• 조명전기설비학회논문지
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• 제12권3호
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• pp.114-123
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• 1998

The multi-resonant converter(MRC) minimizes a parasitic oscillation by using the resonant tank circuit absorbed parasitic reactances existing in a converter circuit. So it si possible that the converter operated at a high frequency has a high efficiency because the losses are reduced. Such a MHz high frequency applications provide a high power density [W/inch3] of the converter. But the resonant voltage stress across a switch of the resonant tank circuit is 4~5 times a input voltage. This h호 voltage stress increases the conduction loss because of on-resistance of a MOSFET with higher rating. Thus, in this paper we proposed the alternated multi-resonant converter (AT MRC) differ from the clamp mode multi-resonant converter and applicated it to the forward MRC. The AT forward MRC can reduce the voltage stress to 2~3 times a input voltage by using two series input capacitor. The control circuit is simple because tow resonant switches are driven directly by the output pulse of the voltage controled oscillator. This circuit type is verified through the experimental converter with 48V input voltage, 5V/50W output voltage/power and PSpice simulation. the measured maximum voltage stress is 170V of 2.9 times the input voltage and the maximum efficiency of 81.66% is measured.

• Journal of Yeungnam Medical Science
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• 제34권1호
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• pp.96-100
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• 2017

Amebic liver abscess (ALA) is the most common extraintestinal manifestation of amebiasis. Amebiasis, a parasitic infection caused by Entamoeba histolytica, used to be a prevalent protozoan disease in Korea, however, with an improving sanitary system, it has been among very uncommon etiology of liver abscess. A recent report suggested that ALA is an emerging parasitic infection in human immunodeficiency virus (HIV)-infected patients even in areas where the disease is not endemic and recommended HIV screening in patients in areas where ALA is not endemic, particularly those without history of travel to a disease-endemic area. We report on two patients who were admitted for treatment of ALA and then diagnosed as HIV infection. We also reviewed the etiology and characteristics of ALA in our hospital during the last 5 years.

• 한국응용곤충학회지
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• 제11권2호
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• pp.69-84
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• 1972

우리나라 경상북도, 경상남도, 제주도의 32개군에서 125종의 농작물에서 식물 기생성 선충을 조사한 결과 9과 28속 42종을 발견하였다. 그중에 다음 8종은 우리나라 미기록 종이며 이미 발표된 종에 대해서는 특이할만한 형태적인 특징만을 언급하였다. Criconemoides morgensis(Hofmanner & Menzel, 1914). Crossonema(Crossonema) menzeli(stefanski, 1924) Metha & Raski, 1971. Macroposthonia ferniae (Luc, 1959) De Grisse & Loof, 1965. Macrobosthonia rustica (Micoletzky, 1915) De Grisse & Loof, 1965. Neolobocriconema aberrane(Jairajpuri & Siddiqi, 1964) Methat & Raski, 1971. Nothocriconema demani(Micoletzky, 1925) De Grisse & Loof, 1965. Rotylenchus pini Mamiya, 1968. Xenocriconemella macrodora(Taylor, 1936) De Grisse & Loof, 1965.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.392-395
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• 2003

For the first time, the new dual trench gate Emitter Switched Thyristor is proposed for eliminating snap-back effect which leads to a lot of serious problems of device applications. Also, the parasitic thyristor that is inherent in the conventional EST is completely eliminated in the proposed EST structure, allowing higher maximum controllable current densities for ESTs. Moreover, the new dual trench gate allows homogenous current distribution throughout device and preserves the unique feature of the gate controlled current saturation of the thyristor current. The conventional EST exhibits snap-back with the anode voltage and current density 2.73V and $354/{\S}^2$, respectively. But the proposed EST exhibits snap-back with the anode voltage and current density 0.93V and $58A/{\S}^2$, respectively. Saturation current density of the proposed EST at anode voltage 6.11V is $3797A/{\S}^2$. The characteristics of 700V forward blocking of the proposed EST obtained from two dimensional numerical simulations (MEDICI) is described and compared with that of the conventional EST.

• 응용통계연구
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• 제18권1호
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• pp.27-41
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• 2005

『전국 장내 기생충 감염실태조사』를 위해 새로운 표본설계를 하였다. 2000년 인구 주택총조사의 10% 표본조사자료를 조사모집단으로 사용하였고, 조사의 특성상 각종 기생충의 감염율이 아주 낮은 관계로 통상적인 분석방법 대신에 상대위험도과 오즈비를 사용하였다. 표본배정은 네이만 배정의 절충형을 사용하였다. 또한 전국 단위와 특성별 추정이 가능하도록 하였고 추정의 정확성을 측정하기 위해 추정량의 분산식을 유도하였다.

• 한국전자파학회논문지
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• 제14권11호
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• pp.1216-1224
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• 2003

본 논문에서는 셀룰러 대역과 IMT-2000대역에서 사용 가능한 안테나로서 이중밴드 대수주기 다이폴 안테나 (DLPDA: Dual Band Log-periodic Dipole Antennas)를 제안하였다. 제안한 안테나는 2조의 대수주기 다이폴 안테나와 기생소자들로 구성되어 있다. 제안된 안테나의 타당성을 조사하기 위하여 셀룰러 대역과 IMT-2000대역에서 DLPDA를 설계하고, 모멘트법을 이용하여 복사특성을 해석하여 측정치와 비교하였다. 그 결과 제안된 DLPDA는 길이가 70 cm이면서도 셀룰러 대역과 IMT-2000 대역에서 이득, VSWR 빔폭의 설계목표치를 모두 만족하는 것으로 나타났다. 이로서 본 논문에서 제안한 DLPDA는 셀룰러 대역과 IMT-2000 대역에서 사용 가능한 이중밴드 안테나임이 확인되었다.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제13권5호
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• pp.959-964
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• 2018

본 논문에서는 고주파에서 동작하는 공핍형 SOI MOSFET의 드레인 전류가 유도성 기생성분에 의해서 응답지연이 일어나는 것을 처음으로 확인하였다. 공핍형 SOI MOSFET는 드레인전압 변동에 따른 드레인전류의 응답지연이 발생하기 때문에 일반적인 MOSFET 고주파모델로는 해석할 수가 없다. 이러한 응답지연은 non-quasi-static 효과로 설명될 수 있으며 SOI MOSFET에서는 일반적인 MOSFET에 비해 유도성 기생성분에 의해 응답지연이 크게 발생하게 된다. 본 논문에서 제시한 고주파모델을 이용하여 공핍형 SOI MOSFET의 드레인 응답지연을 잘 표현하는지 확인한다.

• 한국산학기술학회논문지
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• 제9권6호
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• pp.1581-1584
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• 2008

버팅 콘택을 가진 쌍극 폴리사이드 게이트 구조에서 폴리실리콘 내의 순 도핑(net doping) 농도는 $n^+/p^+$ 중첩 및 실리사이드/폴리실리콘 층에서 도펀트의 수평 확산에 기인하여 감소하였다. 버팅 콘택 영역에서의 쇼트키 다이오드 형성은 $CoSi_2$의 열적 응집 현상에 의한 $CoSi_2$ 손실과 폴리실리콘 내의 농도 저하에 기인된다. DDI DRAM에서 기생 쇼트키 다이오드는 감지 증폭기의 노이즈 마진을 감소시켜 column성 불량을 일으킨다. Column성 불량은 $n^+/p^+$ 폴리실리콘 접합 부분을 물리적으로 분리시키거나, $CoSi_2$ 형성 전 질소 이온을 $p^+$ 영역에 주입 시켜 $CoSi_2$의 응집현상을 억제함으로써 줄일 수 있다.

• 한국통신학회논문지
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• 제26권11B호
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• pp.1620-1627
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• 2001

본 논문에서는 PCS와 IMT-2000 서비스를 동시에 수용할 수 있는 광대역 안테나를 설계하였다. 광대역 특성을 얻기 위하여 두 개의 폼 물질, 기생소자로 구성된 개구면 결합 방식을 사용한 다층구조를 사용하였다. 기생소자의 크기와 폼 물질의 높이를 조절함으로서 광대역 특성을 얻었다. 또한, 급전선 하단 λ/4 위치에 도체판을 사용함으로서 후방 방사를 줄였다. 단일 방사소자의 대역폭은 VSWR 1.3이하에서 550MHz를 얻었다. 제작된 1$\times$4 배열 안테나의 대역폭은 VSWR 1.3이하에서 460MHz, 안테나 이득은 11.15~12.15dBi, 전후방비는 30dB를 얻었다.

• Journal of Power Electronics
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• 제19권6호
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• pp.1413-1428
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• 2019

In this paper, a novel zero-voltage and zero-current switching (ZVZCS) interleaved two switch forward converter is proposed. By using a coupled-inductor-type smoothing filter, a snubber capacitor, the parallel capacitance of the leading switches and the transformer parasitic inductance, the proposed converter can realize soft-switching for the main power switches. This converter can effectively reduce the primary circulating current loss by using the coupled inductor and the snubber capacitor. Furthermore, this converter can reduce the reverse recovery loss, parasitic ringing and transient voltage stress in the secondary rectifier diodes caused by the leakage inductors of the transformer and the coupled inductance. The operation principle and steady state characteristics of the converter are analyzed according to the equivalent circuits in different operation modes. The practical effectiveness of the proposed converter was is illustrated by simulation and experimental results via a 500W, 100 kHz prototype using the power MOSFET.