• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2006.07c
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• pp.1295-1296
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• 2006

수소화된 비정질 실리콘 박막 트랜지스터(a-Si:H TFT)의 이력 현상이 능동형 유기 발광 다이오드(Active-Matrix Organic Light Emitting Diode) 디스플레이 패널을 구동할 경우에, 발생할 수 있는 잔상(Residual Image) 문제를 단위 소자 및 회로에서 실험을 통하여 규명하였다. 게이트 시작 전압을 바꾸어 VGS-ID 특성을 측정할 경우, 게이트 시작 전압이 5V에서 시작한 VGS-ID 곡선이 10V에서 시작한 VGS-ID 곡선에 비해 왼쪽으로 0.15V 이동하였다. 이러한 결과는 게이트 시작 전압의 차이에 의해 발생한 트랩된 전하량(Trapped Charge) 변화로 설명할 수 있다. 또한, 인가하는 게이트 전압 간격을 0.5V에서 0.05V로 감소시켰을 때 전하 디트래핑 비율의 변화(Charge De-trapping Rate)로 인하여, 이력 현상(Hysteresis Phenomenon)으로 인한 단위 소자에서의 문턱전압의 변화가 0.78V에서 0.39V로 감소함을 관찰하였다. 제작된 2-TFT 1-Capacitor의 ANGLED 화소에서 (n-1)번째 프레임에서의 OLED 전류가 (n)번째 프레임에서의 OLED 전류에 35%의 전류오차를 발생시키는 것을 측정 및 분석하였다.

• Information Display
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• v.5 no.1
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• pp.25-30
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• 2004

Poly-Si TFT(Thin Film Transistor) technology are reviewed and discussed. Poly-Si TFTs fabricated on glass using low-temperature process were studied extensively for the application to LCD (Liquid Crystal Display) as well as to OLED(Organic Light Emitting Diode) Display. Currently, one of the application targets of the poly-Si TFT is emphasized on the highly functional SOG(System on Glass). Improvement of device characteristics such as an enhancement of carrier mobility has been studied intensively by enlarging the grain size. Reduction of the voltage and shrinkage of the device size are the trend of AM FPD(Active Matrix Flat Panel Display) as well as of Si LSI, which will arise a peculiar issue of uniformity for the device performance. Some approaches such as nucleation control of the grain seed or lateral grain growth have been tried, so far.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1499-1500
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• 2011

In this paper, we investigated the electrical properties change of 6,13-bis(triisopropyl-silylethynyl) pentacene (TIPS-pentacene) depending on polymer blend. We fabricated organic thin film transistor (OTFT) using blending solution of small molecule and polymer. In this study poly(2-methoxy-5-(2-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene-vinylene) (MEH-PPV), poly (9-vinylcarbazole) (PVK), poly [N,N'-bis(4-butylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)benzidine] (poly-TPD), poly(${\alpha}$-methyl styrene), Poly(methyl methacrylate) (PMMA) are used as a polymer. Fabricated OTFT with blending solution of TIPS-pentacene and PVK shows best performance in this experiment. OTFT fabricated by blending solution of TIPS-pentacene and PVK shows field effect mobility of 0.0189 $cm^2/V{\cdot}s$, on/off ratio of 1.9E-5 and threshold voltage of 7.4 V.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2011.07a
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• pp.1700-1701
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• 2011

본 논문에서는 게이트 절연막인 poly(4-vinylphenol) (PVP) 용제 농도 변화에 따른 유기 박막 트랜지스터를 제작하고 그 특성을 분석하였다. PVP는 propylene glycol monomethyl ether acetate(PGMEA) 와 poly melamine-co-formaldehyde (CLA)를 혼합하여 cross linked PVP를 만들어 사용하였다. Cross-liked PVP의 CLA 농도 비율을 각각 6 wt%, 9 wt%로 변화시켜 유기 박막 트랜지스터를 제작하고 소자의 전기적 특성을 분석 하였다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
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• 2003.03a
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• pp.40-40
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• 2003

일반적으로 액티브 매트릭스 구동용 스위칭 소자의 경우 Turn-on 시간은 프레임 주파수와 게이트 라인의 수에 반비례하므로 LCD의 화면이 대면적으로 갈수록 스위칭 주파수는 증가하고 이는 채널에서의 열적 효과(thermal effect)를 유도하게 된다. 그러므로 전도성 유기물이 LCD용 유기박막트랜지스터(Thin Film Transistor) 등의 부품으로서의 적절성을 판단하기 위하여는 이에 대한 열적 특성에 대한 검증이 필요하게 된다. 따라서 본 연구에서는 유기 TFT의 열설계에 있어서 필수적인 물질변수로 인식되는 열적 특성들을 측정 계산하였으며 이를 소자의 열적 모델링에 적용하였다. 실험물질로는 pentacene을 사용하였으며 열확산도는 레이저 플레쉬법을 이용하여 측정하였다. 별도로 측정된 비열ㆍ밀도 등의 물성특성을 이용하여 상온에서 200 C의 온도범위에서 pentacene의 열전도도를 계산하여 그 결과를 열적으로 해석하였다. 계산결과, pentacene의 열전도도는 상온에서 약 0.0024 W/cm K의 값을 나타내었고, 70 C 까지 증가하여 약 0.0035 W/cm K의 정점을 보인 후에 200 C 에서 약 0.0022 W/cm K의 낮은 값을 나타낼 때까지 계속 감소하였다 아울러 본 연구에서는 실제 소자응용 시 박막으로서의 pentacene의 응용을 고려하여 실제 박막형태에 대한 열전도를 측정하였으며 이를 레이저 플레쉬법으로 측정한 값과 비교ㆍ분석하였다.

• Proceedings of the Korean Society Of Semiconductor Equipment Technology
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• 2007.06a
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• pp.218-220
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• 2007

유기박막트랜지스터(organic thin film transistor, OTFT)의 게이트 절연막으로 PVP(poly-4-vinylphenol) 물질을 이용하여 MIM (metal-insulator-metal) 구조의 캐패시터 소자를 제작하였다. 유기 절연층의 형성은 ITO/Glass 기판 위에 PVP를 용질로, PGMEA(propylene glycol monomethyl ether acetate)를 용매로 사용하였다. 또한 열경화성 수지인 poly(melamine-co-formaldehyde)를 사용하여 cross-linked PVP 절연막을 합성하여 스핀코팅법으로 소자를 형성하였다. 제작된 소자에 대해 절연막 두께에 따른 전기적 특성을 조사한 결과 300 nm 에서 500 nm로 두께가 증가할수록 누설전류는 10.69 nA 에서 0.1 nA 로 크게 감소하였다. 또한 캐패시터 소자의 정전용량은 300 nm 의 두께에서 1.05 nF 으로 500 nm 의 두께에서의 0.65 nF 과 비교하여 보다 양호한 특성이 나타났다.

• Proceedings of the Polymer Society of Korea Conference
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• 2006.10a
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• pp.17-18
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• 2006

Flat Panel Displays (FPDs) have made a revolution in the display industry. TFT-LCD (Thin Film Transistor Liquid Crystal Display) has been the main player of FPD for last two decades. As the industry continuously develops the technology for better performance with lower cost is constantly demanded where several post LCD technologies are being developed. One of the prime candidates of post LCD technology is AMOLED (Active Matrix Organic Light Emitting Diode) that is considered to be an ideal FPD due to its extraordinary display performance and potentially low cost display structure. This technology has been accepted to small size display applications, such as cellular phone, PDA and PMP, etc. In this paper it is discussed that how this technology can be extended to large size display applications, such as TV. The technical issues and solutions of TFT backplane and color patterning of OLED materials are discussed and proposed

• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 2008.10a
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• pp.979-982
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• 2008

We studied hybrid passivation using parylene-C, metal, photoacyl and indium zinc oxide for pentacene OTFT to assure stability in subthreshold region. After the passivation, the changes in S and $V_{on}$ of OTFT were negligible and $I_{off}$ maintained its initial value of ${\sim}10^{-12}$ A. Therefore, the hybrid passivation is suitable for practical applications based on OTFT.

• Journal of Information Display
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• v.12 no.4
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• pp.213-217
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• 2011

Printing technologies were applied to fabricate a flexible organic thin-film transistor (OTFT) backplane for electrophoretic displays (EPDs). Various printing processes were adopted to maximize the figures of each layer of OTFT: screen printing combined with reverse offset printing for the gate electrodes and scan bus lines with Ag ink, inkjet for the source/drain electrodes with glycerol-doped Poly (3,4-ethylenedioxythiophene): Poly (styrenesulfonate) (PEDOT:PSS), inkjet for the semiconductor layer with Triisopropylsilylethynyl (TIPS)-pentacene, and screen printing for the pixel electrodes with Ag paste. A mobility of $0.44cm^2/V$ s was obtained, with an average standard deviation of 20%, from the 36 OTFTs taken from different backplane locations, which indicates high uniformity. An EPD laminated on an OTFT backplane with $190{\times}152$ pixels on an 8-in panel was successfully operated by displaying some patterns.

• Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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• v.21 no.10
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• pp.934-937
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• 2008

Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different metal electrode. So we need the effect of the substituent group attached to the phthalocyanine on the surface potential was investigated by Kelvin probe method with varying temperature of the substrate. We were obtained the positive shift of the surface potential for CuPc thin film. We observed the electron displacement at the interface between Au electrode and CuPc layer and we were confirmed by the surface potential measurement.