Numerical Analysis of NDR characteristics in resonant tunneling diodes with AllnAs/GaInAs Structure (AlIanAs/GaInAS계 공명터널링 다이오드의 부성저항 특성에 관한 수치 해석)
-
- Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
- /
- v.32A no.7
- /
- pp.51-57
- /
- 1995