• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제10권10호
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• pp.1016-1021
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• 1997

Magneto resistance properties in spin-valve sandwiches with various thickness of nanmagnetic layer in contact with the ferromagnetic NiFe film were investigated. The NiFe layer in contact with the NiO film was pinned by strongly exchange-biased coupling and the free NiFe layer at the film surface induced a sharp change in the magnetoresistance at -5~15Oe due to small coercivity. The NiO/NiFe/Cu/NiFe film showed a magnetoresistance ratio in the range of 2.3~2.9% and a field sensitivity above 2.2%/Oe with various of nonmagnetic layer. The NiO/NiFe/Cu/NiFe film of the field sensitivity above 2.2%/Oe suggests stang possibility of magnetic sensor matter.

• Journal of Magnetics
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• 제6권3호
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• pp.83-85
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• 2001

The magnetoresistance properties of NiO/NiFe/Cu/NiFe spin valve film deposited on MgO(100) substrate with YBa$_2$$Cu_3O_7$(YBCO) film were investigated at room temperature and at 77 K. The magnetoresistance (MR) curves of the hybrid superconductor-magnetoresistor film structure showed an exchange coupling field of 300 Oe and an inverse magnetoresistance ratio of -6.5%. The magnetization configurations of the two magnetic layers in the NiO spin valve were antiparallel due to an increment in the conduction electron flow to superconductor YBCO film. This sample showed an inverse MR ratio.

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 1997년도 추계연구발표회 논문개요집
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• pp.22-23
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• 1997

• 한국자기학회지
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• 제7권5호
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• pp.265-273
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• 1997

연자성 자유자성층과 피속박자성층을 각각 2중층 Ni$_{81}$fe$_{19}$/ $Co_{90}$ Fe$_{10}$와 $Co_{90}$ Fe$_{10}$로 하고, 반강자성 속박층을 NiO로 하는 NiFe/CoFe/Cu/CuFe/NiO 구조를 갖는 spin-valve 박막을 sputtering 방법으로 유리기판위에 제작하고, 자기저항비(MR), 자기장감응도(field sensitivity), 반강자성층과 피속박자성층사이의 교환결합 자기장(exchange coupling field), 자유자성층과 피속박자성층사이의 층간결합자기장(interlayer coupling field) 등의 비자성 사이층 Cu 두께, 자유자성층두께, 피속박자성층 두께 및 반강자성층 두께 의존성을 조사하였다. 2중층 자유자성층에 연자성 NiFe가 20 .angs. 이상 포함됨으로써 10 Oe의 보자력을 가져 연자성특성을 향상시키는 것을 확인할 수 있었다. Cu의 두께가 30 .angs. 일 때 극대 MR비를 가졌으며 두께증가에 따라 감소하는 경향을 보였다. 피속박자성층 CoFe의 두께가 35 .angs. 일 때 그대 MR비 6.3%를 나타내며 두께증가에 따라 감소하며 교환결합자기장도 CoFe 두께가 증가함에 따라 감소하였다. NiO 두께가 800 .angs. 일 때 극대 MR비를 보이며 교환결합자기장은 두께증가에 따라 50 Oe 정도로 포화되어 NiO가 반강자성 특성을 유지하기 위해서는 일정한 두께이상이 되어야 함을 알 수 있었다. 열처리온도 200 .deg. C 까지는 MR비 5.3%를 유지하다 이보다 높하지면 점점 감소하여 300 .deg. C에서도 약 3% 정도를 유지하여 열적 안정성이 향상되었다. 따라서 CoFe 합금을 사용하여 NiFe(40 .angs. )/CoFe(50 .angs. )/Cu(30 .angs. )/CoFe(35 .angs. )/NiO(800 .angs. ) 구조를 갖는 spin-valve 박막은 극대 MR비 6.3%, 유효자기장감응도 약 0.5(%/Oe)를 보여 spin-valve head 재료로 적합함을 알 수 있었다.다.다.다.

• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제9권10호
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• pp.1060-1065
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• 1996

We have studied the magnetoresistance phenomena on spin valve thin films of antiferromagnetic NiO/CoO. Interlayer coupling oscillates between the antiferrocoupling and ferrocoupling with the variation of Cu thickness. The exchange coupling strength between NiO (antiferromagnetic) and NiFe(ferromagnetic) as a function of NiO texture and interface roughness is investigated by CoO insertion. CoO has significantly higher anisotropy in the (111) plane and interface roughness. It seems that the MR-ratio is increased by CoO inserted films. From the AFM and XRD data, the increase of MR-ratio and exchange field is influenced by the roughness of CoO.

• 한국자기학회지
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• 제7권5호
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• pp.258-264
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• 1997

DC/RF 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Corning glass 위에 증착된 NiO/NiFe/Cu/NiFe 스핀밸브 박막에서 반강자성체 NiO와 강자성층 NiFe 사이의 교환결합력( $H_{ex}$)과 보자력( $H_{c}$), 그리고 두 NiFe 강자성층간의 사잇층 결합력( $H_{int}$)에 대해 고찰하였다. 사잇층 Cu의 두께증가에 따라 자성층간의 $H_{int}$는 서서히 감소하였고, $H_{ex}$는 거의 90 Oe로 일정한 값을 보였다. NiO와 교환 결합한 NiFe의 두께증가에 따라 $H_{ex}$는 감소하였으나, $H_{int}$는 80 Oe 까지 유지하다 감소하였다. 또한 NiO와 교환 결합되지 않은 NiFe 자성층의 두께 증가에 따라서는 $H_{ex}$의 값이 거의 변화하지 않았고, $H_{int}$는 두께에 따라 서서히 증가하는 결과를 보였다.결과를 보였다.를 보였다..

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2001년도 춘계연구발표회 논문개요집
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• pp.120-121
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• 2001

• 한국자기학회:학술대회 개요집
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• 한국자기학회 2001년도 추계연구발표회 논문개요집
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• pp.44-45
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• 2001

• Journal of Magnetics
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• 제14권1호
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• pp.18-22
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• 2009

The shape anisotropy effect of a giant magnetoresistance-spin valves (GMR-SV) device with a glass/NiO/NiFe/CoFe/Cu/CoFe/NiFe layered structure for use in the detection of magnetic property of molecules within a cell was investigated. The patterned device was given uniaxial anisotropy during the sputtering deposition and vacuum post-annealing, which was performed at $200^{\circ}C$ under a 300 Oe magnetic field. The pattern size of the device, which was prepared through the photolithography process, was $2{\times}15\;{\mu}m^2$. The experimental results confirmed that the best design for a GMR-SV device to be used as a biosensor is to have both the axis sensing current and the easy axis of the pinned NiO/NiFe/CoFe triple layer oriented in the direction of the device's width, while the easy axis of the free CoFe/NiFe bilayer should be pointed along the long axis of the device.

• 한국자기학회지
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• 제17권4호
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• pp.156-161
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• 2007

어레이(away) 자성센서 개발을 위해 고진공 스퍼터링 증착장비를 이용하여 스펙큘러형(specular type) Glass/Ta(5)/NiFe(7)/IrMn(10)/NiFe(5)/$O_2$/CoFe(5)/Cu(2.6)/CoFe(5)/$O_2$/NiFe(7)/Ta(5)(nm) 거대자기저항-스핀밸브(giant magnetoresistive-spin valves; CMR-SV)박막을 제작하였다. 다층박막 시료를 $20{\times}80{\mu}m^2$의 미세 활성영역을 가진 15개 어레이를 $8{\times}8mm^2$ 영역 내에 최적화한 제작 조건으로 광 리소그래피 패터닝 하였다. Cu를 증착하여 만든 2단자 전극법으로 측정한 자성특성은 15개 모든 소자들이 균일한 자기저항특성을 나타내었고, 5 Oe 근방에서 가장 민감한 자기저항비 자장민감도와 출력전압들은 각각 0.5%/Oe, ${\triangle}$V: 3.9 mV이었다. 형상자기이방성이 적용된 상부 자유층 $CoFe/O_2/NiFe$층은 하부 고정 자성층 $IrMn/NiFe/O_2/CoFe$층 자화 용이축과 직교하였다. 측정시 인가전류 값을 각각 1 mA에서 10 mA까지 인가하였을 때 출력 작동 전압 값은 균일하게 증가하였으며, 자장감응도도 거의 일정하여 미세 외부자장에 민감한 나노자성소자로서 좋은 특성을 띠었다.