• 제목/요약/키워드: Optimum pressure ration

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Deposition of Epitaxial Silicon by Hot-Wall Chemical Vapor Deposition (CVD) Technique and its Thermodynamic Analysis

  • Koh, Wookhyun;Yoon, Deoksun;Pa, ChinHo
    • 한국결정성장학회:학술대회논문집
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    • 한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 14TH KACG TECHNICAL MEETING AND THE 5TH KOREA-JAPAN EMGS (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM)
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    • pp.173-176
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    • 1998
  • Epitaxial Si layers were deposited on n- or p-type Si(100) substrates by hot-wall chemical vapor deposition (CVD) technique using the {{{{ {SiH }_{ 2} {Cl }_{2 } - {H }_{ 2} }}}}chemistry. Thermodynamic calculations if the Si-H-Cl system were carried out to predict the window of actual Si deposition procedd and to investigate the effects of process variables(i.e., the deposition temperature, the reactor pressure, and the source gas molar ratios) on the growth of epitaxial layers. The calculated optimum process conditions were applied to the actual growth runs, and the results were in good agreement with the calculation. The expermentally determined optimum process conditions were found to be the deposition temperature between 900 and 9$25^{\circ}C$, the reactor pressure between 2 and 5 Torr, and source gad molar ration({{{{ {H }_{2 }/ {SiH }_{ 2} {Cl }_{2 } }}}}) between 30 and 70, achieving high-quality epitaxial layers.

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발전용 가스터빈에서의 Recuperative 사이클 적용성 검토 (Investigation on Recuperative Cycle Gas Turbine Engine for Power Generation)

  • 김수용;손호재;골든베르크
    • 한국추진공학회:학술대회논문집
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    • 한국추진공학회 2005년도 제24회 춘계학술대회논문집
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    • pp.225-230
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    • 2005
  • 리쿠퍼레이터 사이클을 적용하는 경우 단순사이클에 비하여 이론적으로 상당한 효율 증가를 가져올 수 있는 것으로 알려져 있으나 기기 내부의 압력손실, 열응력, 지나친 무게 증가 불리한 요소도 많이 있다. 그러므로 리쿠퍼레이터를 발전용 가스터빈에 적용하고자 하는 경우 리쿠퍼레이터가 가지는 여러 장단점을 고려하여 전체 수명 기간 중 경제적 타당성 측면에서 신중히 검토되어 져야 할 것으로 판단된다. 아직까지 산업 분야에서는 $20\sim300kW$급까지의 마이크로 터빈에서만 리쿠퍼레이터가 적용되고 있으며 그 이상 급의 가스터빈의 경우 지난 $40\sim60년대$ 해군에 잠시 시도된 외에 발전용으로는 거의 적용된 바가 없다. 본 논문에서는 이러한 발전용 리쿠퍼레이터 사이클의 적용성을 압력 손실, 부분부하 제어 등의 측면에서 검토하였다.

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