Hydridonitrosyl complex의 촉매 활용 가능성과 반응 mechanism을 조사하기 위하여 $RuH(NO)(PPh_3)_3$와 RuH(NO)(etp)에 의한 ketone과 aldehyde의 수소화 반응을 연구하였다. 이 촉매들은 ketone과 aldehyde의 수소화 반응에 대하여 촉매 활성을 보이고 있으며, 활성은 기질의 입체장애 및 전자적 요인에 의존하고 있다. 즉, 입체 장애가 적을수록 촉매의 활성이 증가하며, 전자적 요인의 효과는 ketone의 경우 carbonyl carbon의 부분양전하의 양이 증가할수록, aldehyde의 경우는 carbonyl group의 double bond character가 강할수록 반응성이 증대되는 방향으로 나타나고 있다. 이러한 결과는 ketone과 aldehyde의 반응 mechanism이 다름을 반영하고 있다. 한편, RuH(NO)(etp)와 과잉의 $PPh_3$ 존재하에서 $RuH(NO)(PPh_3)_3$가 촉매 활성을 보이고 있음은 NO ligand의 결합방식의 변화를 통한 반응경로가 존재함을 확인하고 있다. 과잉의 $PPh_3$는 촉매와의 몰비가 변함에 따라 작용의 변화(ligand의 해리 방지 ${\rightarrow}$ 염기 ${\rightarrow}$ ligand)가 나타나며 촉매 활성에 영향을 미치고 있다. 이러한 결과를 이해하기 위하여 각 촉매에 대한 반응 mechanism을 제시하였다. 한편, 동일한 기질에 있어서 RuH(NO)(etp)의 활성은 항상 $RuH(NO)(PPh_3)_3$에 비하여 낮았으며 이는 주로 착물의 구조차이에 기인한 것으로 해석되며, 경쟁반응에 있어서는 olefin의 수소화 반응이 carbonyl group의 수소화 반응보다 선택적으로 진행되고 있다.
본 연구에서는 국내에서 사용중인 몇 가지 원예용 배지재료의 수분특성을 유럽표준배지분석법에 따라 수분보유곡선을 작성함으로써 살펴보았다. 유기성배지로는 피트모스, 코이어, 바크, 톱밥, 생왕겨를 사용하였고. 무기성배지로는 펄라이트. 팽화 버미큘라이트, 입상암면, 클레이볼을 사용하였다. 수분특성곡선은 유럽표준배지분석법을 사용하여 수두 변화에 따른 수분함랑(v/v)으로 작성하였다. 유기성배지 중 피트와 코이어는 유사한 수분특성을 나타내었으며 쉽게 이용 가능한 수분함량 (easily available water)이 30% 이상으로 식물생육에 적합한 보수성을 나타내었다. 반면 바크, 톱밥, 생왕겨와 무기성 배지들은 -10 cm의 낮은 수두하에서도 보유되는 수분함량이 매우 낮았고 식물이 쉽게 이용 가능한 수분함량 또한 매우 낮아 통기성은 충분하나 보수력이 부족하여 작물재배시 수분부족현상이 자주 발생할 것으로 보였다. 한편. 원예용 배지는 같은 종류의 배지라도 원산지에 따라 수분 특성에 차이를 보였으며, 입자가 미세하고, 시비 또는 부숙처리를 가한 것일수록 높은 수분보유능력을 나타내었다.
톨루엔, 자일렌 등 유기 용매에 녹는 에머랄딘 염 형태의 폴리아닐린-도데실벤젠술폰산 (PANI-DBSA) 이 한 단계 마이셀 유화 중합법에 의해 제조되었다. 유기 양성자산으로 DBSA가 사용되었으며, DBSA와 아닐린 단량체의 비율이 1.5:1의 중합 조건에서 용해도 및 전기적 특성이 가장 우수하였고, 이때 제조한 PANI-DBSA의 톨루엔에서 용해도는 8 wt% 정도이다. 이들은 유리 또는 플라스틱 필름 기판 위에 도포되어 필름 형상으로 얻어지며, 폴리우레탄 또는 폴리스티렌 등과도 쉽게 혼합되었다. 5 S/cm 이상의 전기 전도도와 500 nm 이하의 필름두께에서 70% 이상의 가시광선 투과도를 보이며, 필름의 표면상태가 수용액에서의 유화 중합법에 의해 제조되는 PANl-DBSA보다 매우 균일함을 AEM을 통해 관찰하였다. 반응생성물의 대부분은 톨루엔 용매에 용해되었지만 용해되지 않은 일부 PANI-DBSA은 50-400 nm크기의 입자로 유기 용매에 분산되어 있음이 확인되었고 이들 입자의 결정상태를 XRD를 통해 관찰하였다.
본 조사는 유기오염원으로 지적되고 있는 진해만내 수하식 양식장을 대상으로 저서생물상을 이용한 환경 평가를 실시하여 저서환경내 유기오염 양상을 측정하였다. 굴과 진주담치 양식장과 양식활동이 이루어지지 않은 대조구 등 세 개 정점을 대상으로 퇴적물 특성과 저서동물을 조사하였다. 세 지역 모두 평균 입도분포가 6.0~6.6Ф로 니질 퇴적상을 나타냈다. 퇴적물 내 유기물 함량은 진주담치 양식장이 2.8%로 놀게 나타났으며, 대조구의 경우 1.5%로 나타났다 총 7개 동물군, 79종의 저서동물이 채집되였으며, 대조구가 양식장에 비하여 저서생물의 종 다양성과 서식밀도가 높은 상이한 군집구조를 나타냈다. 특히, 굴과 진주담치 양식장에서는 퇴적물내 유기물 함량이 높은 지역에 나타나는 기회종으로 알려진 Lumbrlneris longlfolia, Heteromastus. filiformis, Corophium sinenie 등이 우점하였다. 계절별로 종조성과 서식밀도에서 다소 차이를 보임에도 불구하고, 생물상을 이용한 환경평가 결과에서는 진주담치 양식장의 경우 대조구나 굴 양식장에 비해 유기오염이 진행되고 있는 것으로 나타났다.
The advantage of OTFT technology is that large-area circuits can be manufactured on flexible substrates using a low-cost solution process such as inkjet printing. Compared to silicon-based inorganic semiconductor processes, the process temperature is lower and the process time is shorter, so it can be widely applied to fields that do not require high electron mobility. Materials that have utility as electrode materials include carbon that can be solution-processed, transparent carbon thin films, and metallic nanoparticles, etc. are being studied. Recently, a technology has been developed to facilitate charge injection by coating the surface of the Al electrode with solution-processable titanium oxide (TiOx), which can greatly improve the performance of OTFT. In order to commercialize OTFT technology, an appropriate method is to use a complementary circuit with excellent reliability and stability. For this, insulators and channel semiconductors using organic materials must have stability in the air. In this study, carbon-doped Mo (MoC) thin films were fabricated with different graphite target power densities via unbalanced magnetron sputtering (UBM). The influence of graphite target power density on the structural, surface area, physical, and electrical properties of MoC films was investigated. MoC thin films deposited by the unbalanced magnetron sputtering method exhibited a smooth and uniform surface. However, as the graphite target power density increased, the rms surface roughness of the MoC film increased, and the hardness and elastic modulus of the MoC thin film increased. Additionally, as the graphite target power density increased, the resistivity value of the MoC film increased. In the performance of an organic thin film transistor using a MoC gate electrode, the carrier mobility, threshold voltage, and drain current on/off ratio (Ion/Ioff) showed 0.15 cm2/V·s, -5.6 V, and 7.5×104, respectively.
de Wit, J.H.W.;van den Brand, J.;de Wit, F.M.;Mol, J.M.C.
Corrosion Science and Technology
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제7권1호
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pp.50-60
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2008
The majority of the described experimental results deal with relatively pure aluminium. Variations were made in the pretreatment of the aluminum substrates and an investigation was performed on the resulting changes in oxide layer composition and chemistry. Subsequently, the bonding behavior of the surfaces was investigated by using model adhesion molecules. These molecules were chosen to represent the bonding functionality of an organic polymer. They were applied onto the pretreated surfaces as a monolayer and the bonding behavior was studied using infrared reflection absorption spectroscopy. A direct and clear relation was found between the hydroxyl fraction on the oxide surfaces and the amount of molecules that subsequently bonded to the surface. Moreover, it was found that most bonds between the oxide surface and organic functional groups are not stable in the presence of water. The best performance was obtained using molecules, which are capable of chemisorption with the oxide surface. Finally, it was found that freshly prepared relatively pure aluminum substrates, which are left in air, rapidly lose their bonding capacity towards organic functional groups. This can be attributed to the adsorption of contamination and water to the oxide surface. In addition the adhesion of a typical epoxy-coated aluminum system was investigated during exposure to water at different temperatures. The coating was found to quite rapidly lose its adhesion upon exposure to water. This rapid loss of adhesion corresponds well with the data where it was demonstrated that the studied epoxy coating only bonds through physisorptive hydrogen bonding, these bonds not being stable in the presence of water. After the initial loss the adhesion of the coating was however found to recover again and even exceeded the adhesion prior to exposure. The improvement could be ascribed to the growth of a thin oxyhydroxide layer on the aluminum substrate, which forms a new, water-stable and stronger bond with the epoxy coating. Two routes for improvement of adhesion are finally decribed including an interphasial polymeric thin layer and a treatment in boiling water of the substrate before coating takes place. The adhesion properties were finely also studied as a function of the Mg content of the alloys. It was shown that an enrichment of Mg in the oxide could take place when Mg containing alloys are heat-treated. It is expected that for these alloys the (hydr)oxide fraction also depends on the pre-treatment and on the distribution of magnesium as compared to the aluminium hydroxides, with a direct impact on adhesive properties.
β-Ga2O3 has become the focus of considerable attention as an ultra-wide bandgap semiconductor following the successful development of bulk single crystals using the melt growth method. Accordingly, homoepitaxy studies, where the interface between the substrate and the epilayer is not problematic, have become mainstream and many results have been published. However, because the cost of homo-substrates is high, research is still mainly at the laboratory level and has not yet been scaled up to commercialization. To overcome this problem, many researchers are trying to grow high quality Ga2O3 epilayers on hetero-substrates. We used diluted SiH4 gas to control the doping concentration during the heteroepitaxial growth of β-Ga2O3 on c-plane sapphire using metal organic chemical vapor deposition (MOCVD). Despite the high level of defect density inside the grown β-Ga2O3 epilayer due to the aggregation of random rotated domains, the carrier concentration could be controlled from 1 × 1019 to 1 × 1016 cm-3 by diluting the SiH4 gas concentration. This study indicates that β-Ga2O3 hetero-epitaxy has similar potential to homo-epitaxy and is expected to accelerate the commercialization of β-Ga2O3 applications with the advantage of low substrate cost.
ITO가 코팅된 유리 기판 위에 플라즈마 중합법으로 styrene 고분자 박막을 제작하고 상부 전극을 진공 열증착법으로 제작된 Au 박막으로 한 MIM (metal-insulator-metal) 소자를 제작하였다. 또한, 플라즈마 중합된 styrene 고분자 박막을 유기 절연박막으로 하고 진공열증착법으로 pentacene 유기반도체 박막을 제작하여 유기 MIS (metal-insulator-semiconductor) 소자를 제작하였다. 플라즈마 중합법으로 제작된 styrene (ppS; plasma polymerized styrene) 고분자 박막은 styrene 단량체(모노머) 고유의 특성을 유지하면서 고분자 박막을 형성함을 확인하였으며, 통상적인 중합법으로 제작된 고분자 박막 대비 k=3.7의 높은 유전상수 값을 보였다. MIM 및 MIS 소자의 I-V 및 C-V 측정을 통하여 ppS 고분자 박막은 전계강도 $1MVcm^{-1}$에서 전류밀도 $1{\times}10^{-8}Acm^{-2}$ 수준의 낮은 누설전류를 보이고 히스테리시스가 거의 없는 우수한 절연체 박막임이 판명되었다. 결과적으로 유기박막 트랜지스터 및 유기 메모리 등 플렉서블 유기전자소자용 절연체 박막으로의 응용이 기대된다.
The use of preformed copolymers and their cross-linking have been attempted in order to improve the intrinsic fragility of monolayers and Langmuir-Blodgett (LB) films and to make their technological applications. It has shown that an imidization followed a polyion-complexation can stabilize the LB films against heat and solvents. And, when the polymer structure was properly designed, concurrent removal of the alkyl tails together with imide formation could be accomplished. In this paper, the monolayers of the polymers which were polyion-complexed with PAA at the air-water interface can be transferred onto solid substrates such as porous fluorocarbon membranes filter and quartz crystal microbalance. The properties of the monolayers and the LB films will be discussed by .pi.-A isotherms, FT-IR, DSC, deposition ratio, QCM, and SEM. In addition, it was attempted to investigate the response characteristics of polymer LB films to the organic gases by the use of QCM.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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