Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers
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v.17
no.2
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pp.475-483
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1993
A computer simulation model of a hermetic reciprocating type of refrigeration compressor has been developed. The compressor simulation model constitutes 6 control volumes, to each of which conservation laws of mass and energy are applied to yield full description of the refrigerant state along its passage. Instead of ideal gas assumption. real gas equation is employed. Some of valve-related input data required for the simulation are acquired from test bench experiments. The refrigerant states such as pressure and temperature, etc., mass flow rates, and valve motions can be predicted by the simulation. The calculated P-V diagram shows a good agreement with experimental result.
Poly[3-octylthiophene-co-3-(4-fluorophenyl)thiophene]s were synthesized in 2:1, 1:1, and 1:2 mole ratios, and organic electroluminescent devices were fabricated using the copolymers. The opto-electrical properties of the copolymers were studied by PL, EL spectra, I-V, and V-L curves of the organic electroluminescent devices in conjunction with the energy band diagrams which were obtained from the cyclic voltammogram and the electronic absorption spectra. The LUMO energy level of P(OT/FPT)(1:1) is the lowest as -3.35 eV. In the copolymers P(OT/FPT)(2:1) and P(OT/FPT)(1:1) the ${\lambada}_{max}$ in the PL and EL spectra red-shifted as the mole ratio of fluorophenyl group increased while in P(OT/FPT)(1:2) it showed a blue-shift. This indicates that the backbone chain is twisted due to the steric hinderance of the fluorophenyl group leading to shorter ${\pi}$-conjugation length. P(OT/FPT)(1:1) showed the highest EL intensity and the highest power efficiency among the three copolymers. In P(OT/FPT)(1:2) the roughness of the film surface causes unusually high local leakage current leading to the low efficiency of electroluminescence.
This study is to diagnose the drought tolerance of twenty broad-leaved tree species by the pressure-volume(P-V) curves. As for the diagnosis of drought tolerance, the valuable water relations parameters obtained from P-V curves are the osmotic potential at full turgor, ${\Psi}_0{^{sat}}$, osmotic potential at incipient plasmolysis, ${\Psi}_0{^{tlp}}$, maximum bulk modulus of elasticity, $E_{max}$, and relative water content at incipient plasmolysis, $RWC^{tlp}$. Also, the figures related to the diagnosis of drought tolerance are the free water content (FWC) versus leaf water potential(${\Psi}_L$), volume-averaged turgor pressure ($P_{vat}$) versus leaf water potential (${\Psi}_L$), and H$\ddot{o}$fler diagram. In this study, the relatively high drought tolerant species are Fraxinus rhynchophylla, Quercus acutissima, Quercus serrata, Quercus aliena, and Populus alba${\times}$glandulosa ; the relatively low drought tolerant species are Fraxinus mandshurica, Betula platyphylla var. japonica, Populus euramericana, Kalopanax pictum, Carpinus loxiflora, Carpinus cordata, Prunus sargentii, Prunus leveilleana, and Cornus controversa ; medium species are Quercus mongolica, Acer mono, Acer triflorum, Acer pseudo-sieboldianum, Ulmus davidiana, and Zelkova serrata.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2012.08a
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pp.284-284
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2012
본 연구에서는 다이오드 소자의 온도 증가에 따른 C-V 특성을 분석하였다. 180 kHz 주파수 조건에서 온도는 300 K에서 450 K까지 50 K 간격으로 가변하였다. 측정 결과 reverse bias 영역에서는 커패시턴스의 온도 의존성이 없었으나, forward bias 영역에서는 온도가 증가함에 따라 동일 전압에서의 커패시턴스가 증가하였다. 이로부터 온도가 증가 할수록 소자가 반전(inversion) 상태에서 축적(accumulation) 상태로 빨리 전환함을 확인하였으며, 1/C2-V 그래프로부터 온도 증가에 따른 전위장벽(Built-in potential, Vbi) 감소를 확인하였다. 전위장벽은 0.63 V에서 0.31 V로 온도 상승에 따라 약 0.1 V씩 감소하였다. 이는 energy band diagram에서 p-type 영역과 n-type 영역의 energy band 차가 감소해 공핍층 영역의 폭이 좁아짐을 의미한다. 공핍층의 두께 감소로 다이오드 전류의 급격한 증가뿐 아니라 위에서 언급한 바와 같은 C-V 특성을 보였다. 이번 연구에서는 기존의 보편화 된 I-V 측정을 통한 다이오드 소자 분석과는 달리 온도 변화에 따른 C-V 분석을 통해 소자 내부의 전위 장벽 및 공핍층 폭 감소에 따른 소자 특성 변화를 분석하였다.
YANG Han-Soeb;MOON Chang-Ho;OH Seok-Jin;LEE Haeng-Pil
Korean Journal of Fisheries and Aquatic Sciences
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v.30
no.3
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pp.442-450
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1997
The chemical properties of water masses were investigated at 33 stations of the southeastern last Sea in February, 1995 on board R/V Tam-Yang. The water masses were not clearly distinguished due to the vortical mixing in winter. However, on the basis of the T-S and $T-O_2$ diagrams, water masses in the study area were divided into five groups (Type I, Type II, Type III, Type IV, Type V). (1) $>9.0^{\circ}C,\;>34.35\;psu,\;5.08\~5.60m\ell/\ell$ at Type I, (2) $6.0\~9.0^{\circ}C,\;34.15\~34.35\;psu,\;5.60\~5.90\;m\ell/\ell$ at Type II, (3) $4.0\~6.0^{\circ}C,\;34.00\~34.15\;psu,\;>5.90m\ell/\ell$ at Type III, (4) $1.5\~4.0^{\circ}C,\;34.00\~34.05\;psu,\;5.40\~5.90\;m\ell/\ell$ at Type IV, (5) $<1.5^{\circ}C,\;34.05\~34.07\;psu,\;4.80\~5.40\;m\ell/\ell$ at Type V. In the vertical profiles of nutrients, the concentrations were very low in the surface layer and increased rapidly with depth. The highest concentrations occurred in Type IV, while the concentrations in Type I were the lowest. The N/P ratios were less than Redfield ratio, indicating that nitrogenous nutrients were the limiting factor tor phytoplankton growth. The concentrations of POC and PON were in the range of $0.49\~20.03\;{\mu}g-at/\ell\;and\;0.09\~5.34\;{\mu}g-at/\ell$, respectively. The relatively high concentration occured in the surface layer of inner shore, showing that the concentration at each water mass followed the order Type I > Type II > Type III > Type IV > Type V, respectively. The C:N ratio in particulate organic matter was lower than the values reported in other region due to relatively high concentrations of PON in the study area. Relatively high ratios of POC to chlorophyll $\alpha$ during the study periods indicate that non-living detritus comparised most of the POC in the study area.
Kim, Sangyun;Choi, Yourim;Lee, Gyeong-Nam;Kim, Joondong
The Transactions of The Korean Institute of Electrical Engineers
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v.67
no.6
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pp.789-793
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2018
All transparent metal oxide photoelectric device based on $V_2O_5$ was fabricated with structure of $V_2O_5/ZnO/ITO$ by magnetron sputtering system. $V_2O_5$ was deposited by reactive sputtering system with 4 inch vanadium target (purity 99.99%). In order to achieve p-n junction, p-type $V_2O_5$ was deposited onto the n-type ZnO layer. The ITO (indium tin oxide) was applied as the electron transporting layer for effective collection of the photo-induced electrons. Electrical and optical properties were analyzed. The Mott-Schottky analysis was applied to investigate the energy band diagram through the metal oxide layers. The $V_2O_5/ZnO/ITO$ photoelectric device has a rectifying ratio of 99.25 and photoresponse ratios of 1.6, 4.88 and 2.68 under different wavelength light illumination of 455 nm, 560 nm and 740 nm. Superior optical properties were realized with the high transmittance of average 70 % for visible light range. Transparent $V_2O_5$ layer absorbs the short wavelength light efficiently while passing the visible light. This research may provide a route for all-transparent photoelectric devices based on the adoption of the emerging p-type $V_2O_5$ metal oxide layer.
Transactions of the Korean Society of Mechanical Engineers B
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v.29
no.4
s.235
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pp.519-525
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2005
The operation of a low temperature differential model stirling engine is tested and analyzed by Simple analysis model. The heat transfer coefficients are required for Simple analysis, and the coefficients are determined by coinciding the P-V diagram of analysis to the diagram of experiment. The results show a good agreement. However the heat transfer coefficients are quite high by comparison with the ordinary forced convective heat transfer cases.
Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
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v.39
no.7
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pp.57-65
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2002
In this paper, a 2.5V 10-bit 300MSPS CMOS D/A Converter is described. The architecture of the D/A Converter is based on a current steering 8+2 segmented type, which reduces non-linearity error and other secondary effects. In order to achieve a high performance D/A Converter, a novel current cell with a low spurious deglitchnig circuit and a novel inverse thermomeer decoder are proposed. To verify the performance, it is integrated with $0.25{\mu}m$ CMOS 1-poly 5-metal technology. The effective chip area is $1.56mm^2$ and power consumption is about 84mW at 2.5V power supply. The simulation and experimental results show that the glitch energy is 0.9pVsec at fs=100MHz, 15pVsec at fs=300MHz in worst case, respectively. Further, both of INL and DNL are within ${\pm}$1.5LSB, and the SFDR is about 45dB when sampling, frequency, is 300MHz and output frequency is 1MHz.
This study investigates the existing theoretical backgrounds in order to examine the behavior of lateral flow according to the plasticity of soils when unsymmetrical surcharge is worked on polluted soft soils by comparing and analyzing the results measured through model tests. Model tests are canied out as follows soil tank, bearing frame and bearing plate are made. By increasing unsymmetrical surcharge to the ground soils with the consistent water content and with gradually increased polluted materials at intervals, the amounts of settlement, lateral displacement and upheaval were respectively observed. In conclusion, the value of critical surcharge was expressed as q$_{cr}$=2.78$_{cu}$ which was similar to those Tschebotarioff(q$_{cr}$=3.0$_{cu}$) and Meyerhof(q$_{cr}$=(B/2H+$\pi$/2)$_{cu}$) had been proposed. The value of ultimate capacity was expressed as q$_{ult}$=4.84$_{cu}$ which was similar to that of Prandtl. The lateral flow pressure is adeQuately calculated by the eQuation(P$_{max}$=K$_o$ r H) and the maximum value of lateral flow pressure is found near O.3H of layer thickness(H) and is higher to ground surface than the ones in composition pattern, Poulos distribution pattern and softclay soils (CL, CH) which is not polluted. The stability control method used in this research followed the management diagram of Tominaga.Hashimoto, Shibata.Sekiguchi, Matsuo.Kawamura who use the amounts of plasticity displacement by lateral flow. As a result, the ultimate capacity values in the diagram {S$_v$-(Y$_m$/S$_v$)} of Matsuo.Kawamura and in the diagram {(q/Y$_m$)-q} of Shibata. Sekiguchi were smaller than in the ones of load-settlement curve (q-S$_v$).
We present the rst period variation study for the Algol eclipsing binary V346 Cyg by constructing the (O-C) residual diagram using all the available precise minima times. We conclude that the period variation can be explained by a sine-like variation due to the presence of a third body orbiting the binary in about $68.89{\pm}4.69$ years, together with a long-term orbital period decrease ($dP/dt=-1.23{\times}10^{-7}day/yr$) that can be interpreted to be due to slow mass loss from the ${\delta}$-Scuti primary component. The sinusoidal variation may also be explained by using the the Applegate (1992) mechanism involving cyclic magnetic activity due to star-spots on the secondary component. The present preliminary solution needs more precise photometric observations to be confirmed.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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