• 한국결정성장학회지
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• 제14권4호
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• pp.151-154
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• 2004

Issues of ferroelectric high-density memories (>64 Mb) indispensable for upcoming ubiquitous era have been on the cell integration less than $0.1\;\mu\textrm{m}^2$ and reliabilities. Thus nanoscale control of microstructures of ferroelectric films with large switching polarization has been one of the issues to obtain the uniform electrical properties for realization of high-density memories. In this study the grain orientations and distributions of BT-based films by spin-on coatings were examined by FEG-SEM/EBSD. Ferroelectric domain characteristics by PFM were also performed to study the dependence of reliabilities on the grain orientations and distributions. It is believed that understandings of the nucleation and growth mechanisms of the a- or b-axis oriented films during the thermal processes such as RTA and furnace annealing affecting on grain orientation and uniformity could be possible based on our experimental results.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 1994년도 제7회 학술발표회 및 한·일 CVD 심포지움 논문개요집
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• pp.50-51
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• 1994

• 한국결정성장학회지
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• 제10권2호
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• pp.152-158
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• 2000

상압 소결법(PLS, pressureless sintering) 및 방전가열 소결법(SPS, spark plasma sintering)으로 소결한 {{{{ {ZrB }_{2 } - ZrC }}}} 복합체의 미세구조를 SEM-EBSP 법에 의해 결정기하학적으로 분석하였다. PLS법에 의해 소결된 복합체에서 {{{{ { ZrB}_{2 } }}}}의 (1010) 면은ND(시편에 수직인 방향)로 배향되었고, ZrC 경우 (101) 및 (111)면이 ND방향으로 배향되었다. 한편 SPS법에 위해 소결된 {{{{ { ZrB}_{2 } }}}}의 (0001)A면은 ND방향으로 강하게 배향되었다. ZrC인 경우 (001) 면만이 ND방향으로 배향되었다. PLS법에 의한 소결체의 결정립은 특정방위에 대해 약한 배향을 갖으면서, {{{{ { ZrB}_{2 } }}}}와 ZrC상 계면의 구조적 조화가 우수한 반면, SPS법에 의한 소결체의 결정립들은 특정방향으로 강하게 배향되는 경향을 보인다.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제31권1호
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• pp.196-198
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• 2010

• 한국결정성장학회지
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• 제3권2호
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• pp.167-175
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• 1993

여러 가지 탄소물질을 사용하여 변형된 스테인레스 금속재 Two-bulbs를 사용하여 Li-CIC를 합성하였다. 합성한 결과 출발물질의 구조적 특성에 따라 여러 가지 색깔의 층간화합물이 각각 형성되었다. 합성된 Li-CIC들은 X-선 회절법을 이용하여 출발물질의 결정화도에 따라 stage 형성과정을 확인하였다. 이들 결과에서 출발물질의 결정화도가 좋은 천연흑연과 흑연섬유는 낮은 stage(1 stage, 2 stage)가 형성되었고, 결정화도가 나쁜 탄소섬유와 석유계 코크스는 높은 stage(3 stage, 4 stage, 5 stage)가 얻어졌다. 또한 (hkl)회절선의 이값을 계산된 값과 비교하였을 때 이들 값들은 거의 일치하였다. 그러나 결정화도가 나쁜 경우 다소의 차이가 있음을 보이고 있다. 이들 Li-CIC에 대하여 UV/VIS 분광기를 사용하여 stage 안정성과 에너지 상태를 알수 있었다. X-선 회절법에 의한 결과와 UV/VIS 분광학적 데이터는 결정화도가 좋은 탄소물질은 에너지와 반사율의 관계곡선이 뚜렷하게 나타났음을 제시하였다. 이들 결과는 타소층과 층사이에 전하운반자와 관계가 있으며, 이들 성질이 삽입물질의 농도와 관계있음을 알수 있었다. 뿐만 아니라 본 연구는 Li-CIC의 삽입과정에서 고성능 에너지 저장제에 대한 정보를 역시 제공하여 준다.

• 한국결정성장학회지
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• 제13권5호
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• pp.211-216
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• 2003

The $Cu[SO_3(CH_2)_4SO_3$］ㆍ$4H_2O$ compound was synthesized. The three-dimensional structure of $Cu[SO_3(CH_2)_4SO_3$］ㆍ$4H_2O$ compound was determined. The copper atom is bridged by 4 oxygen atoms of 4 water molecules and 2 oxygen atoms of butanedisulfonate. The butyl chain in the plane of four copper atoms is oriented parallel and perpendicular to the one of plane axis, alternatively. Magnetic data indicate that this compound behaves a typical paramagnetic.

• 한국결정성장학회지
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• 제1권2호
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• pp.94-103
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• 1991

ZnO함량이 45~60mol%인 ZnO-$P_2O_5$계 유리를 $1200^{\circ}C$에서 용융한 후 열처리하여 결정화시켰다. 기초유리와 결정화시킨 시료의 기계적 성질, 전기적 성질 등을 X선 회절, FTIR, 밀도, 열팽창, 전기전도도, 미세경도 등을 측정하여 검토하였다. X선 회절분석 결과 ZnO의 함량이 45~55mol%인 결정화 유리에서는 주결정상이 메타인산아연[$Zn(PO_3)_2$]이었으며ZnO가 60mol%인 시료는 피로인산아연($Zn_2P_2O_7$)으로 나타났다. 열팽창계수와 직류전기전도도는 ZnO가 50~60mol%인 시료에서 결정상 방향에 따라 각기 다른 값을 나타났으며 이는 배향성 결정상이 존재함을 시사한다.

• 한국결정성장학회지
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• 제9권3호
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• pp.303-308
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• 1999

As a semiconductor material for electronic devices operated under extreme environmental conditions, silicon carbides(SiCs) have been intensively studied because of their excellent electrical, thermal and other physical properties. The growth characteristics of single-crystalline 4H-SiC homoepitaxial layers grown by a thermal chemical vapor deposition (CVD) were investigated. Especially, the successful growth condition of 4H-SiC homoepitaxial layers using a SiC-uncoated atmospheric pressure chamber and carried out using off-oriented substrates prepared by a modified Lely method. In order to investigate the crystallinity of grown epilayers, Nomarski optical microscopy, Raman spectroscopy, photoluninescence(PL), scanning electron microscopy(SEM) and other techniques were utilized. The best quality of 4H-SiC homoepitaxial layers was observed in conditions of growth temperature $1500^{\circ}C$ and C/Si flow ratio 2.0 of $C_{3}H_{8}\;0.2\;sccm\;&\;SiH_{4}\;0.3\;sccm$. The growth rate of epilayers was about $1.0\mu\textrm{m}/h$ in the above growth condition.

• 한국입자에어로졸학회지
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• 제6권1호
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• pp.21-27
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• 2010

New process consisting of electrospray and epitaxial crystal growth processes was applied to the preparation of c-plane oriented barium ferrite ($BaFe_{12}O_{19}$) thin film for high density magnetic recording media. Sodium citrate aided process was proper to preparation of amorphous $BaFe_{12}O_{19}$ nanoparticles with geometric mean diameter of 3 nm and geometric standard deviation of 1.1. The electrospray was applicable to the prepare of amorphous $BaFe_{12}O_{19}$ thin film on a substrate, and the film thickness could be controlled by adjusting the electrospray deposition time. The c-plane oriented $BaFe_{12}O_{19}$ thin film was successfully prepared by 3 step annealing process of the $BaFe_{12}O_{19}$ amorphous film on a sapphire($Al_2O_3$) substrate; annealing at $350^{\circ}C$ for 30 min, annealing at $500^{\circ}C$ for 30 min, and annealing at $700^{\circ}C$ for 60 min.

• 한국결정성장학회:학술대회논문집
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• 한국결정성장학회 1997년도 Proceedings of the 12th KACG Technical Meeting and the 4th Korea-Japan EMGS (Electronic Materials Growth Symposium)
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• pp.247-251
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• 1997

GaN films were grown on three differently oriented sapphire substates; (0001), (11-20), and (1-20). GaN films on the (0001) and (11-20) substates have a haxagonal structure and their growth rate was 0.6 $\mu\textrm{m}$/hr in both case. The film on the (1-102) substrate was too thin to identify its crystalline state. Growth rate was about the half of the others. Substrate orientation is one of the factor determining growth rate. The adhesion between GaN film and alumina substrate seems to be very good judging from the fractography.