• 한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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• 한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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• pp.1527-1530
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• 2009

A LCoS micro-display using polymer dispersed liquid crystals (PDLCs) for light switching layer was fabricated. The Si backplane of SVGA ($800{\times}600$) with a pixel size of $14{\times}14mm^2$ was prepared by a $0.35{\mu}m$ 18V CMOS process. PDLCs were filled in the gap between backplane and ITO glass by conventional vacuum filling method. The prepared panels were driven by a field sequential color (FSC) scheme at the frequency of 180Hz and were successful in modulating LED lights to show projection images. The preparation and performance of PDLC-LCoS are presented.

• 한국고분자학회지:고분자과학과기술
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• 제24권4호
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• pp.347-351
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• 2013

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제32권4호
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• pp.1415-1418
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• 2011

• Macromolecular Research
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• 제16권6호
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• pp.570-573
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• 2008

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• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권1호
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• pp.10-15
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• 2006

Various sizes of erbium/platinum silicided n/p-type Schottky barrier metal-oxide-semiconductor field effect transistors (SB-MOSFETs) are manufactured from $20{\mu}m$ to 10nm. The manufactured SB-MOSFETs show excellent DIBL and subthreshold swing characteristics due to the existence of Schottky barrier between source and channel. It is found that the minimization of trap density between silicide and silicon interface and the reduction of the underlap resistance are the key factors for the improvement of short channel characteristics. The manufactured 10 nm n-type SBMOSFET showed $550{\mu}A/um$ saturation current at $V_{GS}-V_T$ = $V_{DS}$ = 2V condition ($T_{ox}$ = 5nm) with excellent short channel characteristics, which is the highest current level compared with reported data.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2007년도 제33회 하계학술대회 초록집
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• pp.307-307
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• 2007

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제30권12호
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• pp.3137-3140
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• 2009

• 한국염색가공학회:학술대회논문집
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• 한국염색가공학회 2009년도 학술발표대회
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• pp.104-105
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• 2009

• 멤브레인
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• 제19권2호
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• pp.150-156
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• 2009

Polysulfone막의 효율을 향상시키기 위하여 막에 브롬화 시킨 후 막의 구조 및 기체투과 특성에 대해 연구하였다. 막의 특성은 FT-IR, 1H-NMR, TGA, Contact angle 등을 사용하여 조사하였고, 브롬화된 막의 기체투과 특성을 알아보기 위해 He, $N_2,\;CO_2,\;O_2$를 사용하였다. 브롬화된 Polysulfane막의 기체투과결과 브롬의 양이 증가할수록 투과도는 감소하고 투과 선택도는 증가하는 결과를 얻을 수 있었다. 그 중 질소는 불소화에 따라서 가장 큰 영향을 받아 투과도가 최고 36%까지 낮아지는 결과를 나타내었으며, 이산화탄소에 대한 질소의 투과선택도는 15% 이상의 매우 향상된 결과를 나타내었다.

• 멤브레인
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• 제20권4호
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• pp.335-341
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• 2010

본 연구에서는 음이온교환막 개발에 관한 것으로 poly(ethylenimine) (PEI) / poly(vinyl alcohol) (PVA)의 혼합비율에 따라 막을 제조하였다. 제조된 막의 특성화를 평가하기 위하여 함수율, 접촉각, FT-IR, 이온교환용량, 이온전도도, 열 중량분석, 탄성계수 측정을 실시하였다. 이온전도도 측정 결과 PVA/PEI의 함량이 90 : 10으로 제조된 막의 경우 $5.16{\times}10^{-2}S/cm$의 값을 나타내어 우수한 음이온전도도를 나타내었으며 접촉각 측정 결과 PEI의 함량이 증가함에 따라 막표면의 소수성이 $78.3^{\circ}$까지 함께 증가하는 결과를 나타내었다. 또한 열에 대한 안정성은 PVA의 우수한 성질을 변화시키지 않았으며 탄성계수 측정을 통해 고강도 기계적 물성을 확인할 수 있었다.