• 제목/요약/키워드: PIN DIODE

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모서리 접지면 슬롯과 PIN 다이오드를 이용한 편파 변환 마이크로스트립 안테나 (A Polarization-Switchable Microstrip Patch Antenna Using Corner Slots on Ground Plane and PIN Diodes)

  • 박철우;이태학;최준호;윤원상;표성민;김영식
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제21권7호
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    • pp.769-777
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    • 2010
  • 본 논문에서는 모서리 접지면 슬롯과 PIN 다이오드를 이용하여 2.4 GHz에서 활용 가능한 편파 변환 특성의 마이크로스트립 패치 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 정사각형 구조의 마이크로스트립 패치와 접지면에 위치한 두 쌍의 슬롯과 PIN 다이오드로 이루어져 있다. 제안된 안테나에서는 PIN 다이오드의 스위칭 특성을 이용하여 접지면 슬롯의 전기적 길이를 조정하였고, 이를 통해 선형 편파와 좌회전 편파, 우회전 편파 간의 변환 을 구현하였다. 또한 DC 바이어스 회로로 인한 접지면의 분리를 통해서 안테나는 크기 감소 효과를 얻었다. 안테나의 설계 주파수는 2.4 GHz이며, 선형 편파로 동작할 때에는 15 dB의 반사 손실과 59 MHz의 임피던스 대역폭을 가지고, 좌회전 원형 편파와 우회전 원형 편파시 각각 1.17 dB, 1.67 dB의 최소 축비 특성과 28 MHz, 32 MHz의 3-dB 축비 대역폭을 가진다.

SERIES-SHUNT 다이오드를 이용한 8㎓ SPST SWITCH (8㎓ SPST SWITCH USING SERIES-SHUNT DIODE)

  • 권우성;임준열;임정현;김범만
    • 한국전자파학회:학술대회논문집
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    • 한국전자파학회 2002년도 종합학술발표회 논문집 Vol.12 No.1
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    • pp.352-355
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    • 2002
  • 본 논문에서는 series-shunt type의 PIN diode를 사용하여 8 ㎓ (7.7㎓ - 8.3㎓) 에서 사용 가능한 switch를 설계 제작하였다 스위치의 중요한 사양인 격리도 (-50㏈ 미만) 삽입손실(-1.5㏈ 미만) 입력전력 허용치 (평균전력 0.5 watt 이상 ) 입출력 정재파비 (1.3:1) 등을 고려하여 설계하였으며, 제작은 인텍웨이브사의 알루미나 기판을 이용한 thin film 공정을 이용하였으며, 측정 또한 이 네 가지에 중점을 두었다. 격리도는 중심 주파수 근방에서 비교적 넓은 대역을 가지고 -50㏈ 미만이었으며, 삽입손실은 -1.3㏈-1.6㏈였다. 입출력 정재파비는 1 -1.4였다.

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공작기계 슬라이더 운동오차측정시스템 개발

  • 황상옥;정무영;박희재
    • 한국정밀공학회:학술대회논문집
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    • 한국정밀공학회 1992년도 추계학술대회 논문집
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    • pp.43-46
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    • 1992
  • Measurement of straightness errors (vertical, horizontal),and angular error (roll, pitch, yaw) have been classified as difficult tasks in the machine tool metrology field. In this paper, computer aided measurement techniques are proposed using quadrant type photo pin diode. In the developed system, three photo diodes are mounted on the positioning table to detect the five degrees of movement error simultaneously. Outputs from the photo diode are analyzed in the computer and are displayed graphically.

능동픽셀센서 구동회로의 SPICE 모사 분석 (Characterization of Active Pixel Switch Readout Circuit by SPICE Simulation)

  • 남형진
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제6권2호
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    • pp.49-52
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    • 2007
  • Characteristics of an active pixel switch readout circuit were studied by SPICE simulation. A simple readout circuit consists of an operation amplifier, a diode, and a down-counter was suggested, and its successful operation was verified by showing that the differences in the detected signal intensity are accordingly converted to modulation of the voltage pulses generated by the comparator. A scheme to use these pulses to generate the original image was also put forward.

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The Role of a Wiring Model in Switching Cell Transients: the PiN Diode Turn-off Case

  • Jedidi, Atef;Garrab, Hatem;Morel, Herve;Besbes, Kamel
    • Journal of Power Electronics
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    • 제17권2호
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    • pp.561-569
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    • 2017
  • Power converter design requires simulation accuracy. In addition to the requirement of accurate models of power semiconductor devices, this paper highlights the role of considering a very good description of the converter circuit layout for an accurate simulation of its electrical behavior. This paper considers a simple experimental circuit including one switching cell where a MOSFET transistor controls the diode under test. The turn-off transients of the diode are captured, over which the circuit wiring has a major influence. This paper investigates the necessity for accurate modeling of the experimental test circuit wiring and the MOSFET transistor. It shows that a simple wiring inductance as the circuit wiring representation is insufficient. An adequate model and identification of the model parameters are then discussed. Results are validated through experimental and simulation results.

광 다이오드를 가진 Microfluidic LOC 시스템 제작 (fabrication of the Microfluidic LOC System with Photodiode)

  • 김현기;신경식;김용국;이상렬;김태송;양은경;주병권
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제16권12호
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    • pp.1097-1102
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    • 2003
  • In this paper, we used only PR as etching mask, while it used usually Cr/AU as etching mask, and in order to fabricate a photosensor has the increased sensitivity, we investigated on the sensitivity of general type and p-i-n type diode. we designed microchannel size width max 10um, min 5um depth max 10um, reservoir size max 100um, min 2mm. Fabrication of microfluidic devices in glass substrate by glass wet etching methods and glass to glass fusion bonding. The p-i-n diode has higher sensitivity than photodiode, Considering these results, we fabricated p-i-n diodes on the high resistive(4㏀$.$cm) wafer into rectangle and finger pattern and compared internal resistance of each pattern. The internal resistance of pin diode can be decreased by the application of finger pattern has parallel resistance structure from 571Ω to 393Ω.

Practical SPICE Model for IGBT and PiN Diode Based on Finite Differential Method

  • Cao, Han;Ning, Puqi;Wen, Xuhui;Yuan, Tianshu
    • Journal of Power Electronics
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    • 제19권6호
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    • pp.1591-1600
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    • 2019
  • In this paper, a practical SPICE model for an IGBT and a PiN diode is proposed based on the Finite Differential Method (FDM). Other than the conventional Fourier model and the Hefner model, the excess carrier distribution can be accurately solved by a fast FDM in the SPICE simulation tool. In order to improve the accuracy of the SPICE model, the Taguchi method is adopted to calibrate the extracted parameters. This paper presents a numerical modelling approach of an IGBT and a PIN diode, which are also verified by SPICE simulations and experiments.

PIN 다이오드를 이용한 다중 편파 재구성 마이크로스트립 안테나 (A Multi-Polarization Reconfigurable Microstrip Antenna Using PIN Diodes)

  • 송태호;이영기;박대성;이석곤;김형주;최재훈
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제24권5호
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    • pp.492-501
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    • 2013
  • 본 논문에서는 S-밴드에서 하나의 급전 회로로 4개의 편파(수직 편파, 수평 편파, 좌선회 편파, 우선회 편파)를 선택적으로 사용할 수 있는 다중 편파 재구성 마이크로스트립 안테나를 제안하였다. 제안된 안테나는 십자 슬롯과 원형 슬롯을 포함하는 정사각형 형태의 마이크로스트립 패치와 4개의 PIN 다이오드로 구성되어 있으며, 커플링을 통한 급전 방식을 이용한다. 각각의 PIN 다이오드에는 직류 전압을 인가하기 위한 바이어스 단이 있으며, 직류 전압의 인가에 따른 다이오드 ON / OFF 동작으로 편파를 재구성할 수 있다. 제작된 안테나는 수직 편파(3.17~3.21 GHz), 수평 편파(3.16~3.20 GHz), 좌선회 편파(3.08~3.19 GHz), 우선회 편파(3.10~3.20 GHz)에서 VSWR 2:1을 만족하며, 선형 편파에서는 20 dB 이상의 교차 편파 및 5 dBi 이상의 이득 특성을 갖고, 원형편파에서는 50 MHz 이상의 3 dB 축비 특성을 나타낸다.

V/UHF대역 소형다이폴 원형배열 능동안테나 설계 (Design of V/UHF band Small Dipole Circular Array Active Antenna)

  • 고지환;이철수;김강욱;조영기
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제13권1호
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    • pp.6-16
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    • 2009
  • V/UHF대 방향 탐지(DF)용에 적용하기 위하여 9개의 다이폴 소자로 구성된 원형배열 안테나를 연구하였다. 배열 안테나의 전체 크기를 줄이기 위하여 소자는 top-hat 다이폴 형태를 이용하였다. 20-1,300Mhz인 매우 넓은 주파수 범위에서 동작하기 위하여 각 다이폴 소자의 팔(arm)의 중간에 pin diode를 삽입하였다. 이런 형태의 다이폴을 이용하므로 pin diode의 on/off에 따라 다이폴의 실효 길이를 증감할 수 있다. 능동 배열 안테나는 평형 푸시풀 증폭기와 직접 연결되게 설계하므로 수신 감도를 개선할 뿐만 아니라 발룬 역할을 하였다. 그리고 능동 배열 안테나를 설계 및 제작하였고, 측정 결과를 계산 결과와 비교하여 제시하였다.

광 패킷 어드레스 처리기에 EDFA 전치 증폭기를 사용한 광 패킷 교환 노드의 패킷 오율 특성 (Packet Error Rate Characteristics of an Optical Packet Switching Node with an Optical Packet Address Processor Using an EDFA Preamplifier)

  • 윤찬호;백승환;신종덕
    • 한국통신학회논문지
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    • 제23권7호
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    • pp.1777-1784
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    • 1998
  • 광 패킷 어드레스 처리기의 광섬유 지연선로 정합여파기 출력으로 나타나는 M-ary 상관 펄스를 검출하기 위해 EDFA 전치증폭기를 사용한 광 패킷 교환노드의 패킷 오율을 측정하였다. 어드레스 처리기에 사용된 PIN 다이오드의 잡음 등가전력, EDFA의 잡음지수와 이득, 그리고 광여파기의 대역폭이 노드의 패킷 오율에 미치는 영향을 비교 평가하였다. PIN 다이오드의 잡음 등가 전력과 EDFA의 이득은 패킷 오율 변화에 영향을 거의 미치지 않았으며, 통과 대역폭이 패킷 전송 속도의 약 10배 보다 적은 광 여파기를 사용한 경우에도 패킷 오율의 변화를 무시할 수 있었다. 그러나 EDFA의 잡음 지수가 증가하면, 본 논문에서 고려된 모든 전송속도와 어드레스 코드셋에서 잡음지수 증가량만큼 파워 페널티가 발생하였다.

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