High temperature materials used in the elevated temperature and corrosive atmosphere must have the good oxidation resistance and preserve their own mechanical properties simultaneously. For the oxidation resistance, it is very important to form a protective oxide scale such as $Al_2O_3$ or $Cr_2O_3$ on the substrate. However, the additions of protective oxide forming elements such as Cr and Al in the alloy to enhance its oxidation resistance are limited due to the deleterious effects on their mechanical properties. PECVD(P1asma Enhanced Chemical Vapor Deposition) coating processes were employed to improve the oxidation resistance at high temperature. Cr and/or A1 were coated on the substrates of Ni and Inconel 600 at various temperatures of 400, 500, $600^{\circ}C$ and at different conditions of specimen surfaces. Then, coated specimens were exposed to isothermal and cyclic oxidation conditions in air at 1000 and $1100^{\circ}C$. In order to enhance the adhesion between the substrate and coated layer, heat treatments of the coated specimens were conducted in a vacuum. At isothermal oxidation experiments, Al-coated Ni specimen showed better oxidation resistance than pure Ni. At cyclic oxidation experiments at $1000^{\circ}C$. Cr and Al-coated specimen showed better oxidation resistance. Cr-coated Inconel 600 had also showed better oxidation resistance due to Cr in the substrate. By PECVD coating process, oxidation resistance could be improved, but it was not improved as expected due to the weakness of the adhesion between the substrate and the coated layer.
Stainless steels are widely selected as commercial engineering materials mainly because of their excellent corrosion resistance, oxidation resistance and strength. Because the manufacturing temperature of stainless steels is relatively high, the chemical and physical properties of the oxide film which was formed on the stainless steels are of importance in determining the rate of oxidation and the life of equipment exposed to high temperature oxidizing environments. In this study, the oxidation behavior of S. S. 304 and S. S. 430 added by a small amount of oxygen active elements(each +0.5wt% Hf and Y) was studied to improve oxidation resistance. The results of cyclic and isothermal oxidation on S. S. 304 added by OAE showed relatively poor oxidation resistance due to spallations and cracks of $Cr_2O_3$ layer. But all S. S. 430+0.5wt% OAE maintained constant oxidation rates and stable oxide layers at high temperature environment. Especially S. S. 430+0.5wt% Y formed a $Cr_2O_3$ oxide layer and improved cyclic oxidation resistance preventing loss of protective layers about 1000 hours at $1000^{\circ}C$
Borosilicate, $B_2O_3$ and BN derived from liquid precursors have been tested as shielding materials for the long period of oxidation resistance of C/BN composites at $650^{\circ}C$. Borosilicate coating displayed excellent oxidation resistance and low moisture absorbance, while $B_2O_3$ and BN were less effective in elevating the oxidation resistance. The enhancement of the oxidation resistance was explained as self-healing effect by viscous flow of the borosilicate glass over Tg, resulting in the reduction of the exposed carbon fibers in a BN matrix.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.17
no.2
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pp.121-126
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2004
In this paper, the effects of the ozone oxidation of the landing polycrystalline silicon on the cell contact resistance of the DRAM device were studied. For this study, the ozone oxidation of the landing polycrystalline silicon layer was performed under various conditions, which was followed by the normal DRAM processes. Then, the cell contact resistance and $t_{WR}$ (write recovery time) of the devices were measured and analyzed. The experimental results showed that the cell contact resistance was more significantly increased for higher temperature of oxidation, longer time of oxidation, and higher concentration of ozone in the oxidation furnace. In addition, the TEM cross-sectional micrographs clearly showed that the oxide layer at the interface between the landing polycrystalline silicon layer and the plug polycrystalline silicon layer was increased by the ozone oxidation. Furthermore, the rate of the device failure due to too large write recovery time was also found to be well correlated with the increase of the cell contact resistance.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.187-187
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2010
In this study, we investigated the effect of electrodes on resistance switching of TaOx film. Pt, Ni, TiN, Ti and Al metal electrodes having the different oxidation degree were deposited on TaOx/Pt stack. Unipolar resistance switching behavior in Pt or Ni/TaOx/Pt MIM stacks was investigated, but bipolar resistance switching behavior in TiN, Ti or Al /TaOx/Pt MIM stacks was shown. We investigated that the voltage dependence of capacitance was decreased with higher oxidation degree of metal electrodes. Through the C-V results, we expected that linearity ($\alpha$) and quadratic ($\beta$) coefficient was reduced with an increase of interface layer between top electrode and Tantalum oxide. Transmission Electron Microscope (TEM) images depicted the thickness of interface layer formed with different oxidation degree of top electrode. Unipolar resistance switching behavior shown in lower oxidation degree of top electrode was expected to be generated by the formation of the conducting path in TaOx film. But redox reaction in interface between top electrode and Tantalum oxide may play an important role on bipolar resistance switching behavior exhibited in higher oxidation degree of top electrode. We expected that the resistance switching characteristics were determined by oxidation degree of metal electrodes.
The high temperature oxidation behaviors of titanium nitride films prepared by PACVD technique were studied in the temperature range of from 50$0^{\circ}C$ to 80$0^{\circ}C$ under air atmosphere. Ti0.88Al0.12N film, which showed the excellent microhardness from the previous work, was investigated on its oxidation resistance compared with pure TiN film. Ti-Al-N film showed superior oxidation resistance up to $700^{\circ}C$, whereas TiN film was fast oxidized into rutile TiO2 crystallites from at 50$0^{\circ}C$. It was found that an amorphous layer having AlxTiyOz formula was formed on the surface region due to outward diffusion of Al ions at the initial stage of oxidation. The amorphous oxide layer played a role as a barrier against oxygen diffusion, protected the remained nitride layer from further oxidation, and thus, resulted in the high oxidation resistive characteristics of Ti-Al-N film.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.06a
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pp.182-182
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2009
The effect of Re-oxidation on the PTCR properties of Sm-doped barium titanate ceramics was investigated by means of impedance spectroscopy. Electrical properties such as resistance vs. temperature, I-V curve were measured and microstructure was observed with SEM photography. Sample was fabricated with thick film process such as tape casting of green sheet, screen printing of electrode pattern, stacking, firing in reduced atmosphere and re-oxidation, etc. As the temperature of re-oxidation increases, resistance jump as a function of temperature enhances but resistance at room temperature increases. These behavior of resistance as a function of temperature, dependent on the re-oxidation condition, is analyzed with Cole-Cole impedance plot and is shown to be related with the degree of oxidation of grain boundary regardless of grain core during re-oxidation process of sample.
The effects of MgO on the resistance to corrosion and oxidation of Al2O3-SiC-C refractory have been in-vestigated. The resistance to oxidation was improved as the amount of MgO increased. The resistance to corrosion was enhanced until 2 wt% MgO content but degraded over that content. From the dependence of temperatuer on the oxidation resistance oxidation was suppressed by the microstructural densification caused by spinel formation over 1200~130$0^{\circ}C$and the formation MgO-Al2O3-SiO2 liguid-phase over 130$0^{\circ}C$ The weight loss of specimens containing MgO with various purity at range of 95 to 99% and par-ticle size of -0.045 mm to -0.074 mm was examined. The oxidation resistance was not changed signficantly with the particle size and purity of MgO powders.
SKD 11 steel has been widely used for tools, metallic mold and die for press working because of its favorable mechanical properties such as high toughness and creep strength as well as excellent oxidation resistance. The ion nitrided tool steel containing Mo results in improvement of corrosion resistance, strength at high temperature and pitting resistance, especially in $Cl^-$ contained environment. But the Mo addition causes a disadvantage such as lower oxidation resistance at elevated temperature. In this study, several effects of ion-disadvantage on the oxidation characteristics for SKD 11 steel with various oxidation temperature were investigated. SKD 11 steels were manufactured by using vacuum furnace and solutionized for 1 hr at $1,050^{\circ}C$. Steel surface was ion nitrided at $500^{\circ}C$ for 1 hr and 5 hr by ion nitriding equipment. ion nitrided specimen were investigated by SEM, OM and hardness tester. Oxidation was carried out by using muffle furnace in air at $500^{\circ}C,\;700^{\circ}C\;and\;900^{\circ}C$ for 1hr, respectively. Oxidation behavior of the ion nitrided specimen was investigated by SEM, EDX and surface roughness tester. The conclusions of this study are as follows: It was found that plasma nitriding for 5 hr at $500^{\circ}C$, compared with ion nitriding for 1 hr at $500^{\circ}C$, had a thick nitrided layer and produced a layer with good wear, corrosion resistance and hardness as nitriding time increased. Nitrided SKD 11 alloy for 1hr showed that wear resistance and hardness decreased, whereas surface roughness increased, compared with nitrided SKD 11 alloy for 5 hr. The oxidation surface at $900^{\circ}C$ showed a good corrosion resistance.
The specimens which were prepared from cokes with additions of 0~25 wt% B4C were sintered in Ar atmosphere at 220$0^{\circ}C$. The effects of B4C content on graphitization and oxidation resistance of cokes were investigated. B4C accelerates the graphitization of cokes and at 220$0^{\circ}C$ the degree of graphitization increased from 0.33 which is the value of pure carbon to 0.56, which increased bluk density and porosity. Especially bending strength increased as th graphitization temperature increased. Oxidation resistance property was greatly improved when B4C was added more than 10wt% at 80$0^{\circ}C$ and when B4C was added more than 20wt% at 100$0^{\circ}C$. This was because that the thin layer of B2O3 glass phase on the surface of the composite could be identified to increase the oxidation resistance.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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