편제작을 위해 열증착법을 이용하여 유리기판위에 $400{\mu}m$ 두께의 a-Se 필름을 제작하였다. 측정결과, 전자와 정공의 과도시간은 $10V/{\mu}m$의 전기장에서 각각 $229.17{\mu}s$ 와 $8.73{\mu}s$ 였으며, 이동속도는 각각 $0.00174cm^2/V{\cdot}s$, $0.04584cm^2/V{\cdot}s$ 였다. 측정결과, 전자와 정공의 이동 속도의 측정값에 다소 큰 차이를 보였으며, 이 결과로부터 전하수송 및 트랩 기전을 분석하는데 이용하였다.

• 한국방사선학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.73-77
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• 2012

최근 디지털 방사선 영상획득을 위한 평판형 X선 검출기에 이용되는 광도전체(a-Se, $HgI_2$, PbO, CdTe, $PbI_2$ 등)에 대한 관심이 증대되고 있다. 본 연구에서는 입자침전법 적용이 가능한 광도전 물질을 이용하여 X선 영상 검출기 적용을 위한 필름층을 제작하여 평가하였다. 먼저, X선 영상에서 일반적으로 사용되는 에너지대역인 70 kVp 의 연속 X선에 대한 필름 두께별 양자효율을 몬테카를로 시뮬레이션을 통해 조사하였다. 평가결과, 현재 상용화된 500 ${\mu}m$ 두께의 a-Se 필름에 대한 양자효율인 64 %와 유사한 $HgI_2$의 필름의 두께는 180 ${\mu}m$ 정도였으며, 240 ${\mu}m$ 두께에서 74 %의 높은 양자효율을 보였다. 입자침전법을 이용하여 제작된 239 ${\mu}m$ 필름에 대한 전기적 측정결과, 10 $pA/mm^2$ 이하의 매우 낮은 암전류를 보였으며, X선 민감도는 1 $V/{\mu}m$의 인가전압에서 19.8 mC/mR-sec의 높은 감도를 보였다. 영상의 대조도에 영향을 미치는 신호 대 잡음비 평가결과 0.8 $V/{\mu}m$의 낮은 동작전압에서 3,125의 높은 값을 보였으며, 전기장의 세기가 높아질수록 암전류의 급격한 증가에 의해 SNR 값이 지수적으로 감소하였다. 이러한 결과는 종래의 a-Se을 이용하는 평판형 검출기를 입자 침전법으로 제작 가능한 필름으로 대체하여 저가형 고성능 영상검출기 개발이 가능할 것으로 기대된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.276-276
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• 2011

진공증착법으로 ITO (indium-tin-oxide) 기판 위에 $AgGaSe_2$ 박막을 성장시켜 그 구조와 광학적 특성을 조사하였다. X-선 회절 분석에 의하여 살창상수는 a=5.97 ${\AA}$와 c=10.88 ${\AA}$이고, 황동광(chalcopyrite) 구조를 하고 있었으며, 그 성장 방향은 (112)방향으로 선택 성장됨을 알 수 있었다. 증착된 박막과 200~400$^{\circ}C$로 열처리한 박막의 실온에서 측정한 광학적인 에너지 띠 간격은 2.02 eV에서 2.28 eV까지 변하였다. 또한 열린회로로 구성되어 있는 시료의 표면에 광 펄스를 주입하여 표면에서 형성된 전하들의 거동을 광유기 방전 특성(PIDC) 방법을 이용하여 조사하였다. 초기전위 V0로 형성된 시료의 양단을 주행하는 운반자 농도, 전류밀도 및 전기장 효과를 관찰하여 운반자의 주행시간, 이동도 그리고 전하운반자 농도를 계산한 결과는 각각 42 ${\mu}s$~81 ${\mu}s$, $1.9{\times}10^{-1}\;cm^2/Vs$~$5.7{\times}10^{-2}\;cm^2/Vs$ 그리고 약 $6.0{\times}10^{17}/cm^3$~$2.0{\times}10^{18}/cm^3$이었으며, p-형 전도를 나타내었다. 원자 힘 현미경 실험으로 제곱평균제곱근 거칠기와 입계크기를 조사하였으며, X-선 광전자 분광실험으로 원소들의 결합상태를 관찰하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 춘계학술대회 논문집 센서 박막재료 반도체 세라믹
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• pp.71-74
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• 2003

Photoconductor for direct detection fiat-panel imager present a great materials challenge, since their requirement include high X-ray absorption, ionization and charge collection, low leakage current and large area deposition, CdTe is practical material. We report studies of detector sensitivity, That is an CdTe with $5{\mu}m$ thickness on glass. That is hybrid layer of depositting ZnS:AgCl phosphor with $100{\mu}m$ on CdTe. The leakage current of hybrid is similar to it of a-Se, but photocurrent is larger than a-Se. Both of them have high spatial resolution, but hybrid has higher sensitivity than a-Se at comparable bias voltage.

• 한국항공우주학회지
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• 제32권2호
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• pp.95-102
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• 2004

• 대한자원환경지질학회:학술대회논문집
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• 대한자원환경지질학회 2007년도 춘계 지질과학기술 공동학술대회
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• pp.105-107
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• 2007

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집 Vol.3 No.2
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• pp.817-820
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• 2002

Amorphous selenium based flat panel detectors convert incident x-ray to electric signal directly. Flat panel detectors gain more interest real time medical x-ray imaging. TFT array and electric readout circuits are used in this paper offered by LG.Philips.LCD. Detector is based on a $1536{\times}1280$ array of a-Si TFT pixels. X-ray conversion layer(a-Se) is deposited upper TFT array with a $400{\mu}m$ by thermal deposition technology. Thickness uniformity of this layer is made of thickness control system technology$({\leq}5%)$. Each $139{\mu}m{\times}139{\mu}m$ pixel is made of thin film transistor technology, a storage capacitor and collecting electrode having geometrical fill factor of 86%. This system show dynamic performance. Imaging performance is suited for digital radiography imaging substitute by conventional radiography film system.