Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권4호
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pp.216-220
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2013
The etching characteristics of indium zinc oxide (IZO) in $Cl_2/Ar$ plasma were investigated, including the etch rate and selectivity of IZO. The IZO etch rate showed non-monotonic behavior with increasing $Cl_2$ fraction in the $Cl_2/Ar$ plasma, and with increasing source power, bias power, and process pressure. In the $Cl_2/Ar$ (75:25%) gas mixture, a maximum IZO etch rate of 87.6 nm/min and etch selectivity of 1.09 for IZO to $SiO_2$ were obtained. Owing to the relatively low volatility of the by-products formation, ion bombardment was required, in addition to physical sputtering, to obtain high IZO etch rates. The chemical state of the etched surfaces was investigated with X-ray photoelectron spectroscopy. These data suggested that the IZO etch mechanism was ion-enhanced chemical etching.
Norov, Erdene;Jeong, Hyeon-Ho;Park, Jae-Hyoung;Lee, Seung-Ki;Jeong, Dae Hong
Rapid Communication in Photoscience
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제2권2호
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pp.46-51
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2013
This study reports a fiber-optic sensor detecting biomolecule by simultaneously monitoring localized surface plasmon resonance (LSPR) from gold nanoparticles (Au NPs) of ca. $50{\pm}5$ nm attached on one end of optical fiber and surface enhanced Raman scattering (SERS) of the reporter molecules adsorbed on the gold surfaces as an additional sensing tool. The sensor was fabricated by immobilizing Au NPs on one end of an optical fiber by chemical reaction. LSPR and SERS signals of the sensor were measured using various refractive indices solutions. Finally, the sensor was applied to observe real-time LSPR sensor-gram and SERS spectra of the reporter molecule of 4-aminothiphenol during the antibody-antigen reaction of interferon-gamma (IFN-${\gamma}$) as a proof-concept experiment of biological applications.
Park, Kyung-Ho;Lee, Gak-Seok;Kim, Jae-Chang;Yoon, Tae-Hoon;Kim, Jin-Hwan;Yu, Jae-Ho;Choi, Hwan-Young
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.614-615
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2009
For the high reflectance under the ambient light condition, a highly efficient diffractive reflector has been proposed, based on a micro grating structure.[1] This reflector was designed to show highly concentrated distribution of the reflected light to the normal direction of the reflector under specific incident conditions of the light. In order to apply a diffractive reflector to a reflective liquid crystal display, the coupling between the viewing angle characteristics of a liquid crystal (LC) cell and the reflective distribution of the reflector should be considered. Under the optimum configuration confirmed through the analysis of the coupling between a LC cell and a reflector, a reflective vertical alignment (VA) cell with a diffractive reflector shows contrast ratio and brightness much higher than that with a conventional bumpy reflector.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제15권1호
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pp.49-54
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2014
In this study, we carried out an investigation of the etch characteristics of silicon (Si) film, and the selectivity of Si to $SiO_2$ in $SF_6/O_2$ plasma. The etch rate of the Si film was decreased on adding $O_2$ gas, and the selectivity of Si to $SiO_2$ was increased, on adding $O_2$ gas to the $SF_6$ plasma. The optical condition of the Si film with this work was 1,350 nm/min, at a gas mixing ratio of $SF_6/O_2$ (=130:30 sccm). At the same time, the etch rate was measured as functions of the various etching parameters. The X-ray photoelectron spectroscopy analysis showed the efficient destruction of oxide bonds by ion bombardment, as well as the accumulation of high volatile reaction products on the etched surface. Field emission auger electron spectroscopy analysis was used to examine the efficiency of the ion-stimulated desorption of the reaction products.
Nano plasma ion (NPi) generator에서 발생한 NPi의 미생물에 대한 살균 효과를 측정하기 위해 미생물 종류, 조사 시간, 챔버 용적, 이온 수량, 거리에 따라 실험 하였다. 먼저 6종의 미생물 Escherichia coli, Pseudomonas aeruginosa, Salmonella typhimurium, Klebsiella pneumoniae, Staphylococcus aureus, Bacillus subtilis를 대상으로 실험한 결과 미생물 종류에 따라 각각 다른 감소율을 나타냈으며, 그람 음성균인 E. coli가 96.57%로 가장 높았고, 그람 양성균 중 포자를 생성하는 B. subtilis가 57.41%로 가장 낮았다. 그리고 NPi 조사시간에 따라 살균력 측정한 결과, 반응 초기에 대부분의 미생물이 사멸하였으며 이후 서서히 증가하였다. 또한 챔버의 크기에 따른 E. coli의 감소율을 비교하였으며 $0.005m^3$부터 $30m^3$까지 5개 챔버에서 NPi를 2시간 조사한 결과 용적이 증가함에 따라 포화이온 농도는 낮아졌고 이와 함께 살균력도 감소하였다. 이에 $1m^3$ 챔버에 NPi generator를 추가로 설치하여 포화 이온농도에 따른 E. coli의 감소율을 알아보았고 포화 이온 농도가 증가함에 따라 감소율도 함께 증가하는 것으로 나타났다. 마지막으로 NPi generator의 거리에 따른 E. coli의 감소율을 확인하였고 이온이 직접적으로 분출되는 부분의 99.19%를 제외한 나머지 위치에서 팬에 의한 이온 순환으로 포화농도가 비슷하게 유지 되었으며 약 97%의 감소율을 나타냈다.
나노기술과 정보기술의 융합은 이제 성숙 단계에 있는 정보화시대에 중요한 역할을 할 것으로 예상된다. 특히, 한국 산업에서의 정보 기술의 역할을 고려할 때, NT-IT 기술 융합은 매우 중요하다. 나노 소재는 그 크기가 나노미터 크기로 작은 것을 의미하며, 나노 크기에서 독특한 물성을 나타내는 특성을 가지고 있다 자기조립 기술을 활용하여 보텀업 공정을 수행하여 나노 크기의 정보 소재 및 소자를 구현한다. 이러한 기술은 생물체 등에서 일어나는 원자나 분자의 자기 조립 현상과 유사하다. 유기. 무기 템플릿을 이용한 정보 소재 개발 연구는 Guided Self Assembly유기물 나노 템플릿의 개발 및 AAO무기물 나노 템플릿을 활용한 나노 구조물 형성과 이를 응용한 정보기술과의 융합에 관해 연구이다. Nano structuring을 위해 Electroforming, Sol-gel processing, ionized Physical vapor deposition, ion beam implantation 법 등을 사용하며, 정보기술에 필요한 핵심 요소 기술을 개발한다. 형성된 Nano structure의 전기적 특성 평가 및 미세 구조 분석 및 응용을 고려한 소자 특성 평가를 통해서, IT분야에 적용 가능한 정보소재를 개발한다.
최근 연구 중인 소자들의 크기가 점차 나노 크기를 가짐에 따라서 나노 영역에 대한 물성 분석 연구의 필요성이 대두되고 있다. 특히 나노 크기를 가지는 소자에 대한 기계적 특성은 기존의 마이크로 이상의 소자와는 다른 특성을 보이는 것으로 보고되고 있다. 그러나 이러한 나노 크기에 대한 연구에서 대부분을 차지하는 분광학적, 전기적 방법은 측정 영역 한계와 일정 깊이에 대한 평균적인 정보를 제공하게 된다. 본 연구에서는 나노트라이볼로지 분석의 대표적인 Nano-indenter 분석을 통하여 박막의 수 혹은 수십 나노 미만의 영역과 깊이에 대한 물리적 및 기계적 물성을 연구하였고, Scanning Probe Microscopy를 이용하여 시료 표면 형상을 분석하였으며, 이를 기반으로 수십 나노 이하 두께를 가지는 W-N 확산방지막에 대한 연구를 실시하였다. 연구 결과에 의하면, 박막의 표면 나노강도는 증착 중 질소 유량에 따라서 57.67 GPa에서 9.1 GPa로 급격한 감소가 나타내었고, 또한 탄성계수 역시 575.53 GPa에서 178.1 GPa로 감소되는 것을 확인하였다.
The removal of tiny particles adhered to surfaces is one of the crucial prerequisite for a further increase in IC fabrication, large area displays and for the process in nanotechnology. Various cleaning techniques (wet chemical cleaning, scrubbing, pressurized jets and ultrasonic processes) currently used to clean critical surfaces are limited to removal of micrometer-sized particles. Therefore the removal of sub-micron sized particles from silicon wafers is of great interest. For this purpose various cleaning methods are currently under investigation. In this paper, we report on experiments on the cleaning effect of 100nm sized fluorescence particles on silicon wafer using the plasma shockwave occurred by femtosecond laser. The plasma shockwave is main effect of femtosecond laser cleaning to remove particles. The removal efficiency was dependent on the gap distance between laser focus and surface but in some case surface was damaged by excessive laser intensity. These experiments demonstrate the feasibility of femtosecond laser cleaning using 100nm size fluorescence particles on wafer.
Electron beam on high energy acceleration, which travels deeply and sharply through photoresist, became to be used in e-beam lithography apparatus for nano-patterning in due to its high resolution. An advanced electron beam lithography simulation tool is currently undergoing development for nano-patterning. This paper will demonstrate such simulation efforts with experiments at 200 keV e-beam lithography processes on PMMA, ZEP520 of which photoresist parameters and characteristics will be explained with simulation results. Neureuther parameters was extracted from the contrast curve of the resist
The gate-length dependence of maximun oscillation frequency $f_{MAX}$ is modeled by using scaling equations of equivalent-circuit parameters extracted from measured S-parameters of Nano-scale MOSFETs. The accuracy of the modeled $f_{MAX}$ is verified by observing good agreements with measured ones. It is observed that the $f_{MAX}$ initially increases with decreasing $L_g$ and then $f_{MAX}$ becomes saturated from $L_g$ less than 65nm.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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