• 전기전자학회논문지
• /
• 제21권1호
• /
• pp.1-6
• /
• 2017

본 논문에서는 플래너 게이트 및 트렌치 게이트의 구조를 동시에 가지고 있는 1200V급 이중 게이트 IGBT 소자를 제안함과 동시에 전기적인 특성을 분석하였으며, 분석된 결과를 가지고 플래너 게이트 및 트렌치 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성과 비교 분석하였다. 이중 게이트 IGBT 소자를 설계하는데 있어 문턱전압 및 온 상태 전압 강하에 영향을 주는 P-베이스 영역에 있어 P-베이스에 깊이는 트렌치 게이트 소자 영역에 영향을 주며, P-베이스에 너비는 플래너 게이트 소자 영역에 영향을 주는 것을 확인할 수 있었다. 본 연구에서 제시한 이중 게이트 IGBT 소자의 전기적인 특성인 항복전압은 1467.04V, 온 전압 강하는 3.08V, 문턱전압은 4.14V의 특성을 나타내고 있다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2009년도 제40회 하계학술대회
• /
• pp.1381_1382
• /
• 2009

Nondestructive tests were performed on two 4.16kV motors. Epoxy-mica coupler(80pF) was connected to 4.16 kV motor stator windings. The voltage applied to the stator windings was 2.4 kV, 3.0kV, 3.5kV and 4.16kV, respectively. Digital partial discharge detector(PDD) and turbine generator analyzer(TGA) were used to measure partial discharge(PD) activity. TGA summarizes each plot with two quantities such as the normalized quantity number(NQN) and the peak PD magnitude(Qm). The PD levels in pC were measured with PDD. PD patterns of stator windings were indicated the internal discharge. PD patterns are consistent with the result of measurement using PDD and TGA.

• Journal of Forest and Environmental Science
• /
• 제22권1호
• /
• pp.71-75
• /
• 2006

P-V곡선에 의한 음나무 묘목 상층엽의 수분특성을 측정하였다. 음나무 잎의 최대팽압시의 삼투포텐셜은 -1.44 MPa 이었고, 초기원형질분리점의 삼투포텐셜은 -1.84 MPa, 초기원형질분리점의 상대함수율은 78.2%였다.

• 한국미생물·생명공학회지
• /
• 제17권3호
• /
• pp.213-218
• /
• 1989

Cloning을 위한 host와 vector의 이용 가능성을 타진하기 위해 호알칼리성 Bacillus속 K-17을 host로, pUB110과 pBD64를 vector로 사용하여 Bacillus속 K-17의 protoplast 형질전환조건을 검토하였다. 원형질체의 형성은 200$\mu\textrm{g}$/$m\ell$의 Iysozyme 을 처리하였으며, 원형질체 형성의 최적 온도, PH및 배양시간은 각각 4$0^{\circ}C$, 7.0 및 4시간으로 나타났다. 원형질체는 DM3 재생배지에서 재생시켰으며 0.8% agar, 0.5M sodium succinate 농도에서 가장재생이 좋았다. 형질전환시 PEG의 농도는 40%(w/v) PEG 6,000 30%(v/v)가 최적으로 나타났다. 형질전환체의 특성을 조사한 결과, plasmid 안정성은 pUB110이 pBD64보다 더 안정하였으며, 최대 효소활성은 비슷하였지만 효소 분비시간은 pUB110 은 2.5일, pBD64의 경우는 3일로 Bacillus속 K-17의 2일에 비해 약간 지연되었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 2007년도 제38회 하계학술대회
• /
• pp.1313-1314
• /
• 2007

This paper presents organic thin-film transistors (OTFTs) with poly(3-hexylthiophene)(P3HT) semiconductor and several polymeric dielectric materials of poly(vinyl phenol)(PVP), poly(vinyl alcohol)(PVA), and polyimide(PI) by using soluble process. The fabricated OTFT's have inverted staggered structure using transmission line method(TLM) pattern. In order to evaluate the electrical characteristics of the OTFT, capacitance-voltage(C-V) and current-voltage(I-V) were measured. C-V graphs were measured at several frequencies of 100 Hz, 1 kHz, and 1 MHz and ID-VDS graphs according to $V_{GS}$. The current on/off ratio and threshold voltage with each of PVP, PVA, and PI based OTFTs were measured to $10^3$, and -0.36, -0.41, and -0.62 V. Also, the calculated mobility with each of PVP, PVA, and PI was 0.097, 0.095, and 0.028 $cm^{2}V^{-1}s^{-1}$, respectively. In the cases of PVP and PVA, the hole mobility of P3HT was in excellent agreement with the published value of 0.1 $cm^{2}V^{-1}s^{-1}$.

• 한국해양학회지
• /
• 제26권1호
• /
• pp.59-66
• /
• 1991

동해 심해분지 시추퇴적물 (수심, 1850 m 에서 수평(H), 수직(V) 방향에 대한 음 속(V/SUB p/)과 감쇠계수 (q/SUB p/)가 실내분석방법으로 측정되었다. 채취된 시추퇴 적물이 길이는 약 250 m 이었으며, 측정 음원은 중심주파수 500 m 의 초음파 변환기 (ultrasonic p-wave transducer)가 사용되었다. 1,480~1,500 m/sec 정도의 변화를 보 이는 V/SUB p/의 비동방성 (A/SUB p/)은 $\pm$1.0% 이내로써, 수평 또는 수직 그 어느 쪽 이 빠르다고 판단하기는 어렵다. 이는 시료의 대부분이 균질 (homogeneous) 한 니질퇴 적상이며, 심한 생물교란 (bioturbation)과 함께 높은 공극율(85% 이상)에 따른 다량 의 해수 함유에 기인하는 것으로 판단된다. Q/SUB p/의 분포범위는 5~10 정도이며 전 반적으로 퇴적물 하부로 내려갈수록 감소하는 경향은 탄산염 (CaC0$_3$)과 유기물 함량 의 증가와 함께 silt가 증가하고 clay가 감소하는 퇴적물 입도 (texture)의 변화로 해 석된다. 그러나 화산재(volcanic ash)가 나타나는 최하부층에서는 14.9 의 높은 Q/SUB PH/값도 보이고 있다. V/SUB PH/와 Q/SUB PH/의 역상관관계는 퇴적물 물성변화 뿐만 아니라 높은 함수율로 인한 해수특성(높은 Q/SUB p/, 낮은 V/SUB p/)의 영향도 크게 작용하고 있음을 시사한다.

• ETRI Journal
• /
• 제37권1호
• /
• pp.97-106
• /
• 2015

In this paper, MOS-triggered silicon-controlled rectifier (SCR)-based electrostatic discharge (ESD) protection circuits for mobile application in 3.3 V I/O and SCR-based ESD protection circuits with floating N+/P+ diffusion regions for inverter and light-emitting diode driver applications in 20 V power clamps were designed. The breakdown voltage is induced by a grounded-gate NMOS (ggNMOS) in the MOS-triggered SCR-based ESD protection circuit for 3.3 V I/O. This lowers the breakdown voltage of the SCR by providing a trigger current to the P-well of the SCR. However, the operation resistance is increased compared to SCR, because additional diffusion regions increase the overall resistance of the protection circuit. To overcome this problem, the number of ggNMOS fingers was increased. The ESD protection circuit for the power clamp application at 20 V had a breakdown voltage of 23 V; the product of a high holding voltage by the N+/P+ floating diffusion region. The trigger voltage was improved by the partial insertion of a P-body to narrow the gap between the trigger and holding voltages. The ESD protection circuits for low- and high-voltage applications were designed using $0.18{\mu}m$ Bipolar-CMOS-DMOS technology, with $100{\mu}m$ width. Electrical characteristics and robustness are analyzed by a transmission line pulse measurement and an ESD pulse generator (ESS-6008).

• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제13권5호
• /
• pp.371-375
• /
• 2000

In this paper a new conductivity modulated power transistor called the Lateral Insulated Gated Bipolar Transistor which included n+ ring and p-channel gate is presented. A new lateral IGBT structure is proposed to suppress latch-up and to improve turn off time by imploying n+ ring and p-channel gate and verified by MEDICI. The simulated I-V characteristics at $V_{G}$=15V show that the latch up occurs at $V_{A}$=18V and 6.9$\times$10$^{-5}$ A/${\mu}{\textrm}{m}$ for the proposed LIGBT while the conventional LIGBT latches at $V_{A}$=1.3V and 1.96${\mu}{\textrm}{m}$10$^{-5A}$${\mu}{\textrm}{m}$. It is shown that turn off characteristic of new LIGBT is 8 times than that of conventional LIGBT. And noble LIGBT is not n+ buffer layer because that It includes p channel gate and n+ ring. Therefore Mask for the buffer layer isn’t needed. The concentration of n+ ring is and the numbers of n+ ring and p channel gate are three for the optimal design.n.n.n.n.

• 공업화학
• /
• 제5권2호
• /
• pp.255-262
• /
• 1994

아크용융방법으로 준비한 Ti-5Bi 합금을 산화시켜 제조한 산화티타늄의 에너지변환효율(${\eta}_e$)을 광학농도, 광에너지에 따라서 측정하였다. 그리고 광학농도 및 전해액의 pH변화에 따른 플랫-밴드전압변화를 측정하였다. 광학농도와 광에너지가 증가하면 에너지변환효율은 증가하였으며 광학농도 $0.2W/cm^2$, 조사되는 빛의 에너지가 4.0eV에서 최대 에너지변환효율은 각각 3.2%, 13%로 나타났다. 에너지변환효율은 인가전압 의존성을 보여주었으며 0.5V의 전압을 인가하였을 경우 최대값을 보여주었다. 한편 전체 광전류의 발생은 산화티타늄 공핍층 내의 전자-정공쌍의 생성반응에 의해 율속되었다. 광학농도가 증가하면 플랫-밴드전압은 -0.065V/decade의 기울기를 나타내었으며 전해액의 pH가 감소하면 플랫-밴드전압은 양의 방향으로 이동하였으며 그 기울기값은 0.059V/pH로 Nernst 식의 기울기값과 일치하였다.

• 한국정밀공학회:학술대회논문집
• /
• 한국정밀공학회 2010년도 추계학술대회 논문집
• /
• pp.797-798
• /
• 2010