• Clean Technology
• /
• v.23 no.3
• /
• pp.248-255
• /
• 2017

In dismantling factories for recycling, it is important to input actual working data to a personal computer (PC) in order to monitor the work results and related recycling rate of the inputs. This should be performed with a keyboard, a mouse, or other devices. But when a worker is working in the factory, it could be bothersome or time consuming to go to the PC. Especially, workers who works at dismantling factories have a generally low education level are scared to use a PC, which could be used as a pretext for not using the PC. In some cases, data input is performed by a worker after the day's job. In this case, it could take additional time, the worker can make more mistakes, and the data could be unreliable. In this study, we developed a man-machine interface (MMI) device using a safety helmet. A joystick-like device, pushbuttons, and a radio frequency (RF) device for wireless communication is equipped in a safety helmet. This MMI device has functions similar to a PC mouse, and it has a long communication distance. RF is used because it consumes less battery power than Bluetooth. With this MMI device, workers need not go to a PC to input data or to control the PC, and they can control the PC from a long distance. The efficiency of PCs in a factory could be increased by using the developed MMI system, and workers at the dismantling factories could have less reluctance in using the PC.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2003.05a
• /
• pp.406-409
• /
• 2003

In this paper, a 4-wavelength optical transceiver system is designed and implemented by using TFF (thin film filter) type OADMs (optical add-drop multiplexers). In this new system, the wavelengths of 1510 nm and 1530 nm are used for uploa and download signals, respectively, as well as the wavelengths of 1550 nm and 1310 nm which have been utilized in a 2-wavelength optical transceiver systems. The 4-wavelength optical module show pass characteristics of -1.6 dBm, -1.7 dBm, -5.6 dBm, -5.8dBm for 1510nm, 1530 nm, 1550 nm, 1570 nm, respectively, with 1.2 dBm of input laser power. The isolation for characteristics of the optical module for all the wavelengths are less than -40dB, which is very acceptable for filed requirements.

• Journal of Internet Computing and Services
• /
• v.1 no.1
• /
• pp.35-46
• /
• 2000

One of the main chalenges in personal communication services (PCS) is to locate many mobile terminals that may move frequently from place to place. Such a system operation is called location management. Many network signaling traffic, and database queries are required to achieve such a task. Several strategies have been proposed to improve the efficiency of location management. These strategies use location register databases to store the current location on mobile terminals, and are vulnerable to failure of the location registers. In this paper, we propose a fault-tolerant pointer forwarding with distributed home location register (FT-RFDHLR) to tolerate the failure of location registers. The performance of the proposed method is evaluated by an analytical model, and is compared with thew pointer forwarding with the single home location register (PFSHLR), the pointer forwarding with distributed home location register (PFDHLR), Biaz's bypass forwarding strategy (BFS) and two-path forwarding strategy (TPFS).

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 1999.07a
• /
• pp.162-162
• /
• 1999

초고주파 집적회로의 핵심소자로 각광을 받고 있는 GaAs MESFET(MEtal-emiconductor)은 게이트 형성 공정이 가장 중요하며, WNx 내화금속을 이용한 planar 게이트 구조의 경우 임계전압(Vth:threshold voltage)의 균일도가 우수할 뿐만 아니라 특히 Side-wall을 이용한 self-align 게이트는 소오스 저항을 줄일 수 있어 고성능의 소자 제작을 가능하게 한다.(1) 본 연구의 핵심이 되는 Side-wall을 형성하기 위하여 PECVD법에 의한 SiOx 박막을 증착하고, 건식식각법을 이용하여 SiOx side-wall을 형성하였다. 이 공정을 이용하여 소오스 저항이 낮고 임계전압의 균일도가 우수한 고성능의 self-aligned gate MESFET을 제작하였다. 3inch GaAs 기판상에 이온주입법에 의한 채널 형성, d.c. 스퍼터링법에 의한 WNx 증착, PECVD법에 의한 SiOx 증착, MERIE(Magnetic Enhanced Reactive Ion Etcing)에 의한 Side-wall 형성, LDD(Lightly Doped Drain)와 N+ 이온주입, 그리고 RTA(Rapid Thermal Annealing)를 사용하여 활성화 공정을 수행하였다. 채널은 40keV, 4312/cm2로, LDD는 50keV, 8e12/cm2로 이온주입하였고, 4000A의 SiOx를 증착한 후 2500A의 Side-wall을 형성하였다. 옴익 접촉은 AuGe/Ni/Au 합금을 이용하였고, 소자의 최종 Passivation은 SiNx 박막을 이용하였다. 제작된 소자의 전기적 특성은 hp4145B parameter analyzer를 이용한 전압-전류 측정을 통하여 평가하였다. Side-wall 형성은 0.3$\mu\textrm{m}$ 이상의 패턴크기에서 수직으로 잘 형성되었고, 본 연궁에서는 게이트 길이가 0.5$\mu\textrm{m}$인 MESFET을 제작하였다. d.c. 특성 측정 결과 Vds=2.0V에서 임계전압은 -0.78V, 트랜스컨덕턴스는 354mS/mm, 그리고 포화전류는 171mA/mm로 평가되었다. 특히 본 연구에서 개발된 트랜지스터의 게이트 전압 변화에 따른 균일한 트랜스 컨덕턴스의 특성은 RF 소자로 사용할 때 마이크로 웨이브의 왜곡특성을 없애주기 때문에 균일한 신호의 전달을 가능하게 한다. 0.5$\mu\textrm{m}$$\times$100$\mu\textrm{m}$ 게이트 MESFET을 이용한 S-parameter 측정과 Curve fitting 으로부터 차단주파수 fT는 40GHz 이상으로 평가되었고, 특히 균일한 트랜스컨덕턴스의 경향과 함께 차단주파수 역시 게이트 바이어스, 즉 소오스-드레스인 전류의 변화에 따라 균일한 값을 보였다. 본 연구에서 개발된 Side-wall 공정은 게이트 길이가 0.3$\mu\textrm{m}$까지 작은 경우에도 사용가능하며, WNx self-align gate MEESFET은 낮은 소오스저항, 균일한 임계전압 특성, 그리고 높고 균일한 트랜스 컨덕턴스 특성으로 HHP(Hend-Held Phone) 및 PCS(Personal communication System)와 같은 이동 통신용 단말기의 MMICs(Monolithic Microwave Integrates Circuits)의 제작에 활용될 것으로 기대된다.