• International Journal of Precision Engineering and Manufacturing
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• 제6권4호
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• pp.49-54
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• 2005

In this paper, micro structuring technique using localized electrochemical deposition (LECD) with ultra short pulses was investigated. Electric field in electrochemical cell was localized near the tool tip end region by applying pulses of a few hundreds of nano second duration, Pt-Ir tip was used as a counter electrode and copper was deposited on the copper substrate in mixed electrolyte of 0.5 M $CuSO_4$ and 0.5 M $H_2SO_4$, The effectiveness of this technique was verified by comparison with ECD using DC voltage. The deposition characteristics such as size, shape, surface, and structural density according to applied voltage and pulse duration were investigated. The proper condition was selected based on the results of the various experiments. Micro columns less than $10{\mu}m$ in diameter were fabricated using this technique. The real 3D micro structures such as micro spring and micro pattern were made by the presented method.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제17권2호
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• pp.192-198
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• 1996

We present a theoretical formulation of diffusion process on solid surface based on multidimensional transition state theory (TST). Surface diffusion of single adatom results from hopping processes on corrugated potential surface and is affected by surface vibrations of surface atoms. The rate of rare events such as hopping between lattice sites can be calculated by transition state theory. In order to include the interactions of the adatom with surface vibrations, it is assumed that the coordinates of adatom are coupled to the bath of harmonic oscillators whose frequencies are those of surface phonon modes. When nearest neighbor surface atoms are considered, we can construct Hamiltonians which contain terms for interactions of adatom with surface vibrations for the well minimum and the saddle point configurations, respectively. The escape rate constants, thus the surface diffusion parameters, are obtained by normal mode analysis of the force constant matrix based on the Hamiltonian. The analysis is applied to the diffusion coefficients of W, Ir, Pt and Ta atoms on the bcc(110) plane of W in the zero-coverage limit. The results of the calculations are encouraging considering the limitations of the model considered in the study.

• 한국추진공학회지
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• 제12권5호
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• pp.26-34
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• 2008

고농도 과산화수소를 분해시킬 수 있는 다양한 촉매의 성능을 비교하였다. 감마 알루미나에 산화망간, 백금, 이리듐을 각각 코팅하여 펠렛 촉매를 제작하였다. 각기 다른 세 가지 촉매를 이용하여 플라스크 반응기에서 반응성을 비교하였고, 50 Newton 급 추력기를 이용하여 펄스 응답 특성을 비교하였다. 그 결과 이리듐 촉매가 가장 높은 활성, 빠른 응답성을 나타내었으나, 연속모드에서 반응 실패 경향을 보여 과산화수소 분해용 촉매로는 부적절하였다. 백금, 산화망간 촉매 또한 우수한 반응성을 보여 높은 가능성을 보였으며, 고추력 추력기와 같이 촉매양이 많이 요구되는 경우, 비용문제를 고려한다면 산화망간 또한 과산화수소 분해에 적합할 것으로 판단된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제7권3호
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• pp.384-392
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• 1997

레이저의 파장을 변환시키는 비선형광학 재료인 potassium lithium niobate(KLN) 단결정은 상온에서 정방형 tungsten-bronze 구조를 갖는 강유전체이다. 결정성장이 매우 어렵고 성장된 결정을 냉각하는 과정에 생기는 균열에 의해 고품질의 단결정을 얻기가 쉽지 않았다. 결정성장 도중에 생기는 용액의 증발에 의한 조성의 변화를 알아보고자 열중량 분석을 행하였는데 결정성장 온도보다 약 1$0^{\circ}C$ 정도 높은 $1000^{\circ}C$에서 휘발은 $1.46{\times}10^{-5}$g/ ($\textrm{cm}^2$hr)로 미량이었다. 백금판을 핵생성의 자리로 사용하고 온도에 요동을 주며 서냉을 하여 결정을 성장시키는 방법을 사용하여 좋은 품질의 비교적 대형인 1 cm 정도의 KLN 단결정을 성장시킬 수 있었다. 상전이 온도는 $490^{\circ}C$로 앞서 보고된 것보다 고온이었다. OH- 밴드에 의한 광학적 이방성이 IR 영역에서 존재하였다.

• 한국재료학회지
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• 제19권2호
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• pp.90-94
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• 2009

The development of low-k materials is essential for modern semiconductor processes to reduce the cross-talk, signal delay and capacitance between multiple layers. The effect of the $CH_4$ concentration on the formation of SiOC(-H) films and their dielectric characteristics were investigated. SiOC(-H) thin films were deposited on Si(100)/$SiO_2$/Ti/Pt substrates by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with $SiH_4$, $CO_2$ and $CH_4$ gas mixtures. After the deposition, the SiOC(-H) thin films were annealed in an Ar atmosphere using rapid thermal annealing (RTA) for 30min. The electrical properties of the SiOC(-H) films were then measured using an impedance analyzer. The dielectric constant decreased as the $CH_4$ concentration of low-k SiOC(-H) thin film increased. The decrease in the dielectric constant was explained in terms of the decrease of the ionic polarization due to the increase of the relative carbon content. The spectrum via Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy showed a variety of bonding configurations, including Si-O-Si, H-Si-O, Si-$(CH_3)_2$, Si-$CH_3$ and $CH_x$ in the absorbance mode over the range from 650 to $4000\;cm^{-1}$. The results showed that dielectric properties with different $CH_4$ concentrations are closely related to the (Si-$CH_3$)/[(Si-$CH_3$)+(Si-O)] ratio.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집 Vol.14 No.1
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• pp.104-107
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• 2001

The fabricated La-modified lead titanate (PLT) thin flim without paling treatment was investigated for modulation frequency dependence of pyroelectric properties by the dynamic method. $Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_{3}$ PLT (x=0.1) thin film having 10 mol% La content was deposited on a $Pt/TiO_{x}/SiO_{2}/Si$ substrate by sol-gel method. The PLT(10) thin film exhibits a relatively excellent dielectric property. The pyroelectric coefficient (p) of the PLT(10) thin film is $6.6{\times}10^{-9}C/cm_{2}\cdot K$ without frequency dependence. The figure of merits for the voltage responsivity and specific detectivity are $1.03{\times}10^{-11}C\cdot cm/J$ and $1.46\times 10^{-9}C\cdot cm/J$, respectively. The PLT(10) thin film has voltage responsivity (Rv) of 5.15 V/W at 8 Hz. Noise equivalent power (NEP) and specific detectivity (D*) of the PLT(10) thin film are$9.93{\times}10^{-8}W/Hz^{1/2}$ and $1.81\times 10^{6}cmHz^{1/2}/W$ at the same frequency of 100 Hz, respectively. The results means that PLT thin film having 10 mol % La content is suitable for the sensing materials of pyroelectric IR sensors.

• 폴리머
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• 제26권1호
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• pp.28-36
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• 2002

본 연구에서는 바이오칩 등에 응용 가능한 전도성 고분자 필름을 제조하기 위해 3-triophene acetic acid을 선택하여, 쉽게 전기적으로 산화되어 전기적 활성을 나타내는 고분자들을 형성하였다. 3-Thiophene acetic acid에 있는 카르복실기의 보호기들은 solid state에서 쉽게 제거되어질 수 있고, 그 결과 반응성 카르복실기가 전기적 활성을 나타내는 고분자 표면 위에 재생되어질 수 있었다. 즉, 카르복실기의 보호를 통한 전기중합과 뒤이은 보호기의 제거로 반응성인 카르복실기를 갖는 새로운 고분자 담체를 제조할 수 있었고, 기존의 방법으로 합성한 macromonomer를 필름 표면에 도입하여 전기적 활성을 나타내며 동시에 고분자 전해질이 도입된 전도성 고분자 필름을 얻었다. 합성한 전도성 단량체들과 macromonomer의 도입여부는 FT-IR과 $^1H-NMR$ 및 ESCA측정으로 확인하였고, 전극표면에 형성된 필름들의 형태는 SEM을 통해서 관찰하였다. 전기적 활성은 cyclic voltammogram(CV)을 통하여 확인하였으며, 얻어진 고분자 필름들은 0.7~0.9 V의 영역에서 전형적인 poly(3-alkylthiophene)의 전기 화학적 거동을 나타내었다.

• 폴리머
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• 제33권3호
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• pp.203-206
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• 2009

화학적 산화중합에 의한 Polyaniline Emeraldine salt(PANI-salt)는 도펀트로 존재하는 HCl과 같은 양성 자산으로 인한 금속성 사출금형 부식이 발생한다. 본 연구에서는 비극성 유기용매인 톨루엔, 포펀트와 계면활성제 역할을 하는 dodecylbenzenesulfonic acid(DBSA)를 사용하여 유화 중합법으로 PANI-salt를 합성한 후, 공용매 toluene에서 PANI-salt와 high impact polystyrene(HIPS)를 다양한 비율로 solution-cast 혼합하여 PANI-HIPS 블렌드를 얻었다. PT-IR과 UV-Vis.로 PANI-salt 구조를 확인하였고, PANI-HIPS 블렌드의 모폴로지, 열적 및 전기적 특성을 확인하였다. PANI(50 mL)와 HIPS(1 g)을 혼합하여 사출온도 $103^{\circ}C$, 사출압력 120 psi 하에서 사출한 PANI-HIPS 사출품에서 가장 높은 전기전도도($6.02{\times}10^{-5}\;S/cm$)가 나타났다.

• 대한화학회지
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• 제41권2호
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• pp.88-97
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• 1997

실릴트리플레이트$(Ph_{3-n}SiH(OTf)_n))$는 낮은 온도에서 트리펜일실란과 트리플산$(CF_3SO_3H)$의 반응에 의해 형성되며 이러한 화합물은 새로운 기능성 실란 유도체의 제조에 이용되고 있다. 실릴트리플레이트와 알캔일-, 알킨일마그네슘 브롬아이드 그리고 유기리티움 화합물과의 반응에 의해 새로운 실란 화합물 Ph_2SiHR(R=C{\equiv}(CPh,\;CH=CH_2,\;CH_2CH=CH_2,\;(CH_2)_2CH=CH_2,\;(CH_2)_3CH=CH_2)$을 높은 수율로 얻었다. 합성된 알켄일-, 알킨일실란은 백금촉매 하에서 카보실란 고분자$((Ph_2Si(CH_2)m)n;\;m=2∼4,\;n\le10)$5~6환고리 화합물을 형성하였다. 모든 생성물들은 NMR, UV, IR, 질량분석, 그리고 원소분석법에 의해 확인되었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 추계학술대회 논문집
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• pp.104-107
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• 2001

The fabricated La-modified lead titanate (PLT) thin flirt without poling treatment was investigated for modulation frequency dependence of pyroelectric properties by the dynamic method. $Pb_{1-x}La_{x}Ti_{1-x/4}O_3$PLT (x=0.1) thin film having 10 mol% La content was deposited on a Pt/$TiO_{x}$/$SiO_2$/Si substrate by sol-gel method. The PLT(10) thin film exhibits a relatively excellent dielectric property. The pyroelectric coefficient (p) of the PLT(10) thin film is 6.6 x $10^{-9}$C/$\textrm{cm}^2$.K without frequency dependence. The figure of merits for the voltage responsivity and specific detectivity are 1.03${\times}$$10^{-11}$/C.cm/J and 1.46 x $10^{-9}$C.cm/J, respectively. The PLT(10) thin film has voltage responsivity ($R_{V}$) of 5.15 V/W at 8 Hz. Noise equivalent power (NEP) and specific detectivity (D＊) of the PLT(10) thin film are 9.93 x $10^{-8}$W/Hz$^{1/2}$ and 1.81 x $10^{6}$ cmHz$^{1/2}$/W at the same frequency of 100 Hz, respectively. The results means that PLT thin film having 10 mol % La content is suitable for the sensing materials of pyroelectric IR sensors.