• 대한화장품학회지
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• 제34권2호
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• pp.75-82
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• 2008

본 연구에서는 금 나노입자 콜로이드를 이용하여 safranin-O의 광촉매적 분해를 관찰하였다. 금 나노입자는 용액상에서 safranin-O의 분해 속도를 빠르게 하기 위해서 사용되었다. 금 나노입자 콜로이드는 수용액상에서 $Na_2CO_3$와 PVP 고분자(poly(vinyl pyrrolidone))를 이용하는 환원방법에 의하여 제조하였다. Safranin-O의 분해현상은 자외선(UV light)와 과산화수소($H_2O_2$)의 존재 하에서 금 나노입자 콜로이드와 염화금의 농도, 반응계의 산도(pH), 반응시간과 같은 실험조건들의 조절을 통해 연구되었다. 분해반응에 사용된 금 나노입자 콜로이드의 농도가 증가함에 따라서 염료가 분해되는 속도가 증가하였다. Safranin-O의 광산화 반응은 광학적으로 측정되었고, 금 나노입자의 기본적인 물성과 촉매 특성은 UV-Vis 광학계를 이용하여 측정되었다.

• 자원리싸이클링
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• 제23권6호
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• pp.22-29
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• 2014

네오디뮴 폐자석 침출액으로부터 희유금속인 네오디뮴을 회수하는 연구와 함께 네오디뮴과 같이 침출되는 철의 부가가치를 높이는 연구가 필요하다. 본 연구에서는 네오디뮴과 같이 침출되는 철의 유용자원화를 위한 기초연구로 철 나노분말을 제조하는 실험을 수행하였다. 본 연구는 $FeCl_3$ 용액을 철 분말 원료로, 분산제는 $Na_4P_2O_7$와 Polyvinylpyrrolidone를 이용하였고, 환원제로는 $NaBH_4$, 철 나노분말 핵생성 촉진제 seed로 염화팔라듐을 사용하였다. 제조한 철 나노분말을 XRD, SEM을 이용하여 분말의 형상 및 크기를 분석하였다. Fe와 $NaBH_4$의 몰 비를 1 : 5로 조절하여 철 분말을 제조하였으며, 이 때 철 분말은 구형이었으며, 입도는 약 50 ~ 100 nm 였다. 분산제 $Na_4P_2O_7$의 경우 100 mg/L에서 철 이온의 제타포텐셜이 음의 값을 가졌고, $FeCl_3$ 과 PVP와 Pd의 질량비 1 : 4 : 0.001에서 분산이 양호하고, 입도가 100 nm 인 철 나노분말을 합성하였다. 같은 반응 조건에서 폐 Nd 침출액의 Fe 이온을 pH를 조절하여 슬러리화한 후 실험을 진행한 결과, pH 9에서 구형의 철 분말을 합성할 수 있었으며, 20 L 이상의 Scale-up 공정에서는 분산제 없이 환원제로 175 nm 크기의 철 분말을 합성할 수 있었다.

• 통합자연과학논문집
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• 제10권4호
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• pp.245-248
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• 2017

The Cu and CuSn/PVP nanofibers were fabricated by electrospinning method by controlling various parameters. The precursor solution was prepared with copper(II) acetate monohydrate ($Cu(CH_3COO)_2$) and tin chloride dihydrate ($SnCl_2{\cdot}2H_2O$), and polyvinylpyrrolidone (PVP) for adjusting viscosity. The fabricated nanofibers were calcined at 873 K in Ar atmospheric environment for 5 hours to remove the solvent and polymer. The morphology and diameter of nanofibers were measured by optical microscopy (OM) with Motic image plus 2.0 program. The components and chemical environment were investigated with X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). From the XPS survey spectra, we confirmed that CuSn/PVP nanofibers were successfully fabricated. The XPS peaks of C 1s and N 1s were remarkably decreased after calcination of the nanofibers at 873 K. It implies that the PVP was completely decomposed after calcination at 873 K.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.479-479
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• 2011

Flexible inverters based on complementary thin-film transistor (CTFTs) are important because they have low power consumption and other advantages over single type TFT inverters. In addition, integrated CTFTs in flexible electronic circuits on low-cost, large area and mechanically flexible substrates have potentials in various applications such as radio-frequency identification tags (RFIDs), sensors, and backplanes for flexible displays. In this work, we introduce flexible complementary inverters using pentacene and amorphous indium gallium zinc oxide (IGZO) for the p-channel and n-channel, respectively. The CTFTs were fabricated on polyimide (PI) substrate. Firstly, a thin poly-4-vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate to make a smooth surface with rms surface roughness of 0.3 nm, which was required to grow high quality IGZO layers. Then, Ni gate electrode was deposited on the PVP layer by e-beam evaporator. 400-nm-thick PVP and 20-nm-thick ALD Al2O3 dielectric was deposited in sequence as a double gate dielectric layer for high flexibility and low leakage current. Then, IGZO and pentacene semiconductor layers were deposited by rf sputter and thermal evaporator, respectively, using shadow masks. Finally, Al and Au source/drain electrodes of 70 nm were respectively deposited on each semiconductor layer using shadow masks by thermal evaporator. Basic electrical characteristics of individual transistors and the whole CTFTs were measured by a semiconductor parameter analyzer (HP4145B, Agilent Technologies) at room temperature in the dark. Performance of those devices then was measured under static and dynamic mechanical deformation. Effects of cyclic bending were also examined. The voltage transfer characteristics (Vout- Vin) and voltage gain (-dVout/dVin) of flexible inverter circuit were analyzed and the effects of mechanical bending will be discussed in detail.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제45권6호
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• pp.560-565
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• 2007

화학환원법을 이용하여 폐동분 수용액에 환원제인 hydrazine을 첨가하여 $0.11{\sim}0.64{\mu}m$ 크기의 Cu 미립자를 제조하였으며, 이 과정 중 hydrazine의 첨가량이 얻어진 분말의 물성에 미치는 영향을 살펴보았다. 또한 분말합성 과정 중 분산제인 polyvinyl alcohol(PVA) 또는 polyvinyl pyrrolidone(PVP) 첨가가 분말의 물성에 미치는 영향도 조사하였다. 1 M 농도의 폐동분 수용액에 hydrazine이 0.8 mol, 1.0 mol 첨가된 경우에는 Cu와 $Cu_2O$의 혼합물을 나타내어 순수한 Cu 분말을 생성하지 못했다. 반면 적당량의 hydrazine(1.2 mol)이 첨가된 경우에는 순수한 Cu 분말이 생성되었다. 또한 얻어진 Cu 분말의 평균크기는 hydrazine과 분산제의 첨가량이 증가함에 따라 감소하였다. 한편 분말의 응집을 억제하는 분산제로서 PVA의 사용이 PVP 보다 더욱 효과적이었다.

• Macromolecular Research
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• 제15권7호
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• pp.693-696
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• 2007

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제27권10호
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• pp.1674-1676
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• 2006

• 원예과학기술지
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• 제16권2호
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• pp.239-241
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• 1998

온대산 Cymbidium속의 생장점으로 부터 근경이나 유묘를 증식시키고자 할 때 문제가 되고 있는 몇가지 요인을 검토하여 근경 및 유묘증식 효율을 제고하기 위하여 실험을 수행한 결과를 요약하면 다음과 같다. Hyponex 배지에 몇가지 물질을 첨가한 실험에서 '녹운(綠雲)'은 $H_3P_4$ 배지에 $NaH_2PO_4{\cdot}H_2O$ 170 mg/L 단용이나 thiamine HCl 0.4 mg/L와의 혼용시 대조구에 비해 많은 유묘가 증식되었으나 이외의 품종은 거의 효과가 없었다. 갈변방지 실험에서 춘한란 '호덕지화(浩德之花)'의 근경을 PVP 150 mg/L를 첨가한 배지에 배양했을 때 갈변 방지에 가장 효과적이었다. 유묘로부터 근경재형성 또는 유묘 증식시, '소접(素蝶)' 유묘로부터의 근경 재형성은 초장이 5.5cm인 유묘를 NAA 2.0mg/L와 BA 1.0mg/L첨가배지에 암배양시, 유묘의 증식은 NAA 1.0mg/L와 BA 3.0mg/L첨가배지에서 명배양시 양호하였다. '서신매(西神梅)'와 '송매(宋梅)'의 근경 재형성은 초장이 각각 5.5cm와 2.5cm인 유묘를 NAA 2.0mg/L과 kinetin 1.0mg/L 첨가 배지에서 암배양시, 유묘의 증식은 NAA 2.0mg/L와 BA 3.0mg/L 첨가배지에서 명배양시 양호하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권9호
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• pp.3338-3342
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• 2011

We fabricated ceria ($CeO_2$) nanofibers by applying a mixed solution of polyvinylpyrrolidone (PVP) and various concentrations of cerium nitrate hydrate ($Ce(NO_3)_3$) ranging from 15.0 to 26.0 wt % by the electrospinning process. Ceria nanofibers were obtained after calcining PVP/$Ce(NO_3)_3$ nanofiber composites at 873 and 1173 K. The SEM images indicated that the diameters of $CeO_2$ nanofibers calcined at 873 and 1173 K were smaller than those of nanofibers obtained at RT. As the amount of cerium increased, the diameter of $CeO_2$ nanofibers increased. XRD analysis revealed that the ceria nanofibers were in cubic form. TEM results revealed that the ceria nanofibers were formed by the interconnection of Ce oxide nanoparticles. The ceria nanofibers obtained at low concentrations of Ce (CeL) showed spotty ring patterns indicated that the ceria nanofibers were polycrystalline structure. And the ceria nanofibers obtained at high concentration of Ce (CeH) showed fcc (001) diffraction pattern. XPS study indicated that the oxidation of Ce shifted from $Ce^{3+}$ to $Ce^{4+}$ as the calcination temperature increased.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.341-341
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• 2012

Recently, oxide semi-conductor materials have been investigated as promising candidates replacing a-Si:H and poly-Si semiconductor because they have some advantages of a room-temperature process, low-cost, high performance and various applications in flexible and transparent electronics. Particularly, amorphous indium-gallium-zinc-oxide (a-IGZO) is an interesting semiconductor material for use in flexible thin film transistor (TFT) fabrication due to the high carrier mobility and low deposition temperatures. In this work, we demonstrated improvement of flexibility in IGZO TFTs, which were fabricated on polyimide (PI) substrate. At first, a thin poly-4vinyl phenol (PVP) layer was spin coated on PI substrate for making a smooth surface up to 0.3 nm, which was required to form high quality active layer. Then, Ni gate electrode of 100 nm was deposited on the bare PVP layer by e-beam evaporator using a shadow mask. The PVP and $Al_2O_3$ layers with different thicknesses were used for organic/inorganic multi gate dielectric, which were formed by spin coater and atomic layer deposition (ALD), respectively, at $200^{\circ}C$. 70 nm IGZO semiconductor layer and 70 nm Al source/drain electrodes were respectively deposited by RF magnetron sputter and thermal evaporator using shadow masks. Then, IGZO layer was annealed on a hotplate at $200^{\circ}C$ for 1 hour. Standard electrical characteristics of transistors were measured by a semiconductor parameter analyzer at room temperature in the dark and performance of devices then was also evaluated under static and dynamic mechanical deformation. The IGZO TFTs incorporating hybrid gate dielectrics showed a high flexibility compared to the device with single structural gate dielectrics. The effects of mechanical deformation on the TFT characteristics will be discussed in detail.