군용 환경에서 동적으로 변화하는 PT (Plain Text) 네트워크들이 Black (Blk) 네트워크를 통하여 서로 보안성있는 통신을 하기 위해서는 Blk 네트워크를 형성하는 완전 그물형 IPSec 터널이 필요하다. 이동성과 보안성이 요구되는 Blk 네트워크에서 IPSec 터널과 보안 방안, 즉 SPD (Security Policy Database)를 동적으로 재구성하는 것은 어려운 과제이다. 본 논문에서는 기존의 IPSec 터널 터널 모드 기술과 IPSec 비밀 키 관리 기술을 바탕으로 하여 군 네트워크에서 요구하는 이동성과 보안성 능력을 제공하기 위해서 구비해야 할 기술인 DMIDP(Dynamic Multicast-based IPSec Discovery Protocol) 기술과 관련된 핵심 기술을 체계적으로 제안한다. 또 제안된 DMIDP 기법에서 나타날 이동성 및 보안성과 관련된 성능에 영향을 미치는 주요 변수와 이들의 운영 방법을 도출하고 제안된 변수 상태에서의 DMIDP 운영 효율성을 분석한다.
본 논문은 AES 블록 암호에 OFB(Output Feedback) 모드를 적용한 ATM(Asynchronous Transfer Mode) 셀 보안에 관한 것이다. ATM 셀은 사용자 데이터 셀과 유지 보수 셀로 구분되며 각 셀의 크기는 53 옥텟이며 5 옥텟의 헤더와 48 옥텟의 페이로드로 구성되어 있다. ATM 셀의 암호화/복호화를 위해서는 셀의 경계를 감지해야 하는 데 이는 헤더 내의 HEC(Header Error Control)필드를 이용하여 가능하다. 셀의 경계를 감지한 후에는 사용자 셀만 암호화하기 위하여 PT(Payload Type)코드를 이용하여 페이로드의 종류를 감지한다. 본 논문에서는 ISO 9160의 요구사항을 만족하는 ATM 셀의 보안 방법을 제시하였다.
대부분의 LNT 촉매는 낮은 온도 영역에서의 NOx 산화를 위하여 Pt와 같은 귀금속류를 사용하는 것은 경제적인 부담을 가지고 있다. 따라서, 본 연구는 이러한 문제를 해결하기 위하여 시도되었다. 즉, Pt, Pd, Rh 등과 같은 귀금속류(platinum group metal, PGM)를 사용하지 않는 LNT (lean NOx trap)용 DeNOx 촉매를 개발하기 위해 시도하였다. 이를 위해서 예비실험을 통해 Pt등 귀금속류등의 PGM (platinum group metal)을 사용하지 않는 Al/Co/Ni 혼합 금속 산화물을 선정하였다. 궁극적으로는, 선정된 촉매의 소성온도에 따른 물리화학적 특성 변화가 NOx 전환율에 미치는 영향을 살펴보고자 하였다. 이들의 물리화학적인 성질을 평가하기 위해 XRD, EDS, SEM, BET 분석을 실시하였다. 이러한 평가를 실시한 결과, 모든 소성온도에서 혼합금속 산화물은 Co2AlO4 및 NiAl2O4의 스피넬 구조가 혼재되어 있는 것으로 나타났고, NOx 기체들의 산화-환원 반응이 이루어지기에는 충분한 기공부피와 기공크기를 갖고 있음을 알 수 있었다. 그러나 NH3-TPD 분석 결과에서는 소성온도가 700 ℃ 이하를 유지해야 하는 것으로 판단되었다. 더욱이 ramp test를 통해서는 NO 및 NOx 전환율을 동시에 만족할 수 있는 시료는 소성온도는 500 ℃에서 처리된 경우임을 알 수 있었다. 이러한 결과 등을 바탕으로, Al/Co/Ni=1.0/2.5/0.3 혼합 금속 산화물의 최적 소성온도는 500 ℃임을 알 수 있었다.
폐아스팔트를 적정 처리하여 KS F 2572 규격을 만족하는 아스팔트용 순환골재를 회수한 후 신골재와 결합재(수분+유화아스팔트+에멀젼계 재생첨가제)의 최적의 혼합비율을 설계하여 현장 시공규격에 맞는 재활용 상온아스콘 혼합물을 생산하고자 하였다. 결합재의 최적 혼합비율 결정을 위한 실험 결과 수분함량이 증가함에 따라 전단강도는 감소하였으며, 수분함량이 3.0 wt%일 때 마샬안정도가 최대값을 보였다. 두 결과를 토대로 최적 수분함량은 3.0 wt%로 설정하였다. 또한 유화아스팔트의 함량에 따른 마샬안정도와 흐름치는 첨가량 0.5~2.5 wt%의 범위에서 모두 기준에 만족하였고, 공극률은 0.7~2.5 wt%의 범위에서 만족하였으므로 최적 첨가량은 공통으로 만족된 범위인 0.7~2.5 wt%의 가운데 지점인 1.6 wt%로 설정하였다. 재활용 상온아스콘 혼합물용 결합재의 최적 에멀젼계 첨가제 함량은 재활용 상온아스콘 혼합물의 마샬안정도와 포화도를 고려하여 0.1 wt%로 설정하였다.
경북대학교 병원에서는 1988년 3월부터 1992년 10월까지 연속적인 166명의 환자(평균 나이 38세, 남녀 성비 66 대 100)에게 201개 (승모판 150개, 대동맥판 50개, 삼천판 1개)의 CarboMedics 인공 판막을 이식하였다. 전체 추적 기간은 6646환자-월(평균40개월)이었고, 추적율은 96%였다. 술전에 124명 이 뉴욕 심장병학회 기능 분류 )기와 4기에 속하였고, 술후에는 164명 (98.7 %)이 1기와 2기에 속하였다. 병원 사망은 4.2%였고, 만기 사망도 4.2%였다. 전체 집단에서 생존율의 중간값인 77개월까지의 생존율은 89.4 %였다. 판막 관련 사망, 인공 판막의 혈전, 항응고요법에 따른 출혈, 비구조적 기능 이상, 재수술등의 linearized incidence는 환자-연당 각각 0.72%, 0.18%, 0.18%, 0.18%, 0.36%였다. 77개월까지 판막 관련 사망이 없을 율은 94.9%, 인공 판막의 혈전이 없을 율은 99.4%, 항응고요법에 따른 출혈이 없을 율은 99.4%, 비구조적 기능 이상이 없을 율은 98.6%, 재수술이 필요하지 않을 율은 97.6%였다. 77개월까지 병원 사망을 포함한 모든 판막 관련 합병증과 사망이 없을 율은 90.9 %였다. 이상의 결과에서 CarboMedics 판막은 판막에 관련된 합병증이 적었고, 구조적 이상은 없어서 중단기 추적 조사 결과는 만족스러우며, 향후 장기 추적 검사를 요한다.
인삼(人蔘)사포닌중의 각(各) ginsenosides를 효과적(效果的)으로 분리(分離) 정량(定量)하기 위하여 carbohydrate analysis column을 사용(使用)한 HPLC로 전형적(典型的)인 용매(溶媒) system인 acetonitrile/water의 혼합비율(混合比率)을 80/20에서 94/6까지 조정(調整)하여 retention time과 분리능(分離能)과의 관계(關係)를 비교실험(比較試驗)하였고 또 n-butanol의 첨가효과(添加效果)도 조사(調査)하였다. 기본구조(基本構造)가 다른 diol saponin과 triol saponin을 같은 mobile phase로 만족하게 분리정량(分離定量)하기는 어렵다. 따라서 diol saponin은 acetonitrile/water system(80/20), trol saponin은 acetonitrile/water/n-butanol system(86/14/10)을 mobile phase로 하여 분석(分析)함이 효과적(效果的)이었다. 이 방법(方法)에 따라 백삼(白蔘)과 홍삼(紅蔘)을 정량(定量)한 결과(結果), diol saponin 함량(含量)은 큰 차이(差異)가 없으나 triol saponin 함량(含量)은 홍삼(紅蔘)이 백삼(白蔘)보다 증가(增加)하였다. 특(特)히 PT/PD ratin가 백삼(白蔘)은 0.401인데 비(比)해 홍삼(紅蔘)은 0.561로서 홍삼(紅蔘)이 백삼(白蔘)보다 약 1.4배(倍)나 높았다. 이것이 홍삼(紅蔘)의 생화학적약리효능(生化學的藥理效能)과 깊은 관계(關係)가 있다고 판단(判斷)되며 열처리(熱處理)에 의한 제조공정(製造工程)과 관계(關係)가 있다.
수소 발생 반응 촉매는 주로 백금(Pt)족 물질로 만들어져왔으나, 그 높은 가격과 희귀성으로 인해 이를 대체할 촉매의 개발이 요구되고 있다. 그중에서 주목받는 물질이 판상 $MoS_2$인데, 순물질로써의 $MoS_2$는 오직 모서리 부분만이 촉매로 기능하며 표면은 안정하여 촉매로써 기능을 하지 못한다는 한계가 있었다. 따라서 $MoS_2$의 표면도 촉매로 기능하여 보다 효율적인 촉매가 될 수 있도록, 자연계에 비교적 풍부한 원소들로 Mo원자를 치환해 보고 평면 스트레인을 줌으로써 표면이 촉매로 기능할 수 있는 조건을 밀도 범함수 이론에 근거해 계산해 보았다. 그 결과, Ge로 치환되고 -10% 스트레인이 걸린 $MoS_2$의 표면이 촉매로 기능할 수 있는 조건을 만족시켰다. 한편 Ge로 치환된 샘플에 수소를 흡착시켰을 때, 치환된 원자와 수소 원자가 반발력을 나타내는 듯한 현상이 관찰되었다.
정착구의 성능 평가를 위한 대부분의 기존연구와 성능실험들이 ETAG 013 규정에 따라 실험체를 제작하고 실험을 수행한 것으로 명시해오고 있다. 하지만 실험체에 사용된 파열력 보강 철근이나 보조보강철근이 ETAG 013에서 규정된 별도의 승인이 불필요한 최소 철근량을 초과 배치하여 실험이 수행되고 있다. 따라서, 본 논문에서는 ETAG 013 규정에 대한 올바른 이해와 실험을 위해 ETAG 013 규정에서 명시하는 하중전달실험 방법과 성능기준에 대해 고찰하고, 상용화된 PT정착구 시스템을 적용하여 고강도 콘크리트, 고장력 강연선을 변수로 한 실험체를 제작하고 하중전달실험을 수행하여 원형 정착구 시스템의 성능과 보조보강철근의 상관성을 평가하였다. 실험 결과, ETAG 013 규정이 적절한 크기 및 강도의 실험체와 파열력 보강철근을 사용하지 않으면 성능을 만족하지 않는 매우 엄격한 규정임이 확인되었으며, 보조보강철근의 양을 증가 시키는 것이 아니라 실험체의 크기를 최소치수로 한정짓지 않고 규정에 따라 15%크게 적용하는 방법으로 실험을 수행하는 것이 바람직한 것으로 평가되었다.
본 연구에서는 미국의학물리학회 TG-119 보고서를 통해 본 원에 도입된 다이나로그 파일을 이용한 정도관리 소프트웨어(MobiusFx, MFX)로 부피세기조절회전치료의 정도관리를 시행하였다. 본 원의 치료계획장치를 이용해서 각각의 치료계획을 수립하였고, 절대선량은 표적 및 위험장기에서 전리함을 이용해 측정하였으며, 상대선량분포는 반도체검출기배열($Delta^{4PT}$)과 정도관리 소프트웨어(MFX)를 사용하여 측정하였다. 절대선량 평가에서 점 선량을 측정하였다. 표적과 위험장기에서 평균 선량 오차율은 각각 $1.41{\pm}0.92%$, $0.89{\pm}0.86%$였다. 점 선량 평가의 신뢰도를 나타내는 95% 신뢰한계는 각각 표적에서 3.21(96.79%), 위험장기에서 2.58(97.42%)로, 보고서에서 제시한 허용기준인 표적에서 4.5(95.50%), 위험장기에서 4.7(95.30%) 이내에 모두 만족하였다. 상대선량 평가는 선량 분포를 이용하여 감마지표 분석법으로 분석하였다. 정도관리 소프트웨어와 반도체검출기 배열의 평균 감마지표 통과율은 3%/3 mm의 허용기준에서 $99.90{\pm}0.14%$, $99.78{\pm}0.20%$였고, 2%/2 mm의 허용기준에서는 $97.98{\pm}1.97%$, $96.86{\pm}1.76%$로 나타났다. 감마지표 통과율의 신뢰도를 나타내는 95% 신뢰한계는 허용기준 3%/3 mm에서 정도관리 소프트웨어와 반도체 검출기배열 각각 0.38(99.62%)과 0.62(99.38%)였고 2%/2 mm에서는 5.88(94.12%)과 6.60(93.40%)으로 보고서에서 제시한 허용기준인 표적과 위험장기에서 7.0(93.0%) 이내에 만족함을 확인하였다. 따라서 이번 연구를 통해 본 원의 정도관리 소프트웨어가 부피세기조절회전치료의 정도 관리 시스템으로서 간편하고 편리한 유용한 도구로 임상에 응용할 수 있을 것으로 사료된다.
직접천이형 wide band gap(3.4eV) 반도체중의 하나인 GaN를 청색 및 자외선 laser diode, 고출력 전자장비 등으로 응용하기 위해서는 낮은 접합저항을 갖는 Ohmic contact이 선행되어야 한다. 그러나 만족할만한 p-type GaN의 Ohmic contact은 아직 실현되고 있지 못하며, 이는 GaN와 접합 금속과의 구체적인 반응의 연구를 필요로 한다. 본 연구에서 앞서 Pt, Pt, Ni등의 late transition metal을 p-GaN에 접합시킨 결과 이들은 접합 당시 비교적 평탄하나 후열 처리과정에서 비교적 낮은 온도에서 기판과 열팽창계수의 차이로 인하여 평탄성을 잃어버리면서 barrier height가 증가한다는 사실을 확인하였다. 따라서 본 연구에서는 이러한 열적 불안정성을 극복하기 위하여 Ni과 Pd를 차례로 증착하고 가열하면서 interfacial reaction, film morphology, Fermi level의 움직임을 monchromatic XPS(x-ray photoelectron spectroscopy) 와 SAM(scanning Auger microscopy) 그리고 ex-situ AFM을 이용하여 밝히고자 하였다. 특히 후열처리에 의한 계면 반응에 수반되는 구성 금속원소 간의 합금현상과 금속 층의 평탄성이 밀접한 관계가 있다는 것을 확인하였다. 이러한 합금과정에서 나타나는 금속원소들의 중심 준위의 이동을 체계적으로 규명하기 위해서 Pd1-xNix와 Pd1-xGax 합금들의 표준시료를 arc melting method로 만들어 농도에 따른 금속원소들의 중심 준위의 이동을 측정하여, Pd/Ni/p-GaN 및 Ni/Pd/p-GaN 계에서 열처리 온도에 따른 interfacial reaction을 확인하였다. 그 결과 두 계가 상온에서 nitride 및 alloy를 형성하지 않고 고르게 증착되고, 열처리 온도를 40$0^{\circ}C$에서 $650^{\circ}C$까지 증가시킴에 따라 계면반응의 부산물인 metallic Ga은 증가하고 있으마 nitride는 여전히 형성되지 않는 것을 확인하였다. 증착당시 Ni이 계면에 있는 Pd/Ni/p-GaN의 경우에는 52$0^{\circ}C$까지의 열처리에 의하여 Ni과 Pd가 골고루 섞이고 그 평탄성도 유지되고 barier height의 변화도 없었다. 더 높은 $650^{\circ}C$ 가열에 의해서는 surface free energy가 작은 Ga의 활발한 편석 현상으로 인해 표면은 Ga이 풍부한 Pd-Ga의 합금층으로 덮이고, 동시에 작은 pinhole들이 발생하며 barrier height도 0.3eV 가량 증가하게 된다. 반면에 증착당시 Pd이 계면에 있는 Ni/Pd/p-GaN의 경우에는 40$0^{\circ}C$의 가열까지는 두 금속이 그들 계면에서부터 섞이나, 52$0^{\circ}C$의 가열에 의해 이미 barrier height가 0.2eV 가량 증가하기 시작하였다. 더 높은 $650^{\circ}C$가열에 의해서는 커다란 pinhole, 0.5eV 가량의 barrier height 증가, Pd clustering이 동시에 관찰되었다. 따라서 Ni과 Pd의 일함수는 물론 thermal expansion coefficient가 거의 같으며 surface free energy도 거의 일치한다는 점을 감안하면, 이렇게 뚜렷한 열적 안정성의 차이는 GaN와 contact metal과의 반응시작 온도(disruption onset temperature)의 차이에 기인함을 알 수 있었다. 즉 계면에서의 반응에 의해 편석되는 Ga에 의해 박막의 strain이 이완되면, pinhole 등의 박막결함이 줄어 들고, 이는 계면의 N의 out-diffusion을 방지하여 p-type GaN의 barrier height 증가를 막게 된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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