Native oxide layer on MCT (HgCdTe) has been grown uniformly in H$\_$2/O$\_$2/ electrolyte through anodic oxidation method. It has been determined that anodic oxidation of HgCdTe in H$\_$2/O$\_$2/ electrolyte proceeds immediately with the input of constant currents without any induction time required for anodic oxideation in KOH electrolyte. Oxide layer with the resistivity of 2*10$\^$10/.ohm.cm and the refractive index of 2.1 suggested the possibility of well matching combination layer with ZnS for MCT MIS device. XPS results indicated that the major components of oxide layer grown in H202 solution is TeO$\_$2/ with the possibility of small amounts of CdTeO$\_$3/.
유과 제조 시 제조 시간을 단축할 수 있는 소재를 개발하기 위하여 찹쌀 전분을 propylene oxide(PO)와 반응시켜 하이드록시프로필화 찹쌀 전분을 제조하고 이들의 이화학적 특성을 연구하였다. 하이드록시프로필화 찹쌀 전분의 치환율은 0.013-0.115% 정도로 나타났으며, 팽윤력 및 용해도는 일반 찹쌀 전분에 비해 약간 증가되는 경향을 보였다. 등온흡습곡선에서는 하이드록시프로필화에 따른 유의적인 차이를 보이지는 않았다. Rapid Visco Analyzer(RVA)특성을 검토한 결과, 호화개시온도는 하이드록시프로필화에 따른 변화가 없는 것으로 나타났으며, 최대 점도, holding strength, final viscosity는 일반 찹쌀 전분보다 높아지는 결과를 나타냈다. 열적특성에서는 호화개시온도, 호화종결온도 그리고 호화온도범위$({\Delta}T)$는 각 전분간에 유의적인 차이가 나타나지 않았으나 최대호화온도와 증가된 결과을 보여주었다. X-ray 회절 분석 결과로 볼 때, 하이드록시프로필화 찹쌀 전분 및 일반 찹쌀 전분 모두 A형의 결정 형태를 나타내었고, 상대적 결정화도의 차이가 나타나지 않는 것으로 보아 하이드록시프로필화가 찹쌀 전분의 결정형영역에는 영향을 주지 않는 것으로 보여진다. 하이드록시프로필화 찹쌀 전분을 사용하여 제조한 유과의 경우 일반 찹쌀을 장시간 침지 후 제조한 사료보다 낮은 팽화율과 색의 변화를 나타내어 유과제조용 소재로서는 부적합한 것으로 판단되었다.
12개 지역의 한국자생차 향기성분을 기체크로마토그래프 및 질량분광계를 이용하여 분석한 결과는 다음과 같다. 다엽중의 향기성분으로 70~80개 성분을 GC를 이용해 분리할수 있었고, 그중 52개 성분은 GC/MSD로 동정하였는데, 이들을 분류하면 alcohol류 19종, aldehyde류 5종, hydrocarbon류 2종, ketone류 6종, ester류 4종, lactone류 3종, acid류 2종, phenol류 3종, pyrazine류 4종, 그리고 질소화합물 4종이였다. 이중 geraniol, linalool oxide, 1-hexanol, ehtanol등이 주요 향기 성분이었다.
HF 세정후 자연 산화막의 존재가 급속 열처리 장비를 이용, 아르곤 분위기에서 열처리할 때 티타늄 실리사이드 형성을 관찰하였다. 고분해능 단면 투과 전자 현미경 관찰 결과 기판 온도가 상온일 때 자연산화막(native oxide)이 존재함을 확인하였으며 기판 온도가 40$0^{\circ}C$일 때는 실리콘 기판과 티타늄 박막의 계면 부위에서 자연산화막, 티타늄 및 실리콘이 혼합된 비정질층이 존재함을 확인하였다. 티타늄을 증착하는 동안 기판 온도를 40$0^{\circ}C$로 유지했을 때는 C54~$TiSi_2$상이 형성되는데 요구되는 급속 열처리(Rapid Thermal Annealing : RTA)온도가 기판 온도를 상오느로 유지 했을 때보다 $100^{\circ}C$정도 감소함을 확인하였다. 이 같은 결과는 산소불순물을 함유한 비정질 층이 핵생성 자리를 제공하여 이 상의 형성이 촉진된다는 사실을 말한다. 기판온도 $400^{\circ}C$에서 형성된 티타늄 실리사이드막의 경우 비저항 $\mu$$\Omega$cm임을 확인하였다.
녹두, 고구마, 물밤 전분에 propylene oxide를 0~18% 첨가하여 하이드록시프로필화 전분을 제조하여 하드캡슐 제조시 젤라틴 대체제로서의 가능성을 검토하였다. RVA 시험결과 propylene oxide 첨가량이 증가할수록 호화온도와 setback은 감소했고 최고 점도와 breakdown은 증가하였다. 팽윤력은 녹두의 경우 propylene oxide 양이 12% 이상 첨가되었을 때 급격히 증가하였고 고구마와 물밤은 9% 첨가했을때부터 증가하기 시작하였다. 투명도는 녹두가 다른 전분보다 가장 높았으며 propylene oxide 첨가량에 유의적으로 증가했고 고구마와 물밤의 경우 하이드록시프로필화 전분이 일반 전분보다는 증가했으나 propylene oxide의 양에 따른 경향성은 보이지 않았다. 붕해도 시험에서는 물밤의 경우 propylene oxide 6% 이상 첨가하였을 때 완전히 용해되었고 녹두와 고구마는 12% 이상 첨가되었을 때 완전히 용해되었다. 본 실험에서는 하이드록시프로필화 전분이 젤라틴 또는 동물성단백질을 기본으로 제조된 하드캡슐의 대체제로써 의약 산업에서 활용될 수 있는 가능성을 보여주었다. 본 연구결과를 토대로 하이드록시프로필화 전분 필름의 물성, 온도와 pH에 따른 붕해도 실험등이 추가 연구된다면 전분 하드캡슐로 상용화도 가능할 것이라 생각된다.
We investigated cleaning effects using $NH_4OH$ solution on the surface of Cu film. A 20 nm Cu film was deposited on Ti / p-Si (100) by sputter deposition and was exposed to air for growth of the native Cu oxide. In order to remove the Cu native oxide, an $NH_4OH$ cleaning process with and without TS-40A pre-treatment was carried out. After the $NH_4OH$ cleaning without TS-40A pretreatment, the sheet resistance Rs of the Cu film and the surface morphology changed slightly(${\Delta}Rs:{\sim}10m{\Omega}/sq.$). On the other hand, after $NH_4OH$ cleaning with TS-40A pretreatment, the Rs of the Cu film changed abruptly (${\Delta}Rs:till{\sim}700m{\Omega}/sq.$); in addition, cracks showed on the surface of the Cu film. According to XPS results, Si ingredient was detected on the surface of all Cu films pretreated with TS-40A. This Si ingredient(a kind of silicate) may result from the TS-40A solution, because sodium metasilicate is included in TS-40A as an alkaline degreasing agent. Finally, we found that the $NH_4OH$ cleaning process without pretreatment using an alkaline cleanser containing a silicate ingredient is more useful at removing Cu oxides on Cu film. In addition, we found that in the $NH_4OH$ cleaning process, an alkaline cleanser like Metex TS-40A, containing sodium metasilicate, can cause cracks on the surface of Cu film.
Ge is a promising candidate to replace Si in MOSFET because of its superior carrier mobility, particular that of the hole. However Ge oxide is thermodynamically unstable. At elevated temperature, GeO is formed at the interface of Ge and GeO2, and its formation increases the interface defect density, degrading its device performance. In search for a method to surmount the problem, we investigated Ge oxidation through an inert capped oxide layer. For this work, we prepared low doped n-type Ge(100) wafer by removing native oxide and depositing a capping layer, and show that GeO2 interface can be successfully grown through the capping layer by thermal oxidation in a furnace. The thickness and quality of thus grown GeO2 interface was examined by ellipsometry, XPS, and AFM, along with I-V and C-V measurements performed at 100K to 300K. We will present the result of our investigation, and provide the discussion on the oxide growth rate, interface state density and electrical characteristics in comparison with other studies using the direct oxidation method.
Phylogenetic and amino acid sequence analysis indicated that rice allene oxide synthase-1 (OsAOS1) is CYP74, and is clearly distinct from CYP74B, C and D subfamilies. Regio- and stereo-chemical analysis revealed the dual substrate specificity of OsAOS1 for (cis,trans)-configurational isomers of 13(S)- and 9(S)-hydroperoxyoctadecadienoic acid. GC-MS analysis showed that OsAOS1 converts 13(S)- and 9(S)-hydroperoxyoctadecadi(tri)enoic acid into their corresponding allene oxide. UV-Visible spectral analysis of native OsAOS1 revealed a Soret maximum at 393 nm, which shifted to 424 nm with several clean isobestic points upon binding of OsAOS1 to imidazole. The spectral shift induced by imidazole correlated with inhibition of OsAOS1 activity, implying that imidazole may coordinate to ferric heme iron, triggering a heme-iron transition from high spin state to low spin state. The implications and significance of a putative type II ligand-induced spin state transition in OsAOS1 are discussed.
치환제인 PO 농도(2%, 6%, 12%)를 달리하여 제조한 하이드록시프로필화 쌀전분에 가교제인 $POCl_{3}$ 농도(0.005%, 0.02%)를 달리하여 처리한 HPCL 쌀전분을 제조하고, HPCL 쌀전분의 용해도, 팽윤력, pasting 특성 및 열적 특성을 연구하였다. 팽윤력은 일반 쌀전분 보다 다소 낮은 온도에서 증가되기 시작하였으나 그 이후는 모두 낮은 수치를 보여 HPCL 쌀전분이 일반 쌀전분보다 완만한 상승을 나타내었다. 용해도는 HPCL 쌀전분이 일반 쌀전분보다 전체적으로 낮은 값을 나타내었다. 한편 PO 함량이 증가할수록 팽윤력과 용해도 모두 증가하는 경향을 나타내었다. RVA pasting분석 결과, HPCL 쌀전분의 경우 일반 쌀전분보다 최고 점도는 낮아졌고 holding strength와 finalviscosity는 높은 경향을 나타내었으며, breakdown은 낮아지고 setback은 높은 것으로 나타났다. 열적 특성 분석 결과 HPCL 쌀전분의 경우 일반 쌀 전분보다 낮은 $T_{o}, T_{p}, T_{c}$ 및 ${\Delta}H$를 나타내었으며, $POCl_{3}$ 함량이 적을수록 감소폭이 더 큰 것으로 나타났다. 따라서 HPCL 쌀전분의 경우 RVA pasting 특성은 PO 첨가량, 즉 하이드록시프로필화에 따른 영향이 크다고 볼 수 있고 DSC 열적특성은 하이드록시프로필화 및 가교화 모두 영향을 미치는 것으로 생각된다.
$POCl_{3}$ 농도(0.005%, 0.02%)를 달리한 가교화 쌀전분에 PO(2%, 6%, 12%)를 처리하여 가교화 후하이드록시프로필화(CLHP) 쌀전분을 제조하고, 변성된 CLHP 쌀전분의 용해도, 팽윤력, RVA, DSC 특성을 연구하였다. 팽윤력은 일반 쌀전분 보다 다소 낮은 온도에서 일찍 증가되기 시작하였으나 그 이후에 모두 낮은 수치를 보여 CLHP 쌀전분이 일반 쌀전분보다 완만한 상승을 나타내었고 용해도는 CLHP 쌀전분이 일반 쌀전분보다 전체적으로 낮은 결과를 나타내었다. RVA 분석결과 CLHP 쌀전분의 최고점도는 일반 쌀전분보다 낮아졌고 holding strength와 final viscosity는 높은 경향을 나타내었고, breakdown은 낮아지고 setback 은 높은 것으로 나타났다. DSC 분석 결과 CLHP 쌀전분의 $T_o$, $T_p$, $T_c$가 일반 쌀전분보다 낮게 나타났으며, ${\Delta}H$ 역시 작은 값을 보였으며 $Pol_{3}$ 함량에 따른 차이, 즉 가교화에 의한 차이는 크지 않았다. 따라서 가교화 후 하이드록시프로필화 한 쌀전분의 경우 RVA점도 특성은 가교화에 의한 영향이 크고 하이드록시프로필화에 따른 영향이 작다고 볼 수 있었으며, DSC열적특성은 가교화에 의한 영향으로 하이드록시프로필화가 원활하지 않았던 것으로 생각된다. 즉 인산기에 의해 강해진 전분 입자에 의해 하이드록시프로필기의 치환이 덜 일어난 것으로 판단된다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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