• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2003년도 하계학술대회 논문집 Vol.4 No.1
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• pp.181-184
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• 2003

In this paper, we investigated the position-dependent stress distribution of indium-tin-oxide (ITO) film on Polycarbonate (PC) substrate by external bending force. It was found that there are the maximum crack density at the center position and decreasing crack density as goes to the edge. In accordance with crack distribution, it was observed that the change of electrical resistivity of ITO islands is maximum at the center and decrease as goes to the edge. From the result that crack density is increasing at same island position as face-plate distance (L) decreases, it is evident that the more stress is imposed on same island position as L decreases.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.214-215
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• 2008

Zinc-oxide(ZnO) films were deposited on PC(polycarboanate) and PES(polyethersulphone) substrates by using RF(radio-frequency)sputter with various rf sputtering Power at a room temperature. The effects of rf sputtering Power on the structural and optical properties of ZnO films were investigated by using atomic force microscopy, X-ray diffraction, and UV spectrophotometer. The most excellent structural and properties of a ZnO film are obtained in the condition of an rf-power of 150 W. This film shows larger Grain size and lower surface roughness and a higher optical transmittance of over 80 % in the visible range than other films deposited in the different conditions of rf- power. Regardless of substrate types, The presence of a strong diffraction peak indicates that films have a (0 0 2) preferred orientation associated with the hexagonal phase.

• 대한약리학회지
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• 제30권3호
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• pp.321-330
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• 1994

허혈전처치(ischemic preconditioning)의 재관류심근손상 보호작용과 그 기전을 규명하기 위한 연구의 일환으로 허혈전처치가 심근세포의 산소라디칼 생성능력에 미치는 영향을 검토하였다. 흰쥐 적출심장의 Langendorff 관류표본에서 실험적인 허혈(30분)-재관류(20분)손상을 유도하였고, 허혈전처치는 재관류손상 유도전에 5분 허혈-5분 재관류를 3회 반복하여 시행하였다. 허혈심근 재관류손상의 지표로 심수축기능, 세포질효소 유출, 칼슘 유입 및 미세형태학적 변화를, 그리고 심근세포의 산소라디칼 생성기전으로 xanthine oxidase system의 변동을 허혈전처치와 비전처치 재관류 심장들에서 비교검토하였다. 연구 성적은 다음과 같다. 1. 허혈전처치는 허혈-재관류 심장의 관상혈류량, 심박수, 좌심실압 등 심기능의 저하를 현저히 회복시켰다(회복률; 91%) 2. 허혈-재관류 심장에서 lactate dehydrogenase 유출증가는 허혈전처치에 의해 현저히 저하되었다. 3. 허혈-재관류 심근세포의 전자현미경상 미세구조는 허혈전처치시 비교적 잘 보존되었으며, 특히 myofibril 구조의 보존이 매우 뚜렷하였다. 4. 허혈-재관류시 산화성 조직손상 척도의 하나인 malondialdehyde 생성이 허혈전처치에 의하여 현저히 감소되었다. 5. 허혈전처치 심장에서 xanthine oxidase(D,O 및 D/O형)활성은 변화되지 않았으나 그 기질인 hypoxanthine의 조직함량은 현저히 감소되었다. 이상의 결과들로 부터 허혈전처치는 세포수준에서 허혈심근의 재관류손상을 방지하며, 허혈전처치에 따른 산소라디칼 생성 감소가 재관류손상 방지에 일부 기여할 수 있으리라 사료된다.an을 2주간 처치한 경우에도 영향을 받지 않았다. 이상의 결과로 미루어 아마도 losartan의 내피세포에 대한 작용은 constitutive NO 생성을 증가시키나 inducible NO 생성에는 영향을 미치지 않을 것으로 여겨진다.cium ion이 상당히 중요한 역할을 하는데, 특히 소뇌에서의 NO생성의 감소는 이들 약물들의 치명적 부작용인 tardive dyskinesia와 매우 깊은 관련을 추측할 수 있다. 그러나, 더 많은 약물들의 검색으로 일관적인 기본 결과가 필요 되고 또 각개 약물의 특정적 기전이 연구되기 위하여 현재 실험중이다.(신칭(新稱), Cystostereum subabruptum), 털융단버섯(신칭(新稱), Tomentella pilosa), 노란소나무무늬버섯(신칭(新稱), Asterostroma laxum), 붉은소나무비늘버섯(신칭(新稱), Hymenochaete cruenta), 가루소나무비늘버섯(신칭(新稱), Hymenochaete fuliginosa), 소나무비늘버섯(신칭(新稱), Hymenochaete tabacina), 갈색시루삔버섯(신칭(新稱), Inonotus radiatus), 벚나무진흙버섯(신칭(新稱), Phellinus pomaceus), 회주름구멍버섯(신칭(新稱), Antrodia crassa), 층주름구멍버섯(신칭(新稱), Antrodia serialis), 흰그물구멍버섯(신칭(新稱), Ceriporia reticulata), 겹친손등버섯(신칭(新稱), Oligoporus balsameus), 점박이손등버섯(신칭(新稱), Oligoporus guttulatus), 무른흰살버섯(신칭(新稱), Oxyporus cuneatus), 각목버섯(신칭(新稱),

• 폴리머
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• 제30권2호
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• pp.140-145
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• 2006

디스플레이용 기판으로 사용하고 있는 유리기판은 무겁고 깨지기 쉬우므로 이를 폴리설폰, 폴리에테르설폰, 폴리카보네이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트 환상형 올레핀 고분자 등의 플라스틱으로 대체하는 연구가 많이 이루어지고 있다. 플라스틱 기판은 가볍고, 내충격성이 뛰어나며, 유연하고 연속가공이 가능한 장점을 가지고 있다. 그러나 여러 유기용매에 녹는 특성을 가지고 있다. 디스플레이 제조 공정에서는 여러 유기용매에 노출되므로 이에 대한 내화학성이 필요하다. 그러므로 본 연구에서는 폴리설폰에 곁가지로 이미드 가교기를 도입하여 내화학성을 향상시키는 연구를 하였다. 곁사슬기에 의해 가교된 폴리설폰 필름은 용해도 조사 결과 내화학성이 향상되었음을 확인할 수 있었다. 내화학성 측정 결과 MeOH, THF, DMSO, NMP 등의 유기용매에 불용성을 보였다. 또한 15% 이상 낮은 열팽창계수를 보여 열에 대한 치수안정성이 개선되었으며 유리 전이 온도도 이미드기의 도입에 따라 $180^{\circ}C$ 에서 $252^{\circ}C$ 로 증가하였다. 이와 같이 제조한 이미드 곁가지로 가교된 폴리설폰은 광학적 특성이 우수하면서도 내화학성이 뛰어나 유연성 플라스틱 기판으로 사용이 가능하다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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• pp.1443-1444
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• 2011

플렉시블 OLED 소자에서 주요한 역할을 하는 기판은 디스플레이의 성능, 신뢰성과 가격을 결정한다. 플렉시블 OLED소자의 기판으로는 PET, PC, PES, PEN과 같은 고분자 계열의 기판이 많이 사용되고 있지만 거칠기 등의 문제가 있는 것으로 알려져 있다. 본 논문에서는 셀룰로오스 종이를 사용하는 투명 플렉시블 OLED 소자를 개발하였다. 본 논문에서는 개발한 셀룰로오스 종이의 표면 거칠기는 $3.1{\AA}$이었으며, 투과도는 97.6%로서 PET기판 보다 우수한 특성을 보여주었다. 셀룰로오스 종이를 기판위에 양극으로 Ni을 이용하는 녹색 발광 플렉시블 OLED소자를 구현하였다.

• 한국산학기술학회:학술대회논문집
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• 한국산학기술학회 2002년도 추계학술발표논문집
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• pp.181-184
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• 2002

본 연구에서는 ITO (indium tin oxide) /glass 투명기판 위에 다층구조의 OELD 소자를 진공 열증착법으로 제작하였다. 상부 전극과 하부 전극의 종류에 따른 전류밀도-전압 특성을 측정하였으며, 열적 안정성이 다른 정공 수송충을 사용하여 소자를 제작하고 전기ㆍ광학적 특성을 측정하였다. 사용된 저분자 유기화합물은 발광층으로 녹색의 발광을 가지는 Alq₃(tris-(8-hydroxyquinoline)aluminum)를 사용하였고 정공수송 및 주입층으로는 TPD(triphenyl diamine), α-NPD 그리고 CuPc (Copper phthalocyanine)를 각각 증착하였다. 하부 전극으로 사용된 ITO 투명전극은 면저항이 적을수록 전류밀도가 증가하는 것을 볼 수 있고, 상부 전극의 종류에 따른 전류밀도-전압 특성을 분석한 결과 일함수가 낮은 전극일수륵 전류밀도가 높아지는 것으로 나타났다. 유리전이온도(Tg)가 상대적으로 높은 재료인 α-NPD를 정공수송충으로 사용한 경우 더 양호한 특성을 나타내었다.

• 한국반도체및디스플레이장비학회:학술대회논문집
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• 한국반도체및디스플레이장비학회 2006년도 추계학술대회 발표 논문집
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• pp.56-59
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• 2006

The ITO thin films were prepared by FTS (Facing Targets Sputtering) system on polycarbonate (PC) substrate. The ITO thin films were deposited with a film thickness of 100nm at room temperature. As a function of sputtering conditions, electrical and optical properties of prepared ITO thin films were measured. The electrical and optical characteristics of the ITO thin films were evaluated by Hall Effect Measurement (EGK) and UV-VIS spectrometer (HP), respectively. From the results, the ITO thin film was deposited with a resistivity $8{\times}10^{-4}[{\Omega}-cm]$ and transmittance over 80%.

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2001년도 International Meeting on Information Display
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• pp.9-12
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• 2001

With the explosive growth of Note-PC and Desktop monitor market, TFT LCD market confronted a entire supply shortage during 1999. Forecasting a more booming stage for the next several years, many TFT-LCD panel manufacturers continue to expand the capacity of their existing plants and also make an additional investment in building new plants. The new investment is concentrated on the $4^{th}$ generation TFT LCD line in order to improve investment efficiency. The set up of the Samsung's Gen 3.5 line progressed with satisfactorily performance using $600{\times}720mm$ glass size. We have continuously reviewed several issues regarding the glass size for our next Gen. 4 line, which leads to adopt $730{\times}920mm$. Due to the continuous enlargement of a substrate size and following difficulty in transferring cassettes, the next line is expected to be the last line that employs "cassette transfer". The layout of the next line will shift from conventional "concentration-type" to "separation-type" configuration for the purpose of reducing transfer distance as well as transfer time. The details will be discussed in this paper.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제17권8호
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• pp.846-851
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• 2004

Transparent conducting indium tin oxide (TC-ITO) thin films on polymeric substrates have been deposited by a dc reactive magnetron sputtering without heat treatments. The polymeric substrates are acryl (AC), poly carbornate (PC), and polyethlene terephthalate (PET) as well as soda lime glass is also used to compare with the polymeric substrates. Sputtering parameters are an important factor for high quality of TC-ITO thin films prepared on polymeric substrates. Furthermore, the material, electrical and optical properties of as-deposited ITO films are dominated by the ratio of oxygen partial pressure. As the experimental results, the surface roughness of ITO films becomes rough as the oxygen partial pressure increases. The electrical resistivity of as-deposited ITO films decreases initially, and then increases with the increase of oxygen partial pressure. The optical transmittance at visible wavelength for all polymeric substrates is above 82 %.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2010년도 하계학술대회 논문집
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• pp.380-380
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• 2010

The chalcopyrite $ZnIn_2S_4$ epilayers were grown on the GaAs substrate by using a hot-wall epitaxy (HWE) method. The crystal field and the spin-orbit splitting energies for the valence band of the $ZnIn_2S_4$ have been estimated to be 0.1541 eV and 0.0129 eV, respectively, by means of the photocurrent spectra and the Hopfield quasicubic model. These results indicate that the splitting of the ${\Delta}so$ definitely exists in the $\Gamma_5$ states of the valence band of the $ZnIn_2S_4$/GaAs epilayer. The three photocurrent peaks observed at 10 K are ascribed to the $A_{1^-}$, $B_{1^-}$, and $C_1$-exciton peaks for n = 1. Also, we obtained the $A_{\infty^-}$ and B-exciton peaks from the PC spectrum at 293 K.