• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권2호
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• pp.45-49
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• 1999

이온빔 보조 증착법을 이용하여 제작한 $SnO_2$박막을 기저 물질로한 가연성 센서에 catalyst로 ultra-thin Pd layer를 이온빔 스퍼터링으로 흡착시켰다. 가연성 기체의 센싱 메카니즘에서 Pd 촉매의 역할을 정확하게 조사하기 위해서 진공 및 공기 상에서 annealing 함으로서 Pd 촉매의 초기 산화 상태를 조절하였다. 촉매가 순수한 금속 Pd 클러스터 상태로 존재하는 $SnO_2$센서의 경우에는 PdO 클러스터가 있는 것에 비해 높은 감응성을 보였다. 이것은 PdO 클러스터가 표면 acceptor로 작용을 하는 것으로 생각되며 $SnO_2$로 부터 Pd sub-channel을 통해 전자를 받아 센서의 감도를 낮추고 응답시간을 늦추는 것으로 생각된다.

• Corrosion Science and Technology
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• 제9권6호
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• pp.259-264
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• 2010

In continuous hot dip galvanizing process, oxide formation on steel surface has an influence on Zn wetting. High strength automotive steel contains high amount of Si and Mn, where Si-Mn composite oxides such as $Mn_2SiO_4$ or $MnSiO_3$ covers the surface after annealing. Zn wetting depends on how the aluminothermia reaction can reduce the Mn-Si composite oxides and then form inhibition layer such as $Fe_2Al_5$ on the steel surface. The outward diffusion of metallic ions such as $Mn^{2+}$, $Si^{2+}$ in the steel matrix is very important factor for the formation of the surface oxides on the steel surface. The surface state and grain boundaries provide an important role for the diffusion and the surface oxide reactions. Some elements such as P, Sb, and B have a strong affinity for the interface precipitation, and it influence the diffusivity of metallic ions on grain boundaries. B oxide forms very rapildly on the steel surface during the annealing, and this promote complex oxides with $SiO_2$ or MnO. P has inter-reacted with other elements on the grain boundaries and influence the diffusion through on them. Small addition of Sb could suppress the decarburization from steel surface and retards the formation of internal and external selective oxides on the steel surface. Interface control by the trace elements such as Sb could be available to improve the Zn wettability during the hot dip galvanizing.

• Elastomers and Composites
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• 제40권1호
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• pp.45-52
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• 2005

풀러렌[$C_{60}$]은 3-chloroperoxy benzoic acid, benzoyl peroxide, trichloroisocyanuric acid, chromium(VI) oxide 등의 산화제를 사용하여 마이크로파 조건에서 반응시켜 풀러렌 산화물[$C_{60}(O)_n$] ($n=1{\sim}4$ or n=1)을 합성하였다. 동일한 마이크로파 조건에서 여러 가지 산화제와 풀러렌[$C_{60}$]의 고체상태 반응성은 3-chloroperoxy benzoic acid>benzoyl peroxide>trichloroisocyanuric acid$\simeq$chromium(VI) oxide 순으로 증가함을 나타냈다. MALDI-TOF-MS, UV-visible, 그리고 HPLC를 사용하여 분석한 결과 생성된 풀러렌 산화물은[$C_{60}(O)_n$] ($n=1{\sim}4$ or n=1)임을 알 수 있었다.

• 한국표면공학회지
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• 제52권3호
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• pp.138-144
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• 2019

In this work, PEO (Plasma Electrolytic Oxidation) film formation behavior of Al6061 alloy was investigated as a function of applied current density of AC at 310 Hz in the range from $120mA/cm^2$ to $300mA/cm^2$ in 0.5 M $Na_2SiO_3$ solution. When applied current density is lower than a critical voltage of about $132mA/cm^2$, voltage reaches a steady-state values less than 120 V without generation of arcs and metallic color of the alloy surface remains. On the other hand, when applied current density exceeds about $132mA/cm^2$, voltage increases continuously with time and arcs are generated at more than 175 V, resulting in the formation of PEO films with grey colors. Two different types of arcs, large size and small number of arcs with orange color, and small size and large number of arcs with white color, were generated at the same time when the PEO film thickness exceeds about $50{\mu}m$, irrespective of applied current density. Formation efficiency of the PEO films was found to increase with increasing applied current density and the growth rate was obtained to be about $5{\mu}m/min$ at $300mA/cm^2$. It was also found that surface roughness of the PEO films with $70{\mu}m$ thickness is not dependent on the applied current density.

• 대한금속재료학회지
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• 제46권11호
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• pp.747-754
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• 2008

Recently, the requirement for the ultra thin copper foil increases with smaller and miniaturized electronic components. Therefore, it is important to examine the surface state of substrate depending on the processing parameter during the anodic oxidation. This study investigated the effect of the various electrolyte concentrations on anodizing of titanium anode prior to copper electrodeposition. Different surface morphology of anodized titanium was obtained at different electrolytic concentration 0.5 M to 3.0 M. In addition, the effect that the surfaces and the electrical characteristics on the electrodeposited copper layer was observed. In this study, surface anodized in the group containing 0.5M $H_2SO_4$ shows more uniform copper crystals with low surface roughness. the surface roughness and sheet resistance for 0.5M $H_2SO_4$ group were $1.353{\mu}m$ and $0.104m{\Omega}/sq$, respectively.

• 한국결정성장학회지
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• 제12권6호
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• pp.304-310
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• 2002

실리콘 기판 위의 초기 산화막을 NO 열처리 및 재산화 공정방법으로 성장한 재산화된 질화산화막을 게이트 유전막으로 사용한 새로운 전하트랠형 기억소자로의 응용가능성과 계면트랩특성을 조사하였다. 0.35$\mu$m CMOS 공정기술을 사용하여 게이트 유전막은 초기산화막을 $800^{\circ}C$에서 습식 산화하였다 전하트랩영역인 질화막 층을 형성하기 위해 $800^{\circ}C$에서 30분간 NO 열처리를 한 후 터널 산화막을 만들기 위해 $850^{\circ}C$에서 습식 산화방법으로 재산화하였다. 프로그램은 11 V, 500$\mu$s으로 소거는 -l3 V, 1 ms의 조건에서 프로그래밍이 가능하였으며, 최대 기억창은 2.28 V이었다. 또한 11 V, 1 ms와 -l3 V, 1 ms로 프로그램과 소거시 각각 20년 이상과 28시간의 기억유지특성을 보였으며 $3 \times 10^3$회 정도의 전기적 내구성을 나타내었다. 단일접합 전하펌핑 방법으로 소자의 계면트랩 밀도와 기억트랩 밀도의 공간적 분포를 구하였다. 초기상태에서 채널 중심 부근의 계면트랩 및 기억트랩 밀도는 각각 $4.5 \times 10^{10}/{cm}^2$ 와 $3.7\times 10^{1R}/{cm}^3$ 이었다. $1 \times 10^3$프로그램/소거 반복 후, 계면트랩은 $2.3\times 10^{12}/{cm}^2$으로 증가하였으며, 기억트랩에 기억된 전하량은 감소하였다.

• 한국식품과학회지
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• 제23권6호
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• pp.732-738
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• 1991

Corsoy 79 대두를 8-와 24-mesh 입자 크기의 전지 대부분으로 분쇄하였다. 입자크기 분석으로 8mesh 전지 대부분은 기하학적 평균 크기 와 표준편차가 24 mesh 전지 대두분 보다 켰다. 분포계수는 두 전지 대두분 모두 동일하여서 거의 완벽하게 원하는 입자 크기로 분쇄됨을 알 수 있었다. 대두의 분쇄 시작부터 그 후 24시간의 짧은 저장기간 동안 두 전지 대부분에서 유지를 추출하여 가수분해와 산화에 의한 유지의 변패를 측정하였다. 유지의 과산화물가나 conjugated diene의 증가는 없었으며, 수분함량 10.7%, 이하에서 hexanal 함량증가도 없었다. 수분함량 14.9% 이상에서 유지산패는 수분함량과 저장기간의 증가로 그 값이 증가하였다. 대두의 수분함량이 4%에서 18%로 증가함에 따라서 가수분해에 의한 산패 즉 유리지방산가는 0.06%만이 증가하였으므로 실질적으로 분쇄후 24시간 저장동안 전지대부분 변질에 어떠한 영향도 주지 못하였다. 이러한 결과에서 원료대두의 수분함량이 11%이하이면 전지 대부분으로 분쇄하고 그 후 24시간동안 저장하여도 유지나 향미의 변패에 어떠한 영향도 주지 못함을 발 수 있었다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제8권1호
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• pp.27-32
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• 2001

($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$의 소결온도를 저하시키고 품질계수 향상의 목적으로 첨가한 $V_2O_5$가 다른 donor형태의 화합물과 달리 품질계수의 저하를 가져오는 원인을 $Ta_2O_5$가 첨가된 ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$와 미세 구조변화, 전기전도도, 산화상태의 관점에서 비교 분석하였다. 일반적으로 donor형태의 화합물의 첨가는 ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$의 산소공공의 농도를 감소시켜 품질계수의 증가를 가져오는 것으로 알려져 있다. $V_2O_5$의 첨가의 경우는 액상소결에 의한 결정입계상 존재, 섬유상 형태의 $V_2O_5-TiO_2$rich 이차상 형성 및 Vanadium 이온의 산화상태 불안정에서 기인된 산소공공의 농도 증가가 복합적으로 ($Zr_{0.8}, Sn_{0.2})TiO_4$의 품질계수 저하 요인으로 작용하였다.

• 대한환경공학회지
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• 제31권10호
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• pp.927-932
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• 2009

난분해성 및 독성 폐수 처리는 고급산화 기술과 생물학적 처리가 친화결합(intimate coupling) 을 이룰 때 최적의 효과를 거둘 수 있다. 본 연구에서는 광촉매 산화와 생물학적 처리를 친화결합하도록 고안된 다공성 $TiO_2$ 코팅 담체를 제조하여 광촉매 반응에 관한 동력학 연구를 수행하였다. 저온 sol-gel 코팅법으로 제조된 PVA 재질의 다공성 $TiO_2$ 담체는 UV 조사하에서 methylene blue (MB)를 효율적으로 분해하였다. 시험 농도(최대 100 ${\mu}M$)에서 MB의 흡착속도는 1차반응 (first-order reaction)의 성질을 보였으며, 흡착과 산화를 포함한 총반응속도는 유사 Langmuir 모델로 예측 가능하였다. 이러한 원인은 담체 표면에 MB가 흡착됨에 따라 UV 조사에 의하여 광촉매 반응이 일어날 표면이 줄어들었기 때문인 것으로 판단된다. 다공성 $TiO_2$ 담체의 단위 $TiO_2$ 량당 최대 MB 제거속도는 슬러리 $TiO_2$ 반응기에서 얻은 MB 제거속도보다 4배 더 빨랐다. 본 연구로 인하여 저온 sol-gel 코팅법으로 제조한 PVA 재질 다공성 $TiO_2$ 담체가 성공적인 광분해 반응을 나타내는 것이 확인되었으며, 동 담체에 대한 광촉매 반응의 동력학적 성질이 구명되어, 향후 생물처리를 친화결합 시킬 수 있는 연구 바탕을 확보하였다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제10권6호
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• pp.504-509
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• 1989

The effect of oxygen-deficiency on the charge distributions and orbital energies for small copper oxide clusters representing the superconducting materials $YBa_2Cu_3O_x (6{\leq}x{\leq}7)$ were investigated by the extended Huckel molecular orbital (EHMO) method with the tight-binding model. Our calculations show +3 oxidation state of Cu(1) in the $CuO_3$ chain and +2 or +1 of Cu(2) in the $CuO_2$ layers for $YBa_2Cu_3O_7$ with the nominal charge of $Cu_3$ = +7 (or +5), while for $YBa_2Cu_3O_6$ +1 oxidation state of Cu(1) and +3 (or +2) of Cu(2) in the $CuO_2$ layers with the nominal charge of $Cu_3$ = +7 (or +5). For $Cu_3O_{12}$ cluster representing $YBa_2Cu_3O_7$ with the nominal charge of $Cu_3$ = +7 the Cu(2) $d_{{x^2}-{y^2}}$ orbitals in the $CuO_2$ layers is a typical Jahn-Teller $d^9$ system with the partial hole and the Cu(1) $d_{{_z2}-{_y2}}$ orbital in the $CuO_3$ chain contains hole occupancy. For $Cu_3O_{10}$ cluster representing $YBa_2Cu_3O_6$ with the nominal charge of Cu = +5 the orbital character of the highest partially occupied MO (HPOMO) and the lowest completely unoccupied MO (LCUMO) of $Cu_3O_{12}$ representing $YBa_2Cu_3O_7$ with the nominal charge of $Cu_3$ = +7 is reversed, and the character of Cu(1) $d{{x^2}-{y^2}}$ orbital of LCUMO of the $Cu_3O_{12} $cluster is vanished. It is suggested that the local crystal field environment of Cu(1) by the oxygens in the Cu(1) chain may play a vital role in conductivity and superconductivity, either alone or through cooperative electronic coupling with the Cu(2) layers in $YBa_2Cu_3O_7.$.