기계가공으로 제작되고 알칼리 화학세정을 거친 알루미늄합금(A5083) 진공용기에 대한 기체방출 특성을 조사하였다. 상온배기를 시작한 후 가열탈기체 처리를 하기 전 까지 배기곡선은 ~$t^{-1.15}$ 모양을 따랐다. 이 알루미늄 진공용기에 대한 배기곡선을 비교적 간단한 모델들을 사용하여 용기의 내표면에 흡착되어 있는 물의 1차 방출로 분석하였다. ~$10^{-5}-10^{-8}$Torr 압력구간에서 물분자는 ~17 - 22 kcal/mol사이의 탈리에너지 값을 가지는 몇 개의 흡착석에서 방출됨을 알 수 있었다. 한편 $100^{\circ}C$, 24 시간 가열 탈기체 처리후 알루미늄용기에 대한 기체방출률은 상온에서 ~1$\times$$10^{-13}$ Torr$\ell$/s $\textrm{cm}^2$로 측정되었다.
스테인레스 스틸 304 재료로 가공된 진공용기의 온도를 $235 ^{\circ}C$까지 올린 후 다시 상온까지 내리는 굽기 과정에서와 세 개의 열음극 전리 진공게이지를 켜거나 탈기체 시켰을 때 이탈하는 기체의 양과 조성을 잔류기체분석기로 측정하여 분석하였다. 굽기 과정에서 이탈된 기체는 주로 $H_2,\; CO,\; H_2O$ 등이었으나 상온에서의 잔류기체는 $H_2$와 CO가 대부분이었다. 게이지를 켜거나 탈가스 시킨 후 용기내의 잔류가스는 $H_2$와 $H_2O$가 대부분이었고 이탈된 기체의 양과 종류는 게이지마다 조금씩 차이가 있음을 알 수 있었다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권6호
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pp.334-338
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2013
In this study, the outgassing effects of selected vacuum materials on the vacuum characteristics were simulated by the $VacSim^{Multi}$ simulation tool. This investigation examined the feasibility of reliably simulating the outgassing characteristics of common vacuum chamber materials (aluminum, copper, stainless steel, nickel plated steel, Viton A). The optimum design factors for these vacuum systems were suggested based on the simulation results. The baking-out effects of the modeled systems and materials on the performance of the vacuum system were also analyzed. The simulation predicted that the overall outgassing effect was more significant in the turbomolecular pump system than in the diffusion pump system and that the utilization of a booster pump has a greater effect on the evacuation time than on the ultimate pressure.
한국정보디스플레이학회 2002년도 International Meeting on Information Display
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pp.621-624
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2002
In this study, outgassing characteristics of MgO films, and the plasma cleaning effects of the deposited MgO films by atmospheric pressure plasma on outgassing rate were compared. The MgO layer was heated up to 350 $^{\circ}C$ and the outgassing characteristics were observed for the heated conditions. As the main impurity species $H_2,\;H_2O,\;N_2,\;CO_2,\;and\;H_2O$ were released from this panel. Impurity species of plasma treatment panel were lower than non-treated panels for the heating temperature
위성체가 작동하는 우주환경인 고진공상태에서는 위성체의 부품에서 발생 할 수 있는 outgassing으로 인해 위성체가 오염되어 위성체의 성능이 저하될 수 있으며, 특히 이차면경(second surface mirror) 및 광학렌즈 등을 오염시킴으로써 위성체 본연의 임무수행 실패라는 결과를 초래할 수도 있다. 따라서 지상에서 위성체의 부품에 대해 고온($85^{\circ}C$ 이상)과 고진공($5.0{\times}10-3Pa$ 이하)의 상태를 모사하여 오염물질을 제거함으로써 outgassing의 발생을 막고, 아울러 오염근원을 검출할 수 있는 vacuum bake-out 시험이 필수적이라 할 수 있다. 이를 위해서 한국항공우주연구원 위성시험동에는 전용 bake-out 챔버가 설치되어 있으며 저진공용 dry pump와 booster pump를 이용하여 5.0 Pa의 저진공을 형성하고, 2대의 cryopump를 이용하여 $5.0{\times}10-3Pa$ 이하의 고진공을 생성하게 되는데, Bake-out 챔버의 진공 배기시스템에 대하여 자세히 알아보고자 한다.
A pressure rise is generated while air bearing stages are moving in high vacuum environment. This study analyzed this pressure rise phenomenon theoretically and verified it experimentally using two different kinds of stages - linear and rotary air bearing stages. Results indicate that the pressure rise was caused by additional leakage resulting from stage velocity, along with adsorption and outgassing of gas molecules from the guide rail surface. Though tilting of the stage due to acceleration and deceleration reached several micrometers, it had a negligible effect on pressure rise because the tilting time was very short. Therefore, a rotary air bearing stage showed much less pressure rise than a linear stage because the rotary stage theoretically has nothing to do with the above causes. Additional leakage caused by stage velocity was inevitable if the stage had movements, but pressure rise caused by adsorption and outgassing could be suppressed by improving the surface quality to reduce real surface area, and by coating the guide rail surface with titanium nitride (TiN) which has less adhesion probability of gas molecules. The results also indicate that the pressure rise increased when the air bearing stage operated under high vacuum conditions.
In this work, transparent conductive oxide(TCO) films such as $In_2O_3-SnO_2$(ITO) and $In_2O_3-ZnO$(IZO) were prepared on polyethylene naphthalene(PEN) and glass substrates by using rf-magnetron sputtering system. The TCO films deposited on PEN substrate show very poor conductivity as compared to that of the TCO films deposited on glass substrates. From the results of the residual gas analysis(RGA) test, this poor stability of plastic substrate is presumed to be caused by the deteriorated adhesion between the TCO films and the plastic substrate due to outgassing from the plastic substrate during deposition of TCO films. From our experiment, it is found that the vaporization of some defects in the plastic substrates deteriorate the adhesion of the TCO films to the plastic substrate, because the most plastic substrates containing the water vapor and/or other adsorbed particles such as organic solvents. Mixing of these gases vaporized in the sputtering process will also affect the electrical property of the deposited TCO films. Inorganic thin composite $(SiO_2)_{40}(ZnO)_{60}$ film as a gas barrier layer is coated on the PEN substrate to protecting the diffusion of vapors from the substrate, so that the TCO films with an improved quality can be obtained.
위성체가 작동하는 우주환경인 고진공상태에서는 위성체의 부품에서 발생 할 수 있는 outgassing으로 인해 위성체가 오염되어 위성체의 성능이 저하될 수 있으며, 특히 이차면경(second surface mirror) 및 광학렌즈 등을 오염시킴으로써 위성체 본연의 임무수행 실패라는 결과를 초래할 수도 있다. 따라서 지상에서 위성체의 부품에 대해 고온($85^{\circ}C$ 이상)과 고진공($5.0\times10^{-3}$ Pa 이하)의 상태를 모사하여 오염물질을 제거함으로써 outgassing의 발생을 막고, 아울러 오염근원을 검출할 수 있는 vacuum bake-out 시험이 필수적이라 할 수 있다. 이를 위해서 한국항공우주연구원 우주시험동에 설치된 bake-out 챔버를 이용하여 위성체 부품 중에서 SAR(Solar Array Regulator)와 MLI(Multi Layer Insulator)를 예를 들어 오염측정에 관한 연구를 수행하였다. 항공우주연구원의 bake-out 챔버는 rotary vacuum pump와 booster pump를 이용하여 5.0 Pa의 저진공을 형성하고, 2대의 cryopump를 이용하여$5.0\times10^{-3}$ Pa 이하의 고진공을 생성하게 된다. 또한 $180^{\circ}C$까지의 고온을 모사하기 위하여 챔버 shroud 안쪽에 ceramic 재질로 된 heater가 $30^{\circ}$간격으로 총 48개를 설치되어 있으며, 온도제어는 PID(Proportional Integral Differential) 제어 방식이 이용되었다. Vacuum bake-out 시험시에는 RGA(Residual Gas Analyzer)를 이용하여 각종 오염물질을 검출할 수 있고, TQCM(Thermoelectric Quartz Crystal Microbalance)을 사용하여 발생하는 오염물질의 방출률(outgassing rate)을 측정한다. 또한 필요시에는 IR/UV Spectrometer를 이용하여 witness plate에 흡착된 오염물질의 성분을 분석하여 위성체 부품으로의 적합성을 판단한다. SAR의 bake-out에서는 TQCM 측정결과 오염물질이 시간에 따라 감소추이는 보이지만 꾸준히 배출되고 있는 경향을 나타내고, RGA 분석결과 그 성분이 고분자 화합물로 추정되어 위성체 부품으로 사용하기에는 적절하지 못할 것으로 판단하였다. MLI의 bake-out에서는 RGA 및 witness plate를 이용한 오염측정 결과 특이한 오염물질을 발견할 수 없었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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