• 한국동굴학회:학술대회논문집
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• 한국동굴학회 2005년도 후반기 학술발표대회
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• pp.69-77
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• 2005

비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖은 PTC thermistor눈 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내어 감소하다가, 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 BaTiO$_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로, 저항-온도 특성, 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser) 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 정온발열 탐사기능 온열부츠 제작 용 PTC 부픔소재의 응용성을 조사하였다.

• 한국유체기계학회 논문집
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• 제3권4호
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• pp.15-21
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• 2000

An anemometer employing the bulk PTC thermistor as the sensing element is investigated in this study. The numerical and experimental works are carried out to improve the sensitivity problem of the element by focusing fluid dynamics point of view. The typical shape of the sensing element has been used as a rectangular type, but this shape has a sensitivity problem because of flow separations on the sharp edge when the flow direction is different from that of the sensing element. In order to reduce the reading error, the installer has to be very careful about the flow direction. The reading error fluctuation by time as well as the sensitivity problem can be improved considerably through this study. It can be concluded that the small change of the sensor shape can improve the performance of the flow sensor.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 추계학술대회 논문집 Vol.18
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• pp.240-241
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• 2005

비 직선적 정(+) 저항온도계수 특성을 갖는 PTC thermistor는 전이온도(큐리점) 부근에서 온도변화에 대하여 극히 큰 저항 값의 변화를 나타내는 산화물계반도체 저항기(또는 발열체)로써, 일반적으로 반도체의 온도-저항 특성과 같이 상온영역에서 온도의 상승과 함께 부성저항 특성을 나타내다가 온도가 점점 증가하여 큐리점 부근에 도달하면 저항이 급격히 증가하는 독특한 특성을 갖는다. Perovskite 구조의 $BaTiO_3$를 주성분으로 미량의 Dopant를 첨가하여 도전성을 갖게 한 N형 반도체의 일종으로 저항-온도 특성 전류-전압 특성, 전류감쇄 특성 등을 이용하여 과전류 보호회로, 히터, TV 소자회로(degausser), 모터기동회로, 온도센서, 정온발열기기 등으로 널리 사용된다. 본 연구는 큐리점 부근의 급격한 저항변화 현상과 결정입계의 전위장벽 형성 및 그에 따른 정온발열 기능의 상관성으로부터 그 응용성을 조사하였다.

• 한국화재소방학회논문지
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• 제19권2호
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• pp.75-80
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• 2005

적충형 PTC 서미스터의 특성연구를 위해 $(0.90Ba+0.05Sr+0.05Ca)TiO_3+0.01TiO_3+0.01SiO_2+0.0008MnO_2+0.0018Nb_2O_5$와 같은 실험조성식을 설정한 후 표면실장(SMD) 적층형 PTC 시편을 제작하였다. 그 결과 상온 비저항 값을 크게 낮출 수 있고 용도에 따라 전류용량을 크게 할 수 있었으나 적층화로 인해 peak 비저항이 크게 낮아지고 열용량이 커짐으로써 스위칭(switching)시간이 늦어지는 점을 확인하였다. 전압-전류 특성에서는 적층수가 증가할수록 초기 최대전류값이 증가하며 큐리점에 대응하여 저항값이 급격히 커지는 전이전압(전계)도 증가함을 보였다. 그러나 인가전압(전계)을 증가시킬 경우 peak 비저항값을 높일 수 있어 스위칭시간을 줄일 수 있다 이 소자는 화재감지기의 센서로 활용될 수 있다.

• 폴리머
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• 제26권6호
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• pp.812-820
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• 2002

본 연구에서는 나노입자인 카본블랙을 고분자에 분산시킨 복합체를 각각 용액혼합과 용융혼합을 이용하여 positive temperature coefficient (PTC) 특성을 연구하였다. 전도성 나노입자인 카본블랙과 고분자 복합체의 저항 통전 (threshold)은 용융혼합하였을 때 카본블랙의 함량이 35wt% 이상에서 나타났으며. 용액혼합에서는 카본블랙 함량이 40 wt% 이상에서 나타났다. Ethyl-one vinylacetate copolymer (EVA)의 경우, 온도의 변화에 따라서 저항이 서서히 증가하다가 용융점 근처에서 극대값을 나타내었지만, high density polyethylene (HDPE)의 경우는 저항이 온도의 변화에 따라 일정하다가 용융점 근처에서 증가하기 시작하여 용융점에서 극대값을 나타내었다. 통전 후의 낮은 저항과, scanning electron microscopy (SEM)으로 관찰한 결과로부터 전도성 나노입자의 카본블랙 분산방법에서 용액혼합의 분산 정도가 용융혼합 못지않게 나타났다. PTC 소재에 전류인가시 큐리온도에서 1차적으로 저항이 증가하였으며, 고분자의 용융점에서 2차적으로 트립온도가 될 때까지 저항이 증가하다가 트립온도 이후에는 저항이 일정하게 유지됨을 알 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제2권2호
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• pp.41-48
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• 1995

본 논문에서는 테이프 케스팅법으로 제조한 BaTiO3 계 쉬트형 PTCR 세라믹스의 적기적물성에 대하여 연구하였다. PTCR의 조성은 몰비로 89.9 BaTiO3-0.1Sb2O3-10 CaTiO3-0.05MnO3였고 케스팅용 슬러리의 유기물질은 결합제로 PVB 가소제로는 DBP 용제 로는 에탄올과 톨류엔 그리고 분산제로는 fish oil을 사용하였다. 케스팅하여 얻어진 그린쉬 트를 13$25^{\circ}C$와 135$0^{\circ}C$에서 1시간 소성하여 얻은 쉬트형 PTCR을 온도에 대한 저항 및 복소 임피던스를 측정하고 미세구조를 SEM으로 관찰하여 칩화를 위한 조건들을 검토하였다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권1호
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• pp.77-82
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• 1995

PTCR(Positive Temperature Coefficient of Resistivity) thermistor in thin film BaTiO$_{3}$ system was prepared by using radio frequency(13.56 MHz) and DC magnetron sputter equipment. Polycrystalline, surface structure, and R-T(Resistivity-Temperature) characteristics of the specimens were measured by X-ray diffraction(D-Max3, Rigaku, Japan), SEM(Scanning Electron Microscopy: M.JSM84 01, Japan), and insulation resistance measuring system (Keithley 719), respectively. Thin films characteristics of the thermistor showed different properties depending on the substrate even with the same sputtering condition. The thin film formed on the A1$_{2}$O$_{3}$ substrate showed a good crystalline and a low resistivity at below curie point. However, the thin films prepared on slide glass and Si wafer were amorphous. The thicknesses of the three samples prepared under the same process conditions were 700[.angs.], 637.75[.angs.], and 715[.angs.], respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.181-181
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• 2007

PTCR 세라믹스를 적층형 부품으로 제조할 경우 소형화, 저 저항화 및 과전류 유입 시 빠른 응답특성을 갖는다는 장점을 가지고 있으며, 이러한 적층형 부품제조시에는 내부전극재가 부품소자의 물성에 중요한 영향을 미친다. 특히 우수한 옴성 접촉(Ohmic Contact)을 갖는 Zn, Fe, Sn, Ni 등의 적층 PTC용 전극재는 높은 산화특성으로 인해 재산화 과정에서의 비옴성 접촉(Non-ohmic contact)을 갖게 되어 PTC 특성을 저하시킬 우려가 있다. 따라서 본 연구에서는 적층형 PTCR 세라믹스의 내부전극재와 반도체 세라믹층의 동시소성거동 및 적층 PTCR 세라믹스의 전기적 특성을 평가하였다. 본 연구에 적용된 내부전극재로는 Ni 전극을 사용하였고, Ni 전극용 paste로는 무공제 paste, 반도체 세라믹공제 paste, $BaTiO_3$ 공제 paste의 3종 전극재가 이용되었다. 적층형 PTCR 세라믹스의 제조공정은 테이프 캐스팅(Tape casting), 내부전극인쇄, 적층 및 동시소성을 포함하는 적층화공정을 적용하였다. 각각의 전극 paste를 적용하여 제조된 chip은 미세구조관찰, I-V특성, R-T특성 등을 평가하여 내부전극내 세라믹공제의 영향을 고찰하였다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 추계학술대회 논문집 학회본부
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• pp.278-281
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• 1991

1) The specimen with 0.175[mol%] of additive $Sb_2O_3$ was minute and didn't appear porosity. The relation between the ratio of resistivity at $160^{\circ}C$ to that at $121^{\circ}C$ of the specimen with 0.175[mol%] of additive $Sb_2O_3$ was $3{\times}10^4$ and it's great value from among specimens. 2) The curie temperature of the specimen with 0.2 [mol%] of additive $Sb_2O_3$ was $140^{\circ}C$ AND it's great value from among specimens and those of other were $121^{\circ}C$ in all therefore, the specimen with above 0.2[mol%] of additive $Sb_2O_3$ is not match for PTCR 3) The variation of radiation properties of the specimen with 0.2[mol%] of additive $Sb_2O_3$ was very steep in the range of far-infrared $5{\sim}10[{\mu}m]$ but radiation percentage was very high of 0.92 in the range of $10[{\mu}m]$.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1991년도 하계학술대회 논문집
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• pp.204-208
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• 1991

In this paper, the radiation properties of a far-Infrared using a PTC thermistor, the $BaTiO_3$+1.63mol% $Al_2O_3$+3.75mol% $SiO_2$+1.25mol% $TiO_2$(1/3 $Al_2O_3+xSiO_2$+(1-x) $TiO_2$; total x: 6.67mol%) ceramics, in order to progress the grade resistivity characteristics, by adding an ethanol solution of $Mn(NO_3){\cdot}6H_2O$ was investigated. The ceramics was fabricated by wet-mill method. The sintering temperature read 1300-1350$[^{\circ}C]$ and the holding time was 3 hours. The quantity of $Sb_2O_3$ and $Al_2O_3$ for an activation of the far-infrared radiation in ceramics was doped. In sintering, R-T property was measured by varying the grade temperature. The anatase-lighting apparatus and microstructures by using XRD and SEM were observed. $Sb_2O_3$. oxides additive. affected the semiconducting and emissivity and MnO was devoted an increase of resistivity. The specimen which only $Sb_2O_3$ is added to was high appeared far-infrared emissivity and Mno was not affacted the far-infrared radiation. The ceramics shows that it is effective in the structure of the human bodies as organic bodies and can be applied as electron device.