• 한국인터넷방송통신학회논문지
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• 제14권3호
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• pp.171-176
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• 2014

종방향 모드 전송선로 이론을 이용하여 이중 샌드위치 Rib-형 도파로에 기초한 초소형 편광 무의존성 방향성 결합기 (PIDC)의 편광특성을 자세하게 탐구하였다. 제안한 초소형 방향성 결합기의 편광 무의존성 조건을 얻기 위하여 샌드위치 rib형 도파로의 굴절률과 두께에 때라 변하는 quasi-TE 모드와 quasi-TM 모드의 결합길이와 결합효율을 분석하였다. 수치해석 결과, 수백 마이크로미터 크기의 초소형 편광 무의존성 방향성 결합기는 이중 샌드위치 층의 구조적, 물질적 변수들을 잘 선택함으로써 구현할 수 있음을 보였다. 또한, 이중 샌드위치 rib형 도파로에 분포하는 기본 모드의 프로필이 방향성 결합기의 성능에 어떤 영향을 미치는지에 대하여 조사하였다.

• 한국인쇄학회지
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• 제12권1호
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• pp.1.1-11
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• 1994

The photosensitive properties and carrier transport in the organic photoconductor with the carrier transport layers(CTL) of polymer matrix doped with two carrier transport materials above carrier generation layer(CGL) containing oxotitanium phthalocyanine (TiOPc) were investigated. The CGL of TiOPc dispersed in poly(vinylbutyral) was formed as thickness of 0.1${\mu}{\textrm}{m}$and the carrier transport layer was prepared by coating polycarbonate and polyester doped with oxadiazoly(OXD), polyvinylcarbazole (PVK), trinitro fluorenone(TNF) as thickness of 10~15${\mu}{\textrm}{m}$, respectively. We have measured half decay exposure,sensitivity and xerographic gain from the photo-induced discharge curve(PIDC). In this work, it was found that the characteristics of carrier transport were mainly caused by the ionization potential difference of constitutive materials in molecularly doped polymer.

• 한국인쇄학회지
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• 제11권1호
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• pp.103-122
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• 1993

A cause and counterplan of the increase in dark decay rate of$\varepsilon$-CuPc/PVCz photoreceptor which is consist of the carrier generation layer (CGL) of$\varepsilon$type copper phthalocyanine ($\varepsilon$-CuPc) thin film by an aqueous coating method and the carrier transport layer (CTL) of polyvinylcarbazol (PVCz) by spin coating, are studied in this paper. Electrochemical deposition of CGL was accompanied by an increase in work function of the aluminium substrate during the processes and the enhanced work function 5.3 eV rose above the ionization potential 5.16 eV of $\varepsilon$-CuPc. This resulted in the increased injection of holes from substrate into CGL and a fast dark decay rate. Improved photoreceptor, an electron-transport $\varepsilon$-CuPc/TNF photoreceptor, led to lowing of dark decay rate and increasing of photosensitivity. The carrier generation efficiency (ηg), carrier injection efficiency (ηi) and xerographic gain (G) of the $\varepsilon$-CuPc/TNF photoreceptor were obtained by XTOF method and PIDC.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제41회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.276-276
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• 2011

진공증착법으로 ITO (indium-tin-oxide) 기판 위에 $AgGaSe_2$ 박막을 성장시켜 그 구조와 광학적 특성을 조사하였다. X-선 회절 분석에 의하여 살창상수는 a=5.97 ${\AA}$와 c=10.88 ${\AA}$이고, 황동광(chalcopyrite) 구조를 하고 있었으며, 그 성장 방향은 (112)방향으로 선택 성장됨을 알 수 있었다. 증착된 박막과 200~400$^{\circ}C$로 열처리한 박막의 실온에서 측정한 광학적인 에너지 띠 간격은 2.02 eV에서 2.28 eV까지 변하였다. 또한 열린회로로 구성되어 있는 시료의 표면에 광 펄스를 주입하여 표면에서 형성된 전하들의 거동을 광유기 방전 특성(PIDC) 방법을 이용하여 조사하였다. 초기전위 V0로 형성된 시료의 양단을 주행하는 운반자 농도, 전류밀도 및 전기장 효과를 관찰하여 운반자의 주행시간, 이동도 그리고 전하운반자 농도를 계산한 결과는 각각 42 ${\mu}s$~81 ${\mu}s$, $1.9{\times}10^{-1}\;cm^2/Vs$~$5.7{\times}10^{-2}\;cm^2/Vs$ 그리고 약 $6.0{\times}10^{17}/cm^3$~$2.0{\times}10^{18}/cm^3$이었으며, p-형 전도를 나타내었다. 원자 힘 현미경 실험으로 제곱평균제곱근 거칠기와 입계크기를 조사하였으며, X-선 광전자 분광실험으로 원소들의 결합상태를 관찰하였다.

• 한국진공학회지
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• 제18권6호
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• pp.459-467
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• 2009

진공증착법으로 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막을 ITO(indium tin oxide) 유리 기판 위에 제작하였다. 결정화는 증착된 박막들을 질소분위기의 전기로에서 열처리함으로서 이룰 수 있었다. X-선 회절 분석에 의하여 증착된 $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막의 격자상수는 $a\;=\;7.405\;{\AA}$, $c\;=\;36.240\;{\AA}$와 $a\;=\;7.43\;{\AA}$, $c\;=\;36.81\;{\AA}$로서 능면체(rhombohedral) 구조이었고, 열처리 온도를 증가함에 따라 (113)방향으로 선택적으로 성장됨을 알 수 있었다. 열처리 온도를 증가시킴에 따라 입계 크기가 점차 커지고 판상구조로 결정화 되었다. 실온에서 측정한 광학적인 에너지 띠 간격은 열처리 온도의 증가에 따라 $Cd_2GeSe_4$ 박막의 경우 1.70 eV ~ 1.74 eV로 증가하였고, $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막의 경우 1.79 eV ~ 1.74 eV로 감소하였다. $Cd_2GeSe_4$와 $Cd_2GeSe_4:Co^{2+}$ 박막 내의 전하운반자들의 동역학적 거동을 광유기 방전 특성(PIDC : photoinduced discharge characteristics) 방법으로 조사하였다.