Journal of the Korean Society of Fisheries and Ocean Technology
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v.17
no.1
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pp.19-28
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1981
Accuracy of the position fix obtained by navigation with Omega in the capacity of worldwide navigation depends on the predicted propagation correction. The authors observe continuously the phase differences of the A-C pair and the A-E pair from April 17 to October 14, 1980, at Busan(35\ulcorner07'. 9N, 129\ulcorner06'. 3E), and analyze the characteristic of daily variation the relation between the theoretical PPC and the measu red PPC to study the accuracy of the position fix. The results are as follows: 1. The results of fourier's analysis for the theoretical PPC and the measured PPC are positive correlation in the coefficients ao, a2, a3 with A-C pair and in the coefficients aO-a3 with A-E pair, and those PPC are apparent to daily periodicity during all measured time. The initial phase is around to 280\ulcorner with A-C pair and 1800 with A-E pair. 2. Daily variatons of the phase difference tend to decrease and the time width to narrow from April toward July, but these variations are opposed to those from July toward October. 3. Mean value of total errors of the position fix by theoretical PPC is 2.67 miles and its standard deviationis O.90miles. 4. Mean value of total errors of the position fix by the measured PPC is 0.63 miles and its standard deviation is 0.217 miles.
The Journal of The Korea Institute of Intelligent Transport Systems
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v.7
no.1
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pp.68-74
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2008
The substrate integrated waveguide (SIW) structure can be approximated as the rectangular waveguide using common dielectric substrate with via-holes. To realize reflection-type resonator, $50-{\omega}$ microstrip line can be used for coupling with the center plane of the cavity. The oscillator is designed to operate at 9.45 GHz using the reflection-type SIW cavity resonator. The phase noise of oscillator shows -98.1dBc/Hz at 100 KHz offset. In experiment, the reflection type SIW cavity resonator improves the loaded quality factor making the low phase noise oscillator possible. Due to the entirely planar structure of this resonator, this technique can also be adequate in oscillator applications for a low cost and low phase noise performance.
Journal of information and communication convergence engineering
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v.11
no.3
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pp.147-152
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2013
A novel balun being the structure of a Wilkinson power divider is suggested and fabricated. One of the power dividing paths in the suggested balun uses a conventional ${\lambda}/4$ transmission line for $-90^{\circ}$ phase shifting, and the other path uses a composite right/left-handed -${\lambda}/4$ transmission line for $+90^{\circ}$ phase shifting with four series capacitors and three parallel inductors. In addition, the suggested balun uses two $50-{\Omega}$ resistors and a conventional $50-{\Omega}$ transmission line of ${\lambda}/2$ electrical length between the two output ports, achieving good isolation and reflection values of two balanced ports. The suggested balun is simulated by the advanced design system simulation program and fabricated on TLX-9 20-mil substrate. The fabricated balun has a very good values of $S_{11}$ = -27.46 dB, $S_{21}$ = -3.40 dB, and $S_{31}$ = -3.28 dB, a phase difference of $-179.5^{\circ}$, a magnitude difference of 0.12 dB, and a delay difference of 0.1 ns, with $S_{22}$ = -36.28 dB, $S_{33}$ = -27.19 dB, and $S_{32}$ = -25.2 dB at 1 GHz, respectively.
Journal of the Korean institute of surface engineering
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v.46
no.5
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pp.192-196
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2013
Stainless steels (AISI 316L) are carburized by Inductively coupled plasma using $CH_4$ and Ar gas. The ${\gamma}_c$ phase(S-phase) is formed on the surface of stainless steel after carburizing process. The XRD peak of carburized samples is shifted to lower diffracting angle due to lattice expansion. Overall, the thickness of ${\gamma}_c$ phase showed a linear dependence with respect to increasing temperature due to the faster rate of diffusion of carbon. However, at temperatures above 500, the thickness data deviated from the linear trend. It is expected that the deviation was caused from atomic diffusion as well as other reactions that occurred at high temperatures. The interfacial contact resistance (ICR) and corrosion resistance are measured in a simulated proton exchange membrane fuel cell (PEMFC) environment. The ICR value of the carburized samples decreased from 130 $m{\Omega}cm^2$ (AISI 316L) to about 20 $m{\Omega}cm^2$. The sample carburized at 200 showed the best corrosion current density (6 ${\mu}Acm^{-2}$).
The Journal of the Korea institute of electronic communication sciences
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v.13
no.6
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pp.1177-1182
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2018
We designed a 500W zero voltage switching DC / DC converter operating at 100Mhz with phase shift topology using UCC3895 driver. The dead time of the UCC3895 driver is designed so that the leading and lagging leg of the full bridge can be driven separately. So, the dead time can be given between the two legs separately. The dead time, which is an asymmetrical relationship between the two legs, enables the implementation of zero voltage switching. This paper proposed a negative feedback circuit design method for stable output voltage. The maximum efficiency of the prototype was 95.5% at $500{\Omega}$ load.
Journal of the Korea Institute of Information and Communication Engineering
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v.16
no.8
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pp.1581-1586
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2012
In this paper, a novel resonator using ring type DGS is proposed for improvement of phase noise characteristics that is weak point of oscillator using planar type microstrip line resonator, and oscillator for 5.8GHz band is designed using proposed DGS resonator. The ring type DGS resonator is composed of DGS cell etched on ground plane under $50{\Omega}$ microstrip line. At the fundamental frequency of 5.8GHz, 7.6dBm output power and -82.7 dBc@100kHz phase noise have been measured for oscillator with ring type DGS resonator. The phase noise characteristics of oscillator is improved about 9.5dB compared to one using the general ${\lambda}/4$ microstrip resonator. Because it is possible that varactor diode or lumped capacitor is placed on the gaps of ring type DGS, resonant frequency can be controlled by bias voltage. We can design voltage controlled oscillator using proposed ring type DGS resonator. Thus, due to its simple fabrication process and planar type, it is expected that the technique in this paper can be widely used for low phase noise oscillators for both MIC and MMIC applications.
Choe, Byung Hak;Shim, Jong Heon;Kim, Seung Eon;Hyun, Yong Taek;Park, Chan Hee;Kang, Joo-Hee;Lee, Yong Tai;Kim, Young Ouk
Korean Journal of Materials Research
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v.25
no.8
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pp.403-409
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2015
Metastable phase characteristics of beta Ti alloys were investigated to consider the relationship of the microstructure and diffraction pattern in TEM. TEM analysis showed that the microstructure was mottled as a modulated structure, and the diffraction pattern was composed of spot streaks between the main spots of a stable beta phase with a specific lattice relationship. The modulated structure may be induced by short distance slip or atom movement during a very short interval of solution treated and quenched (STQ) materials. The athermal ${\omega}$ phase, which could be precipitated at low temperature aging, is also analysed by the metastable phase. The metastable phases including athermal ${\omega}$ phase had a common characteristic of hardened and brittle behavior because the dislocation slip was restricted by a super lattice effect due to short distance atom movement at the metastable state.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.31A
no.9
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pp.128-138
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1994
In 1.55.mu.m DFB lasers with two non-AR mirrors, I have analyzed the effect of the sturctures of indes and/or gain gratings and mirror positions on the threshold gains, the lasing frequencies, and the beam profiles in longitudinal direction of lasers. I have obtained the optimum condition of static characteristics that ${\Delta}{\Omega}$(the phase difference betweeen index grating and gain grating is 3${\pi}$/4, $({\kappa}L)_{i}$=4~6 in case of $({\kappa}L)_{i}$=0.9 and $({\kappa}L)_{i}$=3~5 in case of $({\kappa}L)_{i}$=0.7. The modal selectivity and intensity uniformity of this optimum condition are 2~2.5 times better than those of the gain-coupled DFB lasers ${\Delta}{\Omega}$=0). The gain-coupled DFB lasers${\Delta}{\Omega}$=0) have 10$^{10) times better modal selectivity and intensity uniformity than the loss-coupled DFB lasers(TEX>${\Delta}{\Omega}$=${\pi}$).
Journal of the Korean Institute of Intelligent Systems
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v.26
no.4
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pp.273-278
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2016
In this paper, chaotic circuit of the Lorentz system using multipliers, operational amplifiers, capacitor, fixed resistor and variable resistor for control has been designed in a electronic circuit. Through PSPICE program, electrical characteristics such as time waveforms, frequency spectra and phase attractors analyzed. And in the special area ($10{\sim}100k{\Omega}$) of the $500k{\Omega}$ control variable resistor, the circuit showed chaotic dynamics. Also, we implemented the circuit in a electronic hardware system with discrete elements. Measured results of the circuit coincided with simulated data.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.6
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pp.297-301
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2006
In the present work, we investigate the characteristics of new composition material, chalcogenide $Ge_1Se_1Te_2$ material in order to overcome the problems of conventional PRAM devices. The Tc of $Ge_1Se_1Te_2$ bulk was measured $231.503^{\circ}C$ with DSC analysis. For static DC test mode, at low voltage, two different resistances are observed. depending on the crystalline state of the phase-change resistor. In the first sweep, the as-deposited amorphous $Ge_1Se_1Te_2$ showed very high resistance. However when it reached the threshold voltage(about 11.8 V), the electrical resistance of device was drastically reduced through the formation of an electrically conducting path. The phase transition between the low conductive amorphous state and the high conductive crystal]me state was caused by the set and reset pulses respectively which fed through electrical signal. Set pulse has 4.3 V. 200 ns. then sample resistance is $80\sim100{\Omega}$. Reset pulse has 8.6 V 80 ns, then the sample resistance is $50{\sim}100K{\Omega}$. For such high resistance ratio of $R_{reset}/R_{set}$, we can expect high sensing margin reading the recorded data. We have confirmed that phase change properties of $Ge_1Se_1Te_2$ materials are closely related with the structure through the experiment of self-heating layers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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